Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

Цели и задачи дисциплины. Цель дисциплины – обучение студентов основам теории и анализа базовых



Цель дисциплины – обучение студентов основам теории и анализа базовых технологических процессов производства радиоэлектронных средств (РЭС).

Задачи дисциплины:

· изучение методов описания точности и стабильности параметров технологических процессов в производстве РЭС;

· рассмотрение технологических проблем надежности РЭС;

· обучение студентов методам планирования экспериментов и приемы обработки их результатов;

· освоение студентами методов моделирования процессов и оптимизации технических решений.

Место дисциплины в структуре ООП: дисциплина по выбору вариативной части математического и естественнонаучного цикла. Выбирается студентом исходя из его склонностей из пары дисциплин, преподаваемых параллельно: «Теоретические основы конструирования и надежности радиоэлектронных средств» / «Теоретические основы технологии радиоэлектронных средств». Базируется на предварительно изученных дисциплинах «Математика», «Физика», «Химия», «Физическая химия», «Химическая физика», «Физические основы микро- и наноэлектроники», «Физика полупроводниковых структур». Знания, умения и компетенции, сформированные при изучении данной дисциплины, необходимы далее для успешного освоения дисциплин «Технология производства электронных средств», «Интегральные устройства радиоэлектроники», а также для выполнения выпускной квалификационной работы по соответствующей тематике.

Требования к результатам освоения дисциплины:

Процесс изучения дисциплины направлен на формирование следующих
компетенций:

· способность использовать основные законы естественнонаучных дисциплин в профессиональной деятельности, применять методы математического анализа и моделирования, теоретического и экспериментального исследования
(ОК-10);

· способность выявить естественнонаучную сущность проблем, возникающих в ходе профессиональной деятельности, привлечь для их решения соответствующий физико-математический аппарат (ПК-2);

· способностью собирать, обрабатывать, анализировать и систематизировать научно-техническую информацию по тематике исследования, использовать достижения отечественной и зарубежной науки, техники и технологии
(ПК-6).

В результате изучения дисциплины «Теоретические основы технологии радиоэлектронных средств» студент должен:

знать: общую терминологию и научную основу технологических процессов, методологию описания, анализа и моделирования технологических процессов, сущность технологических процессов изготовления электронных средств;

уметь:использовать основные законы, описывающие технологические процессы, определять характер детерминированных связей и статистических закономерностей, оценивать степень совершенства технологического процесса на уровне операции, устанавливать связи между технологическими факторами и параметрами структур, элементов, а также качества изделий и технологических процессов;

владеть: навыками работы с пакетами прикладных программ по технологии РЭС, навыками по анализу технологических процессов, навыками по расчету параметров и характеристик технологических процессов.

Содержание дисциплины:

Основные понятия и способы описания термодинамической и технологической систем. Основные понятия термодинамики необратимых процессов. Пространственное распределение физико-химических параметров в системе. Основы кинетики процессов. Анализ гомогенного и гетерогенного зарождения новой фазы. Влияние технологических факторов на структуру пленок. Рост пленок. Эпитаксия. Термодинамика поверхностных процессов. Адсорбционные процессы на поверхности твердых тел. Энергия взаимодействия атомных частиц с поверхностью твердого тела. Термодинамика поверхностных реакций. Факторы, влияющие на адгезию. Термодинамика процессов растворения. Основы кинетики растворения твердых тел. Травление поверхности твердого тела. Селективные и полирующие травители. Законы диффузии. Методы решений уравнений диффузии. Влияние температуры, примесей, дефектов кристаллической решетки на коэффициент диффузии. Термодинамика и кинетика химического осаждения тонких пленок. Термодинамика электрохимического осаждения и растворения металлов. Температура испарения. Состав осаждаемой пленки при испарении сплавов. Получение пленок ионно-плазменным распылением. Эффективность ионно-плазменных систем. Принципы и основные характеристики ионно-плазменного и плазмохимического травления. Кинетика процессов плазмохимического травления. Ионная имплантация: общие понятия, распределение пробега имплантированных ионов в твердом теле. Образование и отжиг радиационных дефектов. Фотолитография. Образование оптических изображений, получение видимых изображений. Фоторезисты, фотохимические реакции. Сварка и пайка. Возникновение электрического контакта. Структура соединений. Флюсование при пайке. Перспективные технологические процессы.

Виды учебной работы: лекции, практические занятия, лабораторные работы, самостоятельная работа с выполнением индивидуальных заданий.

Изучение дисциплинызаканчивается зачетом с оценкой.




©2015 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.