Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

Организация динамической памяти



Структура микросхем динамической памяти (DRAM) в целом близка к структуре микросхем статической памяти. Однако для уменьшения количества выводов в микросхемах динамической памяти используется мультиплексированные входы адреса. Адрес, подаваемый с шины адреса процессора, делится на две части - адрес строки и адрес столбца. При адресации ячеек DRAM эти части адреса, последовательно во времени, подаются на адресные входы микросхемы памяти в сопровождении соответственно стробов адреса строки RAS (Row Address Strobe) и столбца CAS (Column Address Strobe). Сначала подаются ад­ресные биты, выбирающие строку массива ячеек. По сигналу RAS эти биты сохра­няются в защелке адреса строки внутри микросхемы, после чего на те же выводы микросхемы подаются младшие адресные биты.

Разделение полного адреса, выдаваемого процессором, и последовательную выдачу его на микросхему памяти осуществляет мультиплексор, входящий в схему управления (контроллер) динамической памятью.


Временные диаграммы ввода адреса запоминающего элемента в микросхемы DRAM приведены на рисунке 3.7.

 

 

Рисунок 3.7 - Временные диаграммы сигналов ввода адреса в микросхему DRAM

Структура асинхронной динамической памяти DRAM конфигурации 2М х 8 емкостью 16 Mбит показана на рисунке 3.8. Ее ячейки организованы в массив 4 К х 4 К, в котором 4096 запоминающих элементов каждой строки разделены на 512 групп по 8 бит, так что в каждой строка хранит 512 байт данных. Для адресации 4096 строк необходимо 12 адресных разрядов. Еще 9 разрядов адреса необходимы для выбора из строки группы из 8 бит, поэтому для доступа к каждому байту в микросхеме с рассматриваемой организацией необходим 21-разрядный адрес. Старшие 12 и младшие 9 разрядов адреса образуют адреса строки и столбца байта.

 

 

Рисунок 3.8 - Организация микросхемы динамической памяти 2М х 8

 

В процессе операции чтения или записи сначала на адресные выводы микросхемы подается адрес строки. При активизации сигнала RAS он загружается в защелку (регистр) адреса строки микросхемы. Адрес строки дешифрируется дешифратором адреса строки, который активизирует одну из линий выбора строки запоминающего массива 0,1…4095. Содержимое выбранной строки массива с помощью схемы записи- чтения считывается в регистр- защелку 512x8 статического типа.

Через некоторое время после загрузки адреса строки на адресные выводы микросхемы подается адрес столбца, который загружается в защелку ад­реса столбца при активизации строба CAS. 9 линий этого регистра выбирают адресованный байт из 512, считанных в защелку 512x8 бит. Если управляющий сигнал R/W# указывает на операцию чтения, выбранный байт выставляется на лини данных D7…D0.

Для осуществления записи в микросхему, информация с линий D7…D0 пересылается в соответствующую группу из 8-ми бит защелки 512x8 и замещает их прежнее содержимое. В микросхемах динамической памяти, как правило, активным сигналам RAS и CAS соответствует низкий уровень напряжения, поэтому стробирование ад­реса выполняется при переходе соответствующего сигнала от высокого уровня к низкому. На схемах эти сигналы обозначаются как RAS и CAS.

Особенностью запоминающих элементов динамической памяти является то, что при считывании информации из них их содержимое разрушается, в связи с чем, после окончания действий по записи или чтению информации в защелку 512x8, необходимо регенерировать содержимое считанной в эту защелку строки массива. Для этого ранее сохраненное в защелке содержимое строки (при чтении информации из микросхемы), или с частью модифицированных бит (при записи информации в микросхему) записывается в считанную строку.

Необходимость восстановления содержимого выбранной строки запоминающего массива является причиной еще одного недостатка микросхем DRAM- обязательного ожидания окончания процесса перезаписи информации из защелки в выбранную строку перед следующей операцией записи - чтения данных из другой строки. Это приводит к увеличению времени чтения- записи микросхемы. Однако, если последующий адрес записи- чтения относится к той же строке микросхемы, то адресуемый байт можно считать прямо из защелки, без повторной подачи адреса строки, с подачей на микросхему только адреса столбца в сопровождении строба CAS. Описанный режим записи - чтения информации из смежных ячеек памяти одной строки называется режимом быстрого страничного чтения (Fast Page Mode- FPM) и обеспечивает значительное снижение времени записи- чтения в режиме пакетного обмена.

В связи с вышеописанной организацией микросхем динамической памяти подача адреса строки в ходе операции считывания или записи приводит к обновлению содержимого всех ячеек выбранной строки. Поэтому, для того, чтобы поддерживать содер­жимое памяти DRAM, достаточно периодически обращаться к каждой ее строке. Обычно эти действия выполняется с помощью специальной схемы, называемой схемой регенерации (Memory Refresh- “освежение” памяти), являющейся обязательным компонентом архитектуры ЭВМ, использующей динамическую память. Заметим однако, что основные действия по регенерации микросхем DRAM осуществляются внутри самих микросхем. Подсистема регенерации должна осуществлять только отсчет интервала регенерации и формировать адреса регенерируемых строк.

Благодаря своей высокой емкости (от 1 до 256 Мбит) и дешевизне, микросхемы DRAM широко используются в запоминающих устройствах ЭВМ. Микросхемы имеют различную организацию, благодаря чему из них можно легко компоновать память требуемой емкости и разрядности.

 

 




Поиск по сайту:

©2015-2020 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.