Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

Биполярные транзисторы с изолированным затвором



В настоящее время широкое применение получили биполярные IGBT. Это биполярные транзисторы с изолированным затвором выполнены как сочетание входного униполярного (полевого) транзистора с изолированным затвором и выходного биполярного п-р-п- транзистора.

При изготовлении полевых транзисторов с изолированным затвором образуется паразитный биполярный транзистор, который не находит практического применения. Полное изображение такого транзистора приведено на рис.1.24.

 

Рис. 1.24. Схема биполярного транзистора с изолированным затвором

 

На этой схеме VT-полевой транзистор с изолированным затвором, VT1-паразитный биполярный транзистор, R1-последовательное сопротивление канала полевого транзистора, R2-сопротивление шунтирующего перехода база-эмиттер биполярного транзистора VT1. Благодаря сопротивлению R2 биполярный транзистор заперт и не оказывает существенного влияния на работу полевого транзистора VT..Структура транзистора IGBT дополнена еще одним р-п- переходом, благодаря которому в схеме замещения рис. 1.24. появляется еще один р-п-р транзистор VT2. Образовавшаяся структура из двух транзисторов VT1, VT2 имеет глубокую внутреннюю положительную обратную связь, так как ток коллектора транзистора VT2 влияет на ток базы VT1.

Рис.1.25. Схема IGBT-транзистора

Выходные характеристики IGBT-транзисторов аналогичны выходным характеристикам обычных биполярных транзисторов. Условное изображение такого транзистора

 

Необходимо отметить, что в силовых цепях преобразователей в настоящее время преимущественно используются IGBT – транзисторы. Основным недостатком таких транзисторов является высокие значения падения напряжения на открытом транзисторе. Однако, в последние годы это напряжение удалось снизить с 4 до 1,2В. Силовые полупроводниковые приборы часто изготовляются в виде модулей, которые в одном пластмассовом корпусе содержат несколько управляемых или неуправляемых вентилей

 

 

 

Тиристоры

Тиристор-это многослойный (4-х слойный), на основе Р-П структуры управляемый полупроводниковый прибор, способный под действием сигнала управления переходить из закрытого (непроводящего) состояния в открытое (проводящее). В зависимости от расположения управляющего электрода (УЭ) тиристоры делятся на тиристоры с катодным управлением и тиристоры с анодным управлением.

 




Поиск по сайту:

©2015-2020 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.