Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

Задание к работе в лаборатории. 4.1 Записать паспортные данные исследуемого транзистора согласно заданному варианту.



4.1 Записать паспортные данные исследуемого транзистора согласно заданному варианту.

4.2 Собрать схему, представленную на рисунке 1, для исследования транзистора со встроенным каналом в режиме обеднения.

4.3 Для транзистора со встроенным каналом снять характеристику прямой передачи IC=F(U) при UCИ=10В и определить напряжение отсечки UЗИ0 . Напряжение U3И ОТС (как условно принято на заводах-изготовителях для маломощных транзисторов) соответствует определенному току стока, для данного транзистора он равен 10мкА

 

Результаты измерений занести в таблицу 1.

Таблица 1- IC = F(U)½ UCИ = const

Тип транзистора UСИ=10 В UЗИ0 =  
UЗИ, В            
IС , мА              
  Обеднение Обогащение  
                     

 

4.3 Снять три выходные (стоковые) характеристики транзистора в режиме обеднения, при значениях напряжения на затворе UЗИ 1= 0,

UЗИ 2 » 0,25 × UЗИ ОТС и UЗИ 3 » 0,5 × UЗИ ОТС. Результаты измерений занести в таблицу 2.

4.5 Снять характеристику прямой передачи в области обогащения. Для этого поменять полярность источника G1. Характеристику снимать до тех пор, пока ток стока не достигнет 15 мА. Результаты измерений дополнить в таблицу 1.

4.6 Снять стоковые характеристики транзистора при двух значениях напряжения на затворе UЗИ в режиме обогащения, при UЗИ 4» 0,25 × UЗИ ОТС и UЗИ 5 » 0,5 × UЗИ ОТС.

4.7 Результаты измерений занести в таблицу 2.

 

Таблица 2 IC=F(UСИ) ½ UЗИ=const

Тип транзистора
  UСИ 0,5
UЗИ 1                    
UЗИ 2                    
UЗИ 3 IС, мА                  
UЗИ 4                    
UЗИ 5                    

 

4.8 По результатам измерений построить семейство выходных характеристик.

4.9 Собрать схему для исследования р-канального транзистора с индуцированным каналом (рисунок 2).

4.10 Снять характеристику прямой передачи для транзистора с индуцированным каналом и определить пороговое напряжение U3И ПОР, соответствующее току стока 10 мкА. Характеристику снимать до тех пор, пока ток стока не достигнет 15 мА. Результаты измерений занести в таблицу 3 аналогичную таблице 1.

4.11 По результатам измерений построить характеристику прямой передачи.

4.12 Снять выходные характеристики при трех значениях напряжения на затворе UЗИ в режиме обогащения транзистора с индуцированным каналом при UЗИ 1=1,25 U3И ПОР, UЗИ 2= 1,5 U3И ПОР и UЗИ 3= 1,75 U3И ПОР.

Результаты измерений внести в таблицу 4, аналогичную таблице 2.

4.13 Исследовать зависимость крутизны от постоянного напряжения на затворе для транзистора со встроенным каналом. Собрать схему, представленную на рисунке 3а. Установить напряжение источника G2 UСИ = 10 В. Частоту генератора переменного тока UГ~ f=1кГц и выходное напряжение генератора 100 мВ. Миллиамперметр перевести в режим измерения переменного тока.

4.14 При тех же напряжениях на затворе, что и при измерении выходных характеристик, провести измерение переменного тока стока. Результаты занести в таблицу 5. Вычислить крутизну по формуле (1).

 

Таблица 5.

UЗИ, В          
IС~, мA          
S, мА/В          

 

4.15 Исследовать зависимость крутизны от постоянного напряжения на затворе для транзистора с индуцированным каналом. Собрать схему, представленную на рисунке 3б. Установить напряжение источника G2 UСИ = 10 В. Частоту генератора переменного тока UГ~ f = 1кГц и выходное напряжение генератора 100 мВ. Миллиамперметр перевести в режим измерения переменного тока.

4.16 При тех же напряжениях на затворе, что и при измерении стоковых характеристик, провести измерение переменного тока стока. Результаты занести в таблицу 6. Вычислить крутизну по формуле (1).

Таблица 6.

UЗИ, В      
IС~, мA      
S, мА/В      

Указания к составлению отчета

Отчет должен содержать:

5.1 Схемы исследований транзистора.

5.2 Таблицы и графики передаточной характеристики.

5.3 Таблицы и графики выходных характеристик.

5.4 Таблицы и графики зависимости

5.5 крутизны для различных значений управляющего напряжения.

Приложение А

№ варианта
ПТ со встр канал КР305А КР 305B КР 305 D КР 305 E КР 305G КР 305I
ПТ с индуц канал КР301А КР301 B КР301 D КР301 E КР301 G КР301 I
№ варианта
ПТ со встр канал КР 305J КР 305K КР 305 V КР305 Z КР313А КР313B
ПТ с индуц канал КР301 J КР301 K КР301 V КР301 Z КР304 А КР304 B
№ варианта
ПТ со встр канал КР313D КР313E КР313G КР313I КР313J КР313K
ПТ с индуц канал КР304 D КР304 E КР304 G КР304 I КР304 J КР304 K
№ варианта  
ПТ со встр канал КР313V КР313Z        
ПТ с индуц канал КР304 V КР304 Z        
№ варианта
ПТ со встр канал            
ПТ с индуц канал            

Работа №5. ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК

 




Поиск по сайту:

©2015-2020 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.