Постоянная память, общая информация

Постоянная память является энергонезависимой, информация в ней сохраняется и после выключения питания компьютера.
Существует множество типов энергонезависимой памяти: ROM, PROM, EPROM, EEPROM, Flash Memory, различающихся по своим свойствам, обусловленным способом построения запоминающих ячеек, и сферам применения. Запись информации в энергонезависимую память, называемая программированием, обычно существенно сложнее и требует больших затрат времени и энергии, чем считывание. Основным режимом работы такой памяти является считывание данных, а некоторые типы после программирования допускают только считывание, что и обусловливает их общее название ROM (Read Only Memory - память только для чтения) или ПЗУ (постоянное запоминающее устройство). Самые первые постоянные запоминающие устройства выполнялись на магнитных сердечниках, где информация заносилась их прошивкой проводниками считывания. С тех пор применительно к программированию ПЗУ укоренилось понятие "прошивка".

По возможности программирования различают:

• Микросхемы, программируемые при изготовлении (масочные ПЗУ) - ROM.
• Микросхемы, программируемые однократно после изготовления перед установкой в целевое устройство (прожигаемые ПЗУ, программируемые на специальных программаторах) - PROM (Programmable ROM) или ППЗУ (программируемые ПЗУ).
• Микросхемы, стираемые и программируемые многократно - РПЗУ (репрограммируемые ПЗУ), EPROM (Eraseable PROM - стираемые ПЗУ).

Запоминающие ячейки энергонезависимой памяти обычно несимметричны по своей природе и позволяют записывать только нули (реже - только единицы) в предварительно стертые (чистые) ячейки. Однократно программируемые микросхемы позволяют изменять только исходное (после изготовления) состояние ячеек. Стирание ячеек выполняется либо для всей микросхемы, либо для определенного блока, либо для одной ячейки (байта). Стирание приводит все биты стираемой области в одно состояние (обычно во все единицы, реже - во все нули). Процедура стирания обычно существенно дольше записи. В зависимости от способа стирания различают:

• микросхемы, стираемые ультрафиолетовым облучением, - их обычно называют просто EPROM (Eraseable ROM - стираемые микросхемы) или UV-EPROM (Ultra-Violet EPROM, УФРПЗУ);
• электрически стираемые микросхемы EEPROM (Electrical Eraseable PROM, ЭСПЗУ), в том числе и флэш-память.

Процедура программирования многих типов памяти требует наличия относительно высокого напряжения программирования (12-26 В). Стирание или программирование микросхем может выполняться либо в специальном устройстве - программаторе, либо в самом целевом устройстве, если у него предусмотрены соответствующие средства. Для микросхем, не извлекаемых из целевого устройства (PC), возможны два метода их перепрограммирования:

• используя собственный процессор PC - ISW (In-System Write);
• подключая к плате внешний программатор - OBP (On-Board Programming).

Энергонезависимая память в основном применяется для хранения неизменяемой (или редко изменяемой) информации - системного программного обеспечения (BIOS), таблиц (например, знакогенераторов графических адаптеров), памяти конфигурации устройств. Эта информация обычно является ключевой для функционирования PC, поэтому весьма существенна забота о ее сохранности и предотвращении несанкционированного изменения. Нежелательное (ошибочное или под воздействием вируса) изменение содержимого становится возможным при использовании для хранения BIOS флэш-памяти, программируемой в целевом устройстве (на системной плате PC). Флэш-память используется и в качестве внешней памяти (как альтернатива дисковой), позволяющей как считывать, так и оперативно записывать новые данные.
Важными параметрами энергонезависимой памяти является время хранения и устойчивость к электромагнитным воздействиям, а для перепрограммируемой памяти еще и гарантированное количество циклов перепрограммирования.
Энергонезависимую память, запись в которую производят при регулярной работе, называют NVRAM (Non-Volatile Random Access Memory). Это название подразумевает возможность произвольной смены информации не только во всей ее области, но и в отдельной ячейке или небольшом блоке.
Программирование масочного ПЗУ производится на заводе изготовителе, что очень неудобно для мелких и средних серий производства, не говоря уже о стадии разработки устройства. Естественно, что для крупносерийного производства масочные ПЗУ являются самым дешевым видом ПЗУ. Для мелких и средних серий производства радиоаппаратуры были разработаны микросхемы, которые можно программировать в специальных устройствах - программаторах. В этих микросхемах постоянное соединение проводников в запоминающей матрице заменяется плавкими перемычками, изготовленными из поликристаллического кремния. При производстве микросхемы изготавливаются все перемычки, что эквивалентно записи во все ячейки памяти логических единиц. В процессе программирования на выводы питания и выходы микросхемы подаётся повышенное питание. При этом, если на выход микросхемы подаётся напряжение питания (логическая единица), то через перемычку ток протекать не будет и перемычка останется неповрежденной. Если же на выход микросхемы подать низкий уровень напряжения (присоединить к корпусу), то через перемычку будет протекать ток, который испарит эту перемычку и при последующем считывании информации из этой ячейки будет считываться логический ноль.

Программируемые ПЗУ оказались очень удобны при мелкосерийном и среднесерийном производстве. Однако при разработке радиоэлектронных устройств часто приходится менять записываемую в ПЗУ программу. ППЗУ при этом невозможно использовать повторно, поэтому раз записанное ПЗУ при ошибочной или промежуточной программе приходится выкидывать, что естественно повышает стоимость разработки аппаратуры. Для устранения этого недостатка был разработан еще один вид ПЗУ, который мог бы стираться и программироваться заново.

В оперативных запоминающих устройствах использовались миниатюрные ферритовые сердечники, ферритовые пластины и магнитные пленки с прямоугольной петлей гистерезиса. В качестве внешних запоминающих устройств широко стали использоваться дисковые накопители. Появились еще два уровня запоминающих устройств : сверхоперативные запоминающие устройства на триггерных регистрах, имеющие огромное быстродействие, но небольшую емкость (десятки чисел), и быстродействующая кэш-память. Операционная система поддерживает технологию использования виртуальной памяти.

Поиск по сайту: