Параметрические технические каналы утечки информации

В результате воздействия акустического поля меняется давление на все элементы высокочастотных генераторов ТСПИ и ВТСС. При этом изменяется (незначительно) взаимное расположение элементов схем, проводов в катушках индуктивности, дросселей и т. п., что может привести к изменениям параметров высокочастотного сигнала, например, к модуляции его информационным сигналом. Поэтому этот канал утечки информации называется параметрическим. Это обусловлено тем, что незначительное изменение взаимного расположения, например, проводов в катушках индуктивности (межвиткового расстояния) приводит к изменению их индуктивности, а, следовательно, к изменению частоты излучения генератора, т.е. к частотной модуляции сигнала. Или воздействие акустического поля на конденсаторы приводит к изменению расстояния между пластинами и, следовательно, к изменению его емкости, что, в свою очередь, также приводит к частотной модуляции высокочастотного сигнала генератора. Наиболее часто наблюдается паразитная модуляция информационным сигналом излучений гетеродинов радиоприемных и телевизионных устройств, находящихся в выделенных помещениях и имеющих конденсаторы переменной емкости с воздушным диэлектриком в колебательных контурах гетеродинов. Промодулированные информационным сигналом высокочастотные колебания излучаются в окружающее пространство и могут быть перехвачены и детектированы средствами радиоразведки (рис.29).

Рис. 29. Перехват акустических (речевых) сигналов путем приема и детектирования побочных электромагнитных излучений (на частотах работы высокочастотных генераторов ТСПИ и ВТСС), модулированных информационным сигналом.

Акустоэлектромагнитные (пара­метрические) технические каналы утечки информации можно разде­лить на пассивные и активные.

Образование пассивного акустоэлектромагнитного канала утеч­ки информации связано с наличи­ем в составе некоторых ВТСС высо­кочастотных генераторов. В резуль­тате воздействия акустического по­ля меняется давление на все эле­менты высокочастотных генерато­ров ВТСС. При этом изменяется (незначительно) взаимное располо­жение элементов схем, проводов в катушках индуктивности, дроссе­лей и т. п., что может привести к из­менениям параметров высокочастотного сигнала, например к моду­ляции его информационным си­гналом.

Поэтому этот канал утечки информации называется парамет­рическим. Это обусловлено тем, что незначительное изменение вза­имного расположения, например, проводов в катушках индуктивнос­ти (межвиткового расстояния) при­водит к изменению их индуктивно­сти, а следовательно, к изменению частоты излучения генератора, то есть к частотной модуляции сигна­ла. Или воздействие акустического поля на конденсаторы приводит к изменению расстояния между пластинами и, следовательно, к из­менению его емкости, что, в свою очередь, также приводит к частот­ной модуляции высокочастотного сигнала генератора. Наиболее часто наблюдается паразитная модуля­ция информационным сигналом излучений гетеродинов радиопри­емных и телевизионных устройств, находящихся в выделенных поме­щениях и имеющих конденсаторы переменной емкости с воздушным диэлектриком в колебательных кон­турах гетеродинов.

Радиоизлучения, модулирован­ные информативным сигналом, воз­никающие при работе различных ге­нераторов, входящих в состав техни­ческих средств, или при наличии па­разитной генерации в узлах (элемен­тах) технических средств, установ­ленных в выделенном помещении, могут быть перехвачены средствами радиоразведки. Данный акустоэлектромагнитный (параметрический) технический канал утечки информа­ции называется пассивным (рис. 30).

Рис. 30. Схема акустоэлектромагнитного (пассивного) Рис. 31 Схема акустоэлектромагнитного (активного)

технического канала утечки речевой информации. технического канала утечки речевой информации.

Активный акустоэлектромагнитный канал утечки информации мо­жет быть реализован и путем «высо­кочастотного облучения» помеще­ния, где установлены ВТСС, облада­ющие «микрофонным эффектом», или закладные устройства, имею­щие элементы, некоторые парамет­ры которых (например, доброт­ность и резонансная частота объ­емного резонатора) изменяются по закону изменения акустического (речевого) сигнала (рис. 31).

Параметрический канал утечки информации может быть реализован и путем “высокочастотного облучения” помещения, где установлены полуактивные закладные устройства, имеющие элементы, некоторые параметры которых (например, добротность и резонансная частота объемного резонатора) изменяются по закону изменения акустического (речевого) сигнала (рис.32).

Рис. 32 Перехват акустических (речевых) сигналов «высокочастотного облучения» полуактивных закладных устройств.

При облучении мощным высокочастотным сигналом помещения, в котором установлено такое закладное устройство, в последнем при взаимодействии облучающего электромагнитного поля со специальными элементами закладки (например, четвертьволновым вибратором) происходит образование вторичных радиоволн, т.е. переизлучение электромагнитного поля. А специальное устройство закладки (например, объемный резонатор) обеспечивает амплитудную, фазовую или частотную модуляцию переотраженного сигнала по закону изменения речевого сигнала. Подобного вида закладки иногда называют полуактивными.

Поиск по сайту: