Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

Формулы Молла – Эберса



Формулы Молла – Эберса являются универсальными соотношениями, которые описывают характеристики биполярных транзисторов во всех режимах работы [28, 5, 19].

Для такого рассмотрения представим БТ в виде эквивалентной схемы, приведенной на рисунке 5.8.

Рис. 5.8. Эквивалентная схема биполярных транзисторов во всех режимах работы

При нормальном включении через эмиттерный p‑n переход течет ток I1, через коллекторный переход течет ток αNI1 – меньший, чем I1, вследствие рекомбинации части инжектированных носителей в базе. На рисунке 5.8 этот процесс изображен как генератор тока αNI1, где αN – коэффициент передачи эмиттерного тока. При инверсном включении транзистора прямому коллекторному току I2 будет соответствовать эмиттерный ток αII2, где αI – коэффициент инверсии. Таким образом, токи эмиттера Jэ и коллектора Jк в общем случае состоят из инжектируемого (I1 или I2) и экстрагируемого (αNI1 или αII2) токов:

(5.1)

Величины токов I1 и I2 выражаются для p‑n переходов стандартным способом:

(5.2)

где Iэ0' и Iк0' – тепловые (обратные) токи p‑n переходов. Отметим, что токи Iэ0' и Iк0' отличаются от обратных токов эмиттера Iэ0 и коллектора биполярного транзистора.

Оборвем цепь эмиттера (Jэ = 0) и подадим на коллекторный переход большое запирающее напряжение Uк. Ток, протекающий в цепи коллектора при этих условиях, будем называть тепловым током коллектора Iк0. Поскольку Iэ = 0, из (5.1) следует, что I1 = αII2, а из (5.2) I2 = - Iк', поскольку U >> kT/q.

Полагая Iк = Iк0, получаем в этом случае:

,

.(5.3)

Обозначим ток эмиттера при большом отрицательном смещении и разомкнутой цепи коллектора через Iэ0' – тепловой ток эмиттера:

.(5.4)

Величины теплового эмиттерного и коллекторного токов значительно меньше, чем соответствующие тепловые токи диодов.

Подставляя (5.2) в (5.1), получаем:

,

,(5.5)

,

где Jб – ток базы, равный разности токов эмиттера Iэ и коллектора Iк.

Формулы (5.5) получили название формул Молла – Эберса и полезны для анализа статических характеристик биполярного транзистора при любых сочетаниях знаков токов и напряжений.

При измерении теплового тока коллектора Iк0 дырки как неосновные носители уходят из базы в коллектор: Jк = Jб(Jэ = 0). При этом поток дырок из базы в эмиттер не уравновешен и их переходит из эмиттера в базу больше, чем в равновесных условиях. Это вызовет накопление избыточного положительного заряда в базе и увеличение потенциального барьера на переходе эмиттер – база, что, в конце концов, скомпенсирует дырочные токи.

Таким образом, необходимо отметить, что при изменении теплового тока коллектора эмиттер будет заряжаться отрицательно по отношению к базе.

5.4. Вольт‑амперные характеристики биполярного транзистора в активном режиме

Рассмотрим случай, когда на эмиттерный переход биполярного транзистора подано прямое, а на коллекторный – обратное смещение. Для p‑n‑p биполярного транзистора это Uэ > 0, Uк < 0.

Для нахождения ВАХ в качестве входных параметров выбирают Jэ, Uк, а выходных – Jк, Uэ из соображений удобства измерения. Выразим в (5.5) , подставим в выражение для Jк и получим:

.

Следовательно,

.(5.6)

Соотношение (5.6) описывает семейство коллекторных характеристик Iк = f(Uк) с параметром Iэ.

Семейство эмиттерных характеристик Uэ = f(Iэ) с параметром Uк получим из (5.5). Учитывая, что , получаем:

;

. (5.7)

Формулы (5.6) и (5.7) описывают характеристики транзистора, представленные на рисунке 5.9.

Рис. 5.9. Вольт-амперные характеристики БТ в активном режиме: семейство коллекторных кривых

Для активного режима, когда Uэ > 0, Uк < 0, |Uк| << 0, выражения (5.6) и (5.7) переходят в выражения:

.(5




©2015 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.