ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ - устройства, действия которых связаны с использованием электрических явлений в полупроводниках (ПП), вакууме или газе.
Классификация электронных приборов:
· полупроводниковые приборы - ППП;
· электровакуумные приборы - ЭВП;
· ионные приборы - ИП.
ЭП являются активными приборами, т.к. усиливают электрические сигналы по мощности, изменяют его форму, преобразуют один вид энергии в другой. ЭП - транзисторы (VT), диоды (VД), лампы и т.д.
Пассивные элементы - резисторы, конденсаторы, индуктивности.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
Структура атома кремния (рис.3)
где Q+ - заряд ядра; Q- - зарядов электронов атома.
Энергетическая диаграмма полупроводника (рис. 4).
ВЗ - валентная зона - совокупность энергетических уровней валентных электронов; ЗП - зона проводимости - совокупность энергетических уровней свободных электронов; 33 - запрещенная зона - совокупность энергетических уровней, которыми не могут обладать электроны данного вещества.
[I, с 9-134; 3, с. 6-7; 5, с. 23-25] Собственный полупроводник
ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Собственный ПП - химически чистый ПП.
Ge, Si - в валентной зоне атома по 4 электрона (рис. 3).
Плоскостное изображение кристаллической решетки представлено на рис. 5. -ширина 33,
минимальная энергия ионизации ПП: Ge = 0,72 эB; Si = I,I2 эВ (рис. 6).
Особенность ПП - два типа носителей зарядов (НЗ):
· свободные электроны -„n" q- в ЗП;
· дырки - "p" - не занятые электронами энергетические уровни в ВЗ q+.
ГЕНЕРАЦИЯ- процесс образования пары НЗ (электрон-дырка).
РЕКОМБИНАЦИЯ - процесс исчезновения этой пары. ni pi - концентрация электронов и дырок в собственном ПП (рис. 6). [I, с. 14-17; 3, с. 26]
РАБОТА ППП ОСНОВАНА НА ЯВЛЕНИЯХ ПРИМЕСНОЙ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ
Примесный ПП - это ПП - в который введены примеси для повышения электропроводности.
ОН - основные носители заряда, концентрация которых преобладает в данном ПП.
НН - неосновные носители заряда, концентрация которых на несколько порядков ниже ОН. p n
Донорная примесь –
пятивалентные элементы (фосфор, сурьма, мышьяк). Атомы примеси, взаимодействуя с атомами ПП, образует ковалентные связи с четырьмя соседними атомами ПП (рис. 7,8). Пятый валентный электрон примеси слабо связан с узлом. Под действием тепловых колебаний он отрывается от ядра и становится электроном проводимости. Оставшийся в узле пятивалентный атом мышьяка превращается в неподвижный положительный ион. Концентрация электронов проводимости в кристалле резко возрастает, электропроводность имеет электронный характер. ПП становится полупроводником n-типа. ОН – электроны, НН – дырки.
Акцепторная примесь –
трехвалентные элементы (индий, алюминий, бор). Атомы примеси, взаимодействуя с атомами ПП, образует ковалентные связи с тремя соседними атомами ПП (рис. 9,10). Недостающий валентный электрон захватывается атомом примеси у соседнего атома ПП. Примесь превращается в неподвижный отрицательный ион, а у соседнего четырехвалентного атома, потерявшего валентный электрон, возникает дырка. Концентрация дырок резко возрастает, электропроводность имеет дырочный характер. ПП становится полупроводником р-типа. ОН – дырки, НН – электроны.
2. Контрольные вопросы
1. Какие материалы используются для изготовления полупроводниковых приборов?
2. Нарисуйте и подпишите энергетическую диаграмму ПП р-типа.
3. Нарисуйте и подпишите энергетическую диаграмму ПП n –типа.
4. Какие НЗ являются ОН в ПП р-типа ?
5. Как называется процесс образования пары электрон-дырка собственного ПП?
6. Как называется процесс исчезновения пары электрон-дырка?
7. Какие НЗ являются основными в ПП n -типа?
Задание на СРС
1. Конспект Диффузионный ток в ПП [ОЛ6.2] стр 15.
Задание на СРСП
1. Письменно пояснить разницу между дрейфовым током и диффузионным.