Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

ИССЛЕДОВАНИЕ ЧАСТОТНЫХ СВОЙСТВ



ТРАНЗИСТОРОВ

Распечатанный протокол заготовки отчета должен содержать титульный лист и пункты №1, 3, 4, 5. методических указаний.

Цель работы

Исследовать влияние частоты сигнала на дифференциальные параметры транзисторов.

Подготовка к работе

2.1 Изучить следующие вопросы курса.

2.1.1 Факторы, влияющие на частотные свойства биполярных транзисторов.

2.1.2 Зависимости коэффициентов передачи тока от частоты для схем включения с ОБ и ОЭ. Частотные параметры.

2.1.3 Зависимости входного и выходного сопротивлений БТ от частоты для различных схем включения БТ.

2.1.4 Зависимость коэффициента обратной связи от частоты для различных схем включения БТ.

2.1.5 Эквивалентные схемы БТ для схем включения ОБ и ОЭ на высоких частотах.

2.1.6 Факторы, влияющие на частотные свойства ПТ.

2.1.7 Эквивалентная схема ПТ на высоких частотах.

2.1.8 Зависимость крутизны ПТ от частоты.

2.1.9 Основные методы улучшения частотных свойств БТ и ПТ.

2.1.10 Дрейфовый БТ, особенности его устройства и работы.

2.2 Ответить на следующие контрольные вопросы.

2.2.1 Какие факторы влияют на частотные свойства БТ?

2.2.2 Изобразить векторную диаграмму токов и напряжений БТ и пояснить ее изменение с увеличением частоты.

2.2.3 Каков характер зависимости коэффициентов передачи тока БТ от частоты?

2.2.4 Дать определение предельным, граничной и максимальной частот усиления БТ.

2.2.5 В какой схеме включения БТ (ОБ или ОЭ) выше предельная частота усиления по току, во сколько раз и почему?

2.2.6 Какой из переходов БТ оказывает большее влияние на частотные свойства и почему?

2.2.7 Как изменяются входное и выходное сопротивления БТ для различных схем включения от частоты?

2.2.8 Изобразить эквивалентную схему БТ на высоких частотах для схем с ОБ и ОЭ.

2.2.9 Какими способами можно улучшить частотные свойства БТ?

2.2.10 В чем особенности устройства дрейфового БТ?

2.2.11 Каким образом улучшены частотные свойства в дрейфовом БТ ?

2.2.12 Какие факторы влияют на частотные свойства ПТ?

2.2.13 Привести и объяснить график зависимости модуля крутизны ПТ от частоты.

2.2.14 Дать определение предельной и максимальной частот ПТ.

2.2.15 Привести и пояснить эквивалентную схему ПТ на высоких частотах.

2.2.16 Какие существуют методы улучшения частотных свойств ПТ?

Литература

1 Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. Под редакцией Федорова Н.Д. -М: Радио и связь, 1998. Стр. 104-119.

2 Электронные приборы. Под редакцией Шишкина Г.Г. -М.: Энергоатомиздат, 1989. Стр.185-190.

3 Батушев В.А. Электронные приборы. -М.: Высшая школа, 1980. Стр.134-148.

4 Транзисторы для широкого применения: Справочник. Под редакцией Перельмана Б. П. -М.: Радио и связь, 1981.

5 Конспект лекций.

Схемы исследования

Исследование параметров биполярного транзистора в зависимости от частоты для схемы включения с ОБ показано на рисунке 3.1. Питание схемы осуществляется от источника постоянного напряжения UКБ. Режим транзистора по постоянному току задается входным током IЭ0.

Для измерения параметров Н21Б и Н11Б транзистора в его входную цепь подается синусоидальный переменный ток IЭ~ от источника тока. С помощью вольтметра переменного тока UЭБ~ производится измерение напряжения на входе. Миллиамперметр измеряет переменный ток в цепи коллектора IК~.

Модуль коэффициента передачи тока эмиттера определяется как

½H21Б½= × (1)

Короткое замыкание по переменному току на выходе UКБ~=0 обеспечивается малым выходным сопротивлением источника UКБ.

Измерив входное переменное напряжение UЭБ~, определим входное сопротивление

½Н11Б½= × (2)

Рисунок 3.1

 

Производя измерение коэффициента передачи тока транзистора и входного сопротивления на различных частотах, получим зависимости

½H21Б½= =F(f) и ½Н11Б½=F(f). (3)

Для измерения параметров ½Н21Э½=½b½ и ½Н11Э½ в схеме с общим эмиттером используется схема, приведенная на рисунке 3.2.

Рисунок 3.2

Модуль коэффициента передачи тока базы

½H21Э½= × (4)

Измерив входное переменное напряжение UБЭ~, определим входное сопротивление

½Н11Э½= × (5)

Производя измерение коэффициента передачи тока транзистора и входного сопротивления на различных частотах, получим зависимости

½H21Э½= =F(f) и ½Н11Э½=F(f). (6)

Измерение фазового угла коэффициента передачи тока базы производится с помощью осциллографа. На вход А осциллографа подается напряжение пропорциональное входному току (рисунок 3.3). На вход В осциллографа подается напряжение с коллектора транзистора UКЭ, которое пропорционально выходному току.

 

Рисунок 3.3

Рисунок 3.4

 

Определение угла фазового сдвига производится следующим образом. Определяется период колебаний Т (рисунок 3.4), определяется сдвиг по фазе t,

затем по формуле (7) определяется сдвиг между входным и выходным сигналами в градусах.

 

 




Поиск по сайту:

©2015-2020 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.