6.1 Паспортные данные и схему расположения выводов исследуемого транзистора.
6.2 Схемы исследований транзистора.
6.3 График передаточной характеристики.
6.4 Семейство выходных характеристик.
6.5 График зависимости сопротивления канала от управляющего напряжения.
6.6 По передаточной характеристике определить основные статические параметры ПТ: IC0 (соответствующее UЗИ=0), UЗИ ОТС, S . Значение крутизны определить по формуле:
½UСИ=const.
Сравнить полученное значение параметра S с паспортным значением S ПТ данного типа.
6.7 Учитывая взаимосвязь параметров ПТ, в соответствии с которой крутизна ПТ в пологой области выходных характеристик при одинаковых напряжениях на затворе связана с RСИ в омической области по формуле
RСИ= 1/S. Определить RСИ при UЗИ=0.
Сравнить полученное значение сопротивления RСИ с определенным экспериментально в п.5.5 при UЗИ=0.
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых МДП транзисторов.
В работе снимаются характеристики прямой передачи (сток - затворные) и выходные (стоковые) характеристики, а также определяются основные параметры транзистора.
Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Устройство, назначение, принцип действия ПТ разных структур.
2.1.2 Статические характеристики и параметры режима МДП ПТ.
2.1.3 Дифференциальные параметры ПТ их измерение и определение по характеристикам.
2.2 Ответить на следующие контрольные вопросы:
2.2.1 Объяснить устройство полевых транзисторов с индуцированным и встроенным каналами.
2.2.2 Нарисовать обозначение полевых транзисторов разных типов и структур.
2.2.3 Объяснить принцип действия полевых транзисторов с индуцированным и встроенным каналами.
2.2.4 Изобразить и объяснить вид передаточных и выходных характеристик
2.2.5 Объяснить определение дифференциальных параметров по статическим характеристикам ПТ.
2.2.6 Нарисовать схемы для исследования статических характеристик полевых транзисторов различных типов с каналом типа «p» и «n».
2.2.7 Дать определение предельным эксплуатационным параметрам ПТ.
2.2.8 Пояснить влияние температуры на работу ПТ, его статические характеристики и параметры.
Литература
1. Бобровский Ю. Л. И др. Под редакцией Федорова Н.Д. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. -М: Радио и связь, 1998. Стр.146-156, 166-176, 184-185.
2. Дулин В.Н. и др. Под редакцией Шишкина Г.Г. Электронные приборы. -М.: Энергоатомиздат, 1989. Стр. 205-224, 235-245 (выборочно).
3. Батушев В. А. Электронные приборы. -М.: Высшая школа, 1980. Стр. 183-211 (выборочно).
4. Дулин В. Н. Электронные приборы. -М.: Энергия, 1977. Стр. 342-357 (выборочно).
5. Конспект лекций.
Схемы исследования
На рисунке 1 приведена схема для снятия статических характеристик полевого транзистора. Полярность источников питания и измерительных приборов соответствует типовому включению МДП ПТ со встроенным каналом n-типа, работающему в режиме обеднения. Для работы МДП-транзистора со встроенным каналом в режиме обогащения необходимо поменять полярность источника G1 на противоположную.
Рисунок 1-Схема для исследования статических характеристик МДП
ПТ со встроенным каналом.
На рисунке 2 приведена схема исследования МДП ПТ с индуцированным каналом р-типа.
Рисунок 2 -Схема для исследования статических характеристик МДП
ПТ с индуцированным каналом.
К входу ПТ (участок затвор-исток) прикладывается управляющее напряжение UЗИ от источника напряжения G1. К выходу ПТ (участок сток-исток) прикладывается напряжение UCИ от источника постоянного напряжения G2. Ток стока измеряется миллиамперметром постоянного тока.
На рисунке 3 приведены схемы для определения крутизны на переменном токе при различных значениях управляющего напряжения UЗИ для выше исследуемых транзисторов. Для этого на входе включается генератор переменного тока. Миллиамперметр необходимо перевести с режима измерения постоянного тока на режим переменного тока.
а)
б)
Рисунок 3 - Схемы для определения крутизны в зависимости от