У них при изготовлении сток и исток соединяют тонким каналом. Важным свойством таких транзистора является возможность работы с любой полярностью напряжения затвор-исток Uзи. Работа транзистора при такой полярности напряжения Uзи, при которой во встроенный канал притягиваются дополнительно основные носители из подложки, называется работой в режиме обогащения. В режиме обеднения полярность Uзи такова, что поле затвора выталкивает из канала часть основных носителей, уменьшая тем самымего проводимость.
Рис. 7
СТОКОВЫЕ И СТОКО-ЗАТВОРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ приведены на рис. 7 показывают, что при отсутствии напряжения на затворе ток стока не равен нулю и может уменьшаться или увеличиваться в зависимости от полярности напряжения на затворе и типа канала.
2. Контрольные вопросы
2.1. Полевой транзистор с управляющим p-h переходом. Устройство, принцип действия, схема включения с ОИ. Стоковые и стоко-затворяые характеристики.
2.2. Полевой МДЦ транзистор с встроенным каналом. Устройство и принцип действия. Схема включения с ОИ. Стоковые и стоко-затворяые характеристики.
2.3. Полевой ЩО-транзистор с индуцированным каналом. Устройство и принцип действия. Схема включения с ОИ. Стоковые и сгоко-затворные характеристики.
2.4. Статические параметры полевых транзисторов. Определение, формулы и способы определения их по стоковым характеристикам.
4.1. Нарисовать 6 схем включения ПТ со встроенным каналом и индуцированным. Указать полярности источников питания в режимах обогащения и обеднения, указать направление тока стока.
Глоссарий
Термин
Каз.яз.
Англ.яз
Изолированный затвор
встроенный канал
индуцированный канал
режим обогащения
режим обеднения
Напряжение отсечки
Подложка
Құрастырылған арна
Индуциялық арна
Толығу режим
ЛЕКЦИЯ №11
Т И Р И С Т О Р Ы
1. Краткое содержание лекции
Это ПП с двумя устойчивыми состояниями, имеющий 3 или более перехода, который может переключаться из закрытого состояния в открытое и наоборот.
ДИНИСТОР - это тиристор с 2-мя внешними выводами (структура показана на рис, 1) от анодной и катодной областей ПП структуры.
Рис. 1
При Uпр< Uвкл
I и III переходы (эмиттерные)- прямосмещенные;
II - (коллекторный) - обратносмещенный ток мал (участок 0-А).
При увеличении Е увеличивается инжекция I и III переходов, а значит увеличивается концентрация НН возле II перехода, его потенциальный барьер понижается и тиристор открывается (скачок из т.А на участок ВС):
1. участок ОА - тиристор выключен;
2. участок ВС - тиристор включен.
ТРИНИСTOP -тиристор, имеющий 2 вывода от анодной и катодной областей и один вывод от управляющей области.
При увеличении управляющего тока уменьшается напряжение включения тринистора U вкл.
Выключение осуществляют по цепи анода изменением полярности Uак.
Применение. В устройствах автоматики и вычислительной техники и в источниках питания.
Рис. 2
ПАРАМЕТРЫ ТИРИСТОРОВ
Важным преимуществом тиристоров перед транзисторами является низкое сопротивление включенного прибора. Это позволяет пропускать через него токи в десятки раз большей величины, чем через транзистор.
Существуют тиристоры самых различных типов — на токи от нескольких десятков миллиампер до нескольких сот ампер и на рабочее напряжение до 1000 В. Тиристоры нашли применение в различных устройствах автоматики и вычислительной техники. Мощные тиристоры применяются в силовой преобразовательной технике и электроприводе.
Важнейшими параметрами как двухэлектродных, так и трехэлектродных тиристоров являются следующие:
· Iвкл — ток включения (точка А, см. рис. 1.а).
· Uвкл — напряжение включения— представляет собой максимальное прямое напряжете на тиристоре;
· I — удерживающий ток— это минимальное значение тока, при котором тиристор еще может находиться в открытом состоянии;
· Uоткр — это падение напряжения на тиристоре во включенном состоянии;
· Iобр — обратный ток тиристора при определенном обратном напряжении.
Важнейшим параметром тринистора является ток управления Iобр — минимальное значение постоянного тока управляющего электрода, при котором включается тиристор. Этот параметр, характеризующий управляющие свойства прибора, соответствует определенному заданному напряжению включения.