Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

ПРИНЦИП РАБОТЫ В АКТИВНОМ РЕЖИМЕ



ОН инжектируют через прямо смещенный ЭП в базу, образуя Iэ (рис.32).

В базе НН диффундируют от ЭП к КП.

Малая часть НН рекомбинирует в базе, образуя Iб. Большая часть НН базы под действием поля обратносмещенного КП экстрагирует в коллектор, образуя Iк.

Iэ = Iк+IбIб<<Iк (рис. 3) Биполярный транзистор - прибор, управляемый током

[1,с.87-96;2,с.58-62;3, с 86-94]

Рис. 1. Рис. 2

 

Две крайние области имеют одинаковый тип проводимос­ти, а средняя, находящаяся между ними, - противоположный. Та­ким образом, существуют транзисторы p-n-p и n-р-n. Концент­рации основных носителей в трех областях различны по своей ве­личине. В соответствии с концентрацией основных носителей и с процессами, происходящими в транзисторе, области называются: эмиттер, база, коллектор. Таким образом, создаются два р-n перехода - эмитгерный (между эмиттером и ба­зой) и коллекторный (между коллектором и базой). При исполь­зовании транзисторов в качестве элементов схем к каждому его р-n переходу подключается внешнее постоянное напряжение, сме­щающее переход в том или ином направлении.

Рис. 3

 

Имеется три основных режима работы транзистора:

· активный, когда эмиттерный переход смещают в пря­мом направлении, а коллекторный - в обратном;

· насыщения, когда оба перехода смещены в прямом направлении;

· отсечки, когда оба перехода смещены в обратном направлении.

Принцип действия транзистора рассматривается на примере работы его в активном режиме. Необходимо очень хорошо разоб­раться в физических процессах, происходящих в транзисторе. Здесь имеют место:

1. Инжекция носителей зарядов из эмиттера в базу через пони­женный потенциальный барьер прямо направленного эмиттерного перехода;

рекомбинация носителей зарядов в базе;

2. Экстракция носителей заряда из базы в коллектор под действием ускоряющего электрического поля обратно направленного кол­лекторного перехода.

Процессы, происходящие в транзисторе, вызывают движение электронов в подводящих внешнее напряжение выводах. По ним протекает эмиттерннй, базовыйи коллекторный токи. Следует разобраться, какие процессы приводят к появлению этих токов. Необходимо хорошо усвоить основной вывод из рас­смотрения физического принципа действия биполярного транзисто­ра, т.е. требуется знать и уметь использовать основное соотно­шение, связывающее три тока транзистора: Iэ = Iк+Iб.

Т.к. концентрация основных носителей в базе и ее толщина наименьшие, то процесс рекомбинации в базе минимальный.

Рис. 4. Разрез сплавного плоскостно­го германиевого транзистора типа р-п-р (стрелками показаны пути дырок, движущихся под действием диффузии):

1 — область усиленной рекомбинации;

2— кон­тактное кольцо базы

При изготовлении транзистора базу делают тонкой и бедной основными носителями, а пло­щадь коллекторного перехода — в несколько раз большей площади эмиттерного. При этом, как показано на рис. 4., на коллектор попадает большинство инжектируемых дырок,движущихся под действием диффузии в направлении уменьшения своей концентрации. Поэтому

Величина

называется статическим (интегральным) коэффициентом передачи тока эмиттера и близка к единице. Этот коэффициент показывает, замыкается через коллекторную цепь.

2. 2. Контрольные вопросы

2.1. Устройство биполярных транзисторов. Строение базы. Баланс токов.

2.2. Принцип действия биполярного транзистора в активном режиме.

2.3. Приведите условное изображение транзистора n-p-n.

2.4. Какой тип электропроводности имеет эмиттер?

2.5.В каком режиме работы транзистор может усиливать сигналы?

Задание на СРС

3.1.Записать формулу и пояснить физический смысл коэффициента переноса [ОЛ6.2] стр.61

Задание на СРСП

4.1.4.1. Записать и пояснить соотношение связывающее три тока для n-р-n транзистора.

Глоссарий

Термин Каз.яз. Англ.яз
Биполярный транзистор Активный режим Режим отсечки Режим насыщения База, эмиттер, коллектор Инжекция носителей зарядов Экстракция носителей заряда Биполярлы транзистор Активті режим   Қанығу режимі   Заряд тасымалдаушылар инжекциясы Заряд тасымалдаушылар экстракциясы  

ЛЕКЦИЯ №6

 




Поиск по сайту:

©2015-2020 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.