Ключевой режим работы полевых транзисторов.

На схеме рис.32а показана также емкость С_Н, на которую нагружена выходная цепь транзистора, которая определяет быстродействие ключа. В эту емкость кроме емкости нагрузки входит также емкость С_СП самого транзистора.

В точке A транзистор заперт, на затвор подано напряжение <U_ПОР, остаточный ток есть обратный ток стокового p-n-перехода при обратном смещении близком к E_C ток I_ост составляет не более 10^-8 – 10^-10А, поэтому падением напряжения I_CR_C можно пренебречь и считать напряжение в этой точке равным E_C

Для отпирания ключа на затвор подается напряжение >U_ПОР. Это напряжение должно быть достаточно большим, чтобы остаточное напряжение было как можно меньше. Тогда рабочий ток открытого ключа (ток насыщения) определяется, как и у биполярного транзистора, внешними элементами схемы:

I_СН=(E_С – U_ост)/R_С ≈ E_С/R_С (74)

Рабочая точка B лежит на начальном, квазилинейном участке характеристики МДП-транзистора. Поэтому U_ост можно найти умножая ток насыщения (73) на сопротивление канала (63):

(75)

Переходные процессы.

Инерционность МДП-транзисторных ключей обусловлена главным образом перезарядом емкостей, входящих в состав комплексной нагрузки. Инерционность канала, характеризуемую постоянной времени t_S (70), при необходимости можно учесть складывая t_S с постоянной времени перезаряда емкостей.

Пусть в исходном состоянии транзистор открыт и на нем падает небольшое остаточное напряжение. При поступлении запирающего напряжения ток в транзисторе уменьшается до нуля с весьма малой постоянной времени t_S – практически мгновенно. После запирания транзистора емкость С_Н заряжается от источника питания E_C через резистор R_C с постоянной времени τ_С = R_C С_Н. Процесс заряда описывается простейшей экспоненциальной функцией:

Длительность фронта напряжения на уровне 0,9 E_C составляет

t_ф = 2,3 R_CC_Н (76)

Заменив сопротивление R_C отношением E_C /I_СН, можно записать (76) в более общем виде:

t_ф = 2,3 (E_C C_Н /I_СН)(76а)

Отпирание ключа и формирование среза импульса напряжения протекает несколько сложнее. После подачи отпирающего сигнала ток I_C практически мгновенно (с постоянной времени t_S) достигает значения, определяемого формулой (64):

Этим током начинает разряжаться емкость С_Н, содержащая заряд
Q=E_C C_Н. По мере разряда емкости напряжение на стоке U_C уменьшается. До тех пор, пока оно остается больше напряжения насыщения U_НАС= -U_ПОР, транзистор работает на пологом участке характеристики и ток сохраняет значение I_C(0). Если бы это значение тока сохранялось в течении всего процесса разряда емкость С_Н разрядилась бы за время . Это значение меньше длительности среза.

Когда напряжение U_C становится меньше U_НАС, ток I_C начинает падать, стремясь в пределе к значению I_СН. Если считать, что ток разряда уменьшается пропорционально напряжению: I_C/R_ср, где R_ср=E_C/I_C(0)– среднее сопротивление в период разряда, мы получим обычный экспоненциальный разряд с постоянной времени t= R_ср C_Н. Тогда длительность разряда составит

, что, очевидно, больше длительности среза.

Для расчетов принята приближенная формула

t_c=1,5[E_CC_Н / I_C(0)] (77)

Длительность среза положительного импульса оказывается значительно меньше длительности фронта.

Переходные процессы в МДП-транзисторном ключе показаны на рис.33.

Поиск по сайту: