По каналу, под действием продольного внешнего электрического поля, созданного Uси движутся электроны от истока к стоку.
носителей,чем n слой,изменение ширины p-n перехода происходит в основном за счет ширины канала (n). Измен. сечения токоведущ. канала → Iс Особенность полевого транзистора в том, что на Iс Особенность полевого транзистора в том, что на Iс
Uзи – обратное для p-n перехода, возникающего между затвором и каналом. При изменении Uзи, изменяется ширина p-n перехода - участка, обедненного ОНЗ, т.к. p-слой имеет большую концентрацию основных
Особенность полевого транзистора в том, что на Iс Особенность полевого транзистора в том, что на Iс (сильнее). Эти процессы илюстрир. семейств. стокозатв. характеристик.
На входе его практ. не расходуется мощность.
Схема замещения пол. тр-ра с упр. p-n
В обл. выс. част. В обл. ниж. част.
Характеризует работу тр-ра в обл. 2 стоковой ВАХ для перемен. составл. тока и И
2.1.4.2 МДП транзистора
Полевые транзисторы с изолированным затвором в отличии от вышерассмотренных имеют затвор, изолированный от области канала слоем диэлектрика (им может быть SiO2)
Принцип действия основан на эффектах изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля.
Приповерхностный слой полупроводников является токоведущим каналом этих транзисторов.
Выполн. Двух типов – со встр. индукц. кан.
2.1.4.3 МДП тр-ры со встроен. каналом
2.1.4.4 МДП тр-р с индуц. каналом
Значение межэлектрод. емкостей Сзн1Сси<10пф Сзс<2пф
Меньше, чем у тр-ров с упр. n-p пер. Применяется широко в интегр. исполнении.
ЛЕКЦИЯ №11
2.1.5 Биполярные транзисторы
2.1.5.1 Структура, схемы включения, схемное обозначение
Биполярным транзистором называется трехэлектродный полупроводниковый прибор, содержащий два взаимодействующих p-n перехода, выходной ток которого управляется изменением входного тока.
Э – эмиттер (испускающий заряды)
К – коллектор (собирающий заряды)
Б – база
Эмиттерный переход – ЭП
Коллекторный переход – КП
Различают три схемы включения биполярного транзистора:
А) с общей базой
Б) с общим эмиттером
В) с общим коллектором
А) Самая распространенная – обеспечивает усиление по U и I
Б) Усиливает только по U
В) Усиливает только I
Токи транзистора связаны равенством Iэ=IБ+Iк
2.1.5.2 Устройство и принцип действия транзистора.