Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

Цели и задачи дисциплины. Цель дисциплины - формирование у студентов современных представлений об особенностях



Цель дисциплины - формирование у студентов современных представлений об особенностях физических процессов и явлений, протекающих в полупроводниковых приборах при различных режимах их эксплуатации.

Задачи дисциплины:

· формирование представлений о механизмах зарядопереноса в полупроводниковых структурах;

· изучение границ физических возможностей современных полупроводниковых приборов;

· освоение подходов к обоснованию и обеспечению оптимальных режимов эксплуатации полупроводниковых приборов при конструировании и производстве электронных средств.

Место дисциплины в структуре ООП: обязательная дисциплина вариативной части математического и естественнонаучного цикла. Для освоения дисциплины «Физика полупроводниковых структур» необходимы знания и умения, приобретенные студентами в результате изучения математики, физики, химии, а также дисциплины «Физические основы микро- и наноэлектроники». Знания, умения, навыки и компетенции, полученные в результате овладения данной дисциплиной, требуются при изучении дисциплины «Интегральные устройства радиоэлектроники», в научно-исследовательской работе, при прохождении учебных и производственных практик, при подготовке выпускной квалификационной работы.

Требования к результатам освоения дисциплины:

Процесс изучения дисциплины направлен на формирование следующих
компетенций:

· способность выявить естественнонаучную сущность проблем, возникающих в ходе профессиональной деятельности, привлечь для их решения соответствующий физико-математический аппарат (ПК-2);

· готовность проводить эксперименты по заданной методике, анализировать результаты, составлять обзоры, отчеты (ПК-20).

Содержание дисциплины. Основные разделы:электрофизические свойства полупроводниковых материалов; полупроводниковые диоды; биполярные транзисторы; полевые транзисторы; тиристоры; полупроводниковые гетероструктуры.

В результате изучения дисциплины студент должен:

знать: свойства различных типов полупроводниковых материалов; основные понятия, определения, термины; модели и методы, используемые для изучения объектов курса; получаемые в результате принципы, основы теории, законы; квантово-размерные зависимостиэлектрических свойств полупроводниковых наноструктур;

уметь: выбирать методы исследования, соответствующие поставленной задаче, выбирать модели исследуемой системы и обосновывать свой выбор; применять экспериментальные и теоретические методы в научно-технических исследованиях; адаптировать, модифицировать модели, методы и алгоритмы для решения конкретных задач; обобщать и интерпретировать полученные результаты; рассчитывать числовые характеристики результатов экспериментов, выполнятьрасчеты основных электрических параметров полупроводниковых наноструктур; пользоваться общенаучной и специальной литературой;

владеть:навыками выбора методов исследования, моделей исследуемой системы и интерпретации результатов исследования электрических свойств полупроводниковых структур; навыками анализа разнообразных кинетических процессов в полупроводниковых структурах для научно обоснованного выбора структур, наиболее подходящих для решения конкретной задачи; методами проведения экспериментов по исследованию полупроводниковых структур с использованием современной измерительной аппаратуры, обработки, аппроксимации и анализа числовых результатов наблюдений.

Виды учебной работы: лекции, практические занятия, лабораторные работы, самостоятельная работа с выполнением индивидуальных заданий.

Изучение дисциплинызаканчивается: дифференцированным зачетом(зачетом с оценкой).

 

 

Аннотация дисциплины «Теоретические основы конструирования
и надежности радиоэлектронных средств»

Общая трудоемкостьизучения дисциплины составляет6 ЗЕТ (216 ч).




©2015 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.