Если полевой транзистор включен по схеме с общим истоком (ОИ), то связь токов и напряжений могут быть охарактеризованы следующими ВАХ:
Обычно применяются две последние характеристики.
Типичное семейство выходных ВАХ полевого транзистора с n-p- переходом показано на рис 1.2. На выходных ВАХ можно выделить три области.
рис. 1.2. рис. 1.3
Область I. 0<Uси <Uси.нас. Это крутой или омический участок. Ток Ic почти линейно увеличивается с ростом напряжения на стоке. В этой области транзистор может быть использован как омическое, управляемое входным напряжением, сопротивление. Далее линейная зависимость между Uси ток Ic нарушается, так как уменьшается сечение канала и увеличивается его сопротивление.
Область 2. Uси.нас <Uси< Uси.мах. Это область насыщения. При Uси =U си.нас происходит смыкание проводящей части канала у стока. После чего рост тока стока Ic практически прекращается и его величина почти не зависит от напряжения, так как увеличение напряжения на стоке, с одной стороны, вызывает увеличение тока стока, с другой — сужение канала, что, в свою очередь, уменьшает ток. Напряжение на стоке, при котором возникает этот режим, называется напряжением насыщения Uси нас.
Область 3. Uси > Uси.мах. Это область пробоя транзистора. Увеличение напряжения на стоке выше определенной величины приводит к электрическому пробою р-n- перехода у стокового конца канала, так как в этой части прибора к р- n-переходу приложено наибольшее обратное напряжение.
При напряжении Uзи=0 напряжение насыщения равно напряжению отсечки. Можно показать, что при положительных напряжениях на затворе напряжение насыщения определяется по формуле
1.1.
В выходных ВАХ кривая, соединяющая точки, соответствующие значениям Uси нас при разных значениях Uзи, является параболой, выходящей из начала координат (пунктирная линия на рис. 5.3).
Если управляющий р -n переход смеcтить в прямом направлении, ток стока увеличится. При этом резко возрастает входная проводимость прибора. Такой режим на практике не используют. Это не рабочий режим работы.
Передаточная ВАХ (стоко-затворная характеристика) (рис. 1.3) может быть легко получена из семейства выходных характеристик, если при фиксированном напряжении Uси отмечать величину напряжения Uзи и соответствующие ему значения Ic. Изменение напряжения Uси в пределах области насыщения мало влияет на поведение стокозатворной характеристики.
Схемы включения и параметры полевых транзисторов.В зависимости от того, какой из электродов полевого транзистора в усилительной схеме является общим для входной и выходной цепей, используются схемы с общим затвором (ОЗ), с общим истоком (ОИ) и общим стоком (ОС). Наиболее распространенной является схема с ОИ, аналогичная схеме включения биполярного транзистора с ОЭ. Схема с общим стоком (истоковый повторитель) аналогична эмиттерному повторителю.
На практике питание схем осуществляется от одного общего источника напряжения. При подаче питания на полевые транзисторы с управляющим p-n переходом, для которых стоковое напряжение и напряжение на затворе должны быть разного знака, необходимое напряжение на затворе может быть создано с помощью цепочки автоматического смещения RиСи, включенной в цепь истока (рис.4.14).
У полевых транзисторов с индуцированным каналом, у которых стоковое напряжение и напряжение на затворе имеют одинаковую полярность, смещение на затвор подается обычно с помощью делителя напряжений R1 и R3 (рис.4.15).
с ОИ транзистора с управляющим с ОИ МДП-транзистора
p-n переходом и каналом n-типа с индуцированным каналом n-типа
Полевые транзисторы со встроенным каналом, так как они не нуждаются в дополнительном питании цепи затвора по постоянному току, могут работать при смещении Uзи=0, что выгодно отличает их от других усилительных приборов.