 |
|
|
Архитектура Астрономия Аудит Биология Ботаника Бухгалтерский учёт Войное дело Генетика География Геология Дизайн Искусство История Кино Кулинария Культура Литература Математика Медицина Металлургия Мифология Музыка Психология Религия Спорт Строительство Техника Транспорт Туризм Усадьба Физика Фотография Химия Экология Электричество Электроника Энергетика |
Б)в результате ослабления результ. поля ОНЗ приближ. к р-п переходу, концентр. И градиент концентр.. растёт.
В)ширина изолированного слоя б уменьшается Г)возрастает Iдиф. и Iпрямой. Переход ОНЗ через потенциальный барьер в ту сторону, где он становится ННЗ называется инжекцией. Д)Iдрейф. по сравнению с Iдиф.ничтожно малое. 2.1.2.3 Обратное включение р-п перехода.
а)Пот. барьер и рез. поле увеличиваются: Uрез=Uвн+Uвнутр; Ерез=Евн+Евнутр Б)ОНЗ отодвигается от р-п перехода а ННЗ приближается. В) б увеличивается Г)диффузионный ток ОНЗ прекращается. д)под действием Ерез. возникает дрейфовый ток ННЗ через р-п переход и обратный ток Iобр во внеш.цепи. Так как конц. ОНЗ в 10 раз выше ННЗ, то Iобр<<Inp. 2.1.2.4 Вольт – амперная характеристика р-п перехода.
Характеристика идеального р-п перехода: I=I0 (eeU/kT - 1) I0- обратный ток р-п перехода Е – основание натурального логарифма U – напряжение, приложенное к р-п переходу Е – заряд электрона К – постоянная Больцмана Т – абсолютная температура Прямая ветвь: Inp= I0e40U для Т=300 К Обратная ветвь: Iобр= -Io. При достижении Uобр определяем U, р-п переход пробивается. - 2 вида пробоя : 1)электронный ; 2)тепловой 1. электронный пробой – лавинообразное увеличение обратного тока вследствие ударной ионизации атомов кристаллической решётки быстрыми носителями заряда и отрывом валентных элементов. – образуется пара электрон – дырка, процесс происходит лавинообразно. Обратим: Если не обеспечен теплоотвод, электронный пробой может перейти в тепловой (необратимый) - интенсивная термогенерация носителей заряда: при t°≥100-150 с и t°≤-60-70c р-п переход теряет свои свойства. Т.о. ВАХ р-п перехода позволяет рассмотреть его, как нелинейный элемент, сопротивление которого резко изменяется в зависимости от направления и величины приложенного U. т.е.р-п переход обладает свойством односторонней проводимости. 2.1.3 Виды полупроводниковых диодов. Выпрямительный диод.
Основные параметры: Iпр.мах Uобр.мах Iобр.(Iо) – среднее значение Rпр.диф.=∆Uпр./∆Iпр Rобр.диф=∆Uобр/∆Iобр Стабилитрон.
Предназначен для стабилизации постоянного U. Работает в режиме электрического пробоя(отвод тепла при повышении мощности). Изгот. кремневые. Основные параметры: Uстаб от 3 до 180 (В) Iст.мах т.к. H=∆Uст/∆T·100% Iст.мin – температурный коэффициент нестабильного напряжения от 0,0005 до 0,2 %/°С Варикапы.
Поиск по сайту: |
