ОЗУ с произвольным доступом

В оперативных ЗУ с произвольным доступом (RAM) запись или чтение осуществляется по адресу, указанному регистром адреса (РА). Информация, необходимая для осуществления процесса записи - чтения (адрес, данные и управляющие сигналы), поступает из процессора (см. рисунок 3.3). В ЗУ с произвольным доступом, на обращение по любому адресу уходит одно и то же время. Этим RAM-память отличается от запоминающих устройств с после­довательным доступом, таких

Рисунок 3.3 - Структура микросхем RAM

как магнитные ленты. Время доступа последних зависит от адреса (местоположения) данных.

Адрес, поступающий из процессора, фиксируется в регистре адреса РА микросхемы, дешифрируется с помощью ДшА и выбирает нужную ячейку запоминающего массива. По сигналу запись Зп производится запись данных в заданную ячейку памяти, по сигналу чтения Чт - выборка данных. Сигнал выборки ВМ или ВК (CS - Chip Selekt) предназначен для выбора адресуемой микросхемы памяти.

Усилители записи и считывания обеспечивают физический процесс записи - чтения запоминающего элемента массива при выработке соответствующих сигналов блока управления БУП. При чтении содержимое адресованной ячейки памяти через регистр данных поступает на ШД процессора. Если при считывании содержимого ячейки памяти происходит его разрушение, то после выдачи данных на ШД процессора необходимо восстановление (регенерация) содержимого ячейки.

Запоминающий массив RAM содержит множество одинаковых запоминающих элементов статического либо динамического типов. Если запоминающие элементы памяти могут сохранять свое состояние до тех пор, пока на них подано питание (Vпит), то такая память называется статической (SRAM). Возможная реализация запоминающего элемента ячейки памяти на КМОП- транзисторах показана на рисунке 3.4.

Рисунок 3.4 - Схема ячейки памяти на КМОП- транзисторах

Для запоминания одного бита информации в приведенной схеме используется триггер, который образуют транзисторы T3, Т5 и T4, Т6. В состоянии “лог 1” напряжение в точке X будет иметь высокий уровень напряжения за счет того, что тран­зисторы T3 и T6 открыты, а транзисторы Т5 и T4 закрыты. Таким образом, ес­ли транзисторы T1 и T2, управляемые сигналами на линии слова, открыты, то напряжение на линии бита b будет высоким, а на линии бита b' - низким.

Время записи- считывания (доступа) информации современных микросхем статической памяти составляет несколько наносекунд. Поэтому статическая память используется в первую очередь в тех устройствах, где требуется малое время записи- чтения информации.

Статическая RAM является быстродействующей памятью, но ее габариты и стоимость не всегда приемлемы, поскольку каждая ее ячейка, хранящая 1 бит информации, реализуется на 6-ти транзисторах. Поэтому производителями выпускается дешевая память с более простой конструкцией запоминающих элементов. Однако они требуют постоянного обновления записанной информации, поскольку не способны долго сохранять свое состояние. Такая память называется динамической (DRAM- Dynamic RAM). В ячейке динамической памяти (см. рисунок 3.5)

Рисунок 3.5 - Упрощенная схема запоминающего элемента ячейки динамической памяти

информация хранится в виде заряда конденсатора, и этот заряд может сохраняться всего несколько единиц или десятков миллисекунд из-за утечки заряда. Поскольку информация в памяти должна сохраниться все время, в течение которого на память подается напряжение питания, содержимое каждой ячейки динамической памяти должно периодически обновляться путем восстановления заряда конденсаторов запоминающих элементов. Такая операция называется регенерацией информации. Для регенерации информации содержимое ячеек памяти считывается и вновь записывается на прежнее место (см. пунктирную линию на рисунке 3.3).

Поиск по сайту: