Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

Параметрические технические каналы утечки информации



В результате воздействия акустического поля меняется давление на все элементы высокочастотных генераторов ТСПИ и ВТСС. При этом изменяется (незначительно) взаимное расположение элементов схем, проводов в катушках индуктивности, дросселей и т. п., что может привести к изменениям параметров высокочастотного сигнала, например, к модуляции его информационным сигналом. Поэтому этот канал утечки информации называется параметрическим. Это обусловлено тем, что незначительное изменение взаимного расположения, например, проводов в катушках индуктивности (межвиткового расстояния) приводит к изменению их индуктивности, а, следовательно, к изменению частоты излучения генератора, т.е. к частотной модуляции сигнала. Или воздействие акустического поля на конденсаторы приводит к изменению расстояния между пластинами и, следовательно, к изменению его емкости, что, в свою очередь, также приводит к частотной модуляции высокочастотного сигнала генератора. Наиболее часто наблюдается паразитная модуляция информационным сигналом излучений гетеродинов радиоприемных и телевизионных устройств, находящихся в выделенных помещениях и имеющих конденсаторы переменной емкости с воздушным диэлектриком в колебательных контурах гетеродинов. Промодулированные информационным сигналом высокочастотные колебания излучаются в окружающее пространство и могут быть перехвачены и детектированы средствами радиоразведки (рис.29).

 

 

Рис. 29. Перехват акустических (речевых) сигналов путем приема и детектирования побочных электромагнитных излучений (на частотах работы высокочастотных генераторов ТСПИ и ВТСС), модулированных информационным сигналом.

 

Акустоэлектромагнитные (пара­метрические) технические каналы утечки информации можно разде­лить на пассивные и активные.

Образование пассивного акустоэлектромагнитного канала утеч­ки информации связано с наличи­ем в составе некоторых ВТСС высо­кочастотных генераторов. В резуль­тате воздействия акустического по­ля меняется давление на все эле­менты высокочастотных генерато­ров ВТСС. При этом изменяется (незначительно) взаимное располо­жение элементов схем, проводов в катушках индуктивности, дроссе­лей и т. п., что может привести к из­менениям параметров высокочастотного сигнала, например к моду­ляции его информационным си­гналом.

Поэтому этот канал утечки информации называется парамет­рическим. Это обусловлено тем, что незначительное изменение вза­имного расположения, например, проводов в катушках индуктивнос­ти (межвиткового расстояния) при­водит к изменению их индуктивно­сти, а следовательно, к изменению частоты излучения генератора, то есть к частотной модуляции сигна­ла. Или воздействие акустического поля на конденсаторы приводит к изменению расстояния между пластинами и, следовательно, к из­менению его емкости, что, в свою очередь, также приводит к частот­ной модуляции высокочастотного сигнала генератора. Наиболее часто наблюдается паразитная модуля­ция информационным сигналом излучений гетеродинов радиопри­емных и телевизионных устройств, находящихся в выделенных поме­щениях и имеющих конденсаторы переменной емкости с воздушным диэлектриком в колебательных кон­турах гетеродинов.

Радиоизлучения, модулирован­ные информативным сигналом, воз­никающие при работе различных ге­нераторов, входящих в состав техни­ческих средств, или при наличии па­разитной генерации в узлах (элемен­тах) технических средств, установ­ленных в выделенном помещении, могут быть перехвачены средствами радиоразведки. Данный акустоэлектромагнитный (параметрический) технический канал утечки информа­ции называется пассивным (рис. 30).

 

 

Рис. 30. Схема акустоэлектромагнитного (пассивного) Рис. 31 Схема акустоэлектромагнитного (активного)

технического канала утечки речевой информации. технического канала утечки речевой информации.

 

Активный акустоэлектромагнитный канал утечки информации мо­жет быть реализован и путем «высо­кочастотного облучения» помеще­ния, где установлены ВТСС, облада­ющие «микрофонным эффектом», или закладные устройства, имею­щие элементы, некоторые парамет­ры которых (например, доброт­ность и резонансная частота объ­емного резонатора) изменяются по закону изменения акустического (речевого) сигнала (рис. 31).

Параметрический канал утечки информации может быть реализован и путем “высокочастотного облучения” помещения, где установлены полуактивные закладные устройства, имеющие элементы, некоторые параметры которых (например, добротность и резонансная частота объемного резонатора) изменяются по закону изменения акустического (речевого) сигнала (рис.32).

Рис. 32 Перехват акустических (речевых) сигналов «высокочастотного облучения» полуактивных закладных устройств.

При облучении мощным высокочастотным сигналом помещения, в котором установлено такое закладное устройство, в последнем при взаимодействии облучающего электромагнитного поля со специальными элементами закладки (например, четвертьволновым вибратором) происходит образование вторичных радиоволн, т.е. переизлучение электромагнитного поля. А специальное устройство закладки (например, объемный резонатор) обеспечивает амплитудную, фазовую или частотную модуляцию переотраженного сигнала по закону изменения речевого сигнала. Подобного вида закладки иногда называют полуактивными.

Для перехвата информации по данному каналу кроме закладного устройства необходимы специальный передатчик с направленным излучением и приемник.

Акустоэлектрические техничес­кие каналы утечки информации воз­никают вследствие преобразования информативного сигнала из акусти­ческого в электрический за счет «ми­крофонного» эффекта в электри­ческих элементах вспомогатель­ных технических средств и систем (ВТСС).

Перехват акустических колебаний в данном канале утечки информации осуществляется путем непосредственного (гальваническо­го) подключения к соединительным линиям ВТСС, обладающим «мик­рофонным эффектом», специаль­ных высокочувствительных низко­частотных усилителей (пассивный акустоэлектрический канал) (рис. 33).

Рис. 33. Схема акустоэлектрического (пассивного) Рис. 34. Схема акустоэлектрического (активного)

технического канала утечки речевой информации. технического канала утечки речевой информации.

 

Например, подключая такие сред­ства к соединительным линиям те­лефонных аппаратов с электромеха­ническими вызывными звонками, можно прослушивать разговоры, ве­дущиеся в помещениях, где установ­лены эти аппараты. Но вследствие незначительного уровня наведенной ЭДС дальность перехвата речевой информации, как правило, не пре­вышает нескольких десятков метров. Активный акустоэлектрический технический канал утечки инфор­мации образуется путем контакт­ного введения токов высокой час­тоты от соответствующего гене­ратора в линии (цепи), имеющие функциональные связи с нелиней­ными или параметрическими эле­ментами ВТСС, на которых проис­ходит модуляция высокочастотного сигнала информационным (рис. 34).

Информационный сигнал в дан­ных элементах ВТСС появляется вследствие электроакустического преобразования акустических си­гналов в электрические. В силу того что нелинейные или параметричес­кие элементы ВТСС для высокочас­тотного сигнала, как правило, пред­ставляют собой несогласованную нагрузку, промодулированный вы­сокочастотный сигнал будет отра­жаться от нее и распространяться в обратном направлении по линии или излучаться. Для приема излу­ченных или отраженных высоко­частотных сигналов используются специальные приемники с доста­точно высокой чувствительностью. Для исключения влияния зондиру­ющего и переотраженного сигна­лов могут использоваться импуль­сные сигналы.

Такой метод получения инфор­мации часто называется методом «высокочастотного навязывания» и в основном используется для пере­хвата разговоров, ведущихся в по­мещении, путем подключения к ли­нии телефонного аппарата, установ­ленного в контролируемом поме­щении. Для исключения воздей­ствия высокочастотного сигнала на аппаратуру АТС в линию, идущую в ее сторону, устанавливается спе­циальный фильтр нижних частот. Аппаратура «высокочастотного на­вязывания» может подключаться к телефонной линии на удалении до нескольких сот метров от выде­ленного помещения.

Все рассмотренные выше каналы утечки информации по сути являются внешними по отношению к источнику. Однако нельзя забывать и о так называемых внутренних каналах, которым обычно не придается должного значения, что нередко приводит к потере информации. Такие каналы утечки, как правило, связаны с администрацией и обслуживающим персоналом. В первую очередь это хищение носителей информации, съем информации с ленты принтера и плохо стертых дискет, с производственных и технологических отходов, визуальный съем информации с экрана дисплея и принтера, несанкционированное копирование.




©2015 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.