RC-цепь — электрическая цепь, состоящая из конденсатора и резистора. Её можно рассматривать как делитель напряжения с одним из плеч, обладающих ёмкостным сопротивлением переменному току.
Коэффициент передачи
Интегрирующая RC-цепочка (рис 2) Диффер-ая рис 1
Анализируем RC-цепочку. Применяется как:
1. фильтр частот
Пассивный фильтр
Пассивным электрическим фильтром называется электрическая цепь, предназначенная для выделения определенной полосы частот из сигнала, поступающего на его вход.
Фильтр верхних частот (затухание сигнала)
RC-цепь + ОУ(не даёт затух.сигн,стабильн,коэф пропускания ,усил сигнал
Активный фильтр-менять избирательность фильтра.
Фильтр нижних частот
Коэф передачи
Дифференцирующей цепью называют линейный четырехполюсник, у которого выходное напряжение пропорционально производной входного напряжения. Принципиальная схема дифференцирующей rC-цепи приведена на рис. 5.13, а. Выходное напряжение uвых снимается с резистора r. По второму закону Кирхгофа
uвх = ur + uC= ri +
∫i dt.
C
Так как uвых= ri, то uвх = uвых +
∫uвыхdt, или
rС
duвх
=
duвых
+
uвых.
dt
dt
rC
Параметры rC-цепи выбираются так, чтобы ее постоянная времени τ = Cr была достаточно мала. В этом случае
duвых
<<
uвых , .
duвх
≈
uвых ,
dt
rC
dt
rC
а следовательно,
uвых = rC
duвх
.
dt
Интегрирующей цепью называют линейный четырехполюсник, выходное напряжение которого пропорционально интегралу входного напряжения. Схема интегрирующей rC-цепи показана на рас. 5.14, a. Выходное напряжение снимается с конденсатора С. Исходным остается уравнение (5.2).
Однако в этом случае uвых =
∫ i dt, а так как i = Cduвых /dt , то
С
uвх = rC
duвых
+ uвых.
dt
Параметры rC-цепи подобраны так, что rC duвых/dt >> uвых , а следовательно,
uвх≈ rC duвых /dt,
Или uвых =
∫uвхdt.
rС
Основные свойства и характеристики п/п. Собственная и примесная проводимость. Зонная энергетическая диаграмма. Уровень Ферми. Генерация и рекомбинация носителей. Время жизни и диффузионная длина. Диффузия и дрейф.
По электрическому сопротивлению полупроводники занимают промежуточное место между проводниками и изоляторами. Полупроводниковые диоды и триоды имеют ряд преимуществ: малый вес и размеры, значительно больший срок службы, большую механическую прочность.
Рассмотрим основные свойства и характеристики полупроводников. В отношении их электрической проводимости полупроводники разделяются на два типа: с электронной проводимостью и с дырочной проводимостью.
Полупроводники с электронной проводимостью имеют так называемые «свободные» электроны, которые слабо связаны с ядрами атомов. Если к этому полупроводнику приложить разность потенциалов, то «свободные» электроны будут двигаться поступательно – в определенном направлении, создавая, таким образом, электрический ток. Поскольку в этих типах полупроводников электрический ток представляет собой перемещение отрицательно заряженных частиц, они получили название проводников типа п(от слова negative — отрицательный).
Полупроводники с дырочной проводимостью называются полупроводниками типа р (от слова positive — положительный). Прохождение электрического тока в этих типах полупроводников можно рассматривать как перемещение положительных зарядов. В полупроводниках с р-проводимостью нет свободных электронов; если атом полупроводника под влиянием каких-либо причин потеряет один электрон, то он будет заряжен положительно.
Отсутствие одного электрона в атоме, вызывающее положительный заряд атома полупроводника, назвали дыркой (это значит, что образовалось свободное место в атоме). Теория и опыт показывают, что дырки ведут себя как элементарные положительные заряды.
Дырочная проводимость состоит в том, что под влиянием приложенной разности потенциалов перемещаются дырки, что равносильно перемещению положительных зарядов. В действительности, при дырочной проводимости происходит следующее. Предположим, что имеются два атома, один из которых снабжен дыркой (отсутствует один электрон на внешней орбите), а другой находящийся справа, имеет все электроны на своих местах (назовем его нейтральным атомом). Если к полупроводнику приложена разность потенциалов, то под влиянием электрического поля электрон из нейтрального атома, у которого все электроны на своих местах, переместится влево на атом, снабженный дыркой. Благодаря этому атом, имевший дырку, становится нейтральным, а дырка переместилась вправо на атом, с которого ушел электрон. В полупроводниковых приборах процесс «заполнения» дырки свободным электроном называется рекомбинацией. В результате рекомбинации исчезает и свободный электрон, и дырка, а создается нейтральный атом. И так, перемещение дырок происходит в направлении, противоположном движению электронов.
В абсолютно чистом (собственном) полупроводнике под действием тепла или света электроны и дырки рождаются парами, поэтому число электронов и дырок в собственном полупроводнике одинаково.
Для создания полупроводников с резко выраженными концентрациями электронов или дырок чистые полупроводники снабжают примесями, образуяпримесные полупроводники. Примеси бывают донорные,дающие электроны, и акцепторные, образующие дырки (т. е. отрывающие электроны от атомов). Следовательно, в полупроводнике с донорной примесью проводимость будет преимущественно электронной, или n – проводимостью. В этих полупроводниках основными носителями зарядов являются электроны, а неосновными – дырки. В полупроводнике с акцепторной примесью, наоборот, основными носителями зарядов являются дырки, а неосновными – электроны; это – полупроводники ; с р-проводимостью.
Основными материалами для изготовления полупроводниковых диодов и триодов служат германий и кремний; по отношению к ним донорами являются сурьма, фосфор, мышьяк; акцепторами – индий, галлий, алюминий, бор.
Примеси, которые обычно добавляются в кристаллический полупроводник, резко изменяют физическую картину прохождения электрического тока.
При образовании полупроводника с n-проводимостью в полупроводник добавляется донорная примесь: например, в полупроводник германий добавляется примесь сурьмы. Атомы сурьмы, являющиеся донорными, сообщают германию много «свободных» электронов, заряжаясь при этом положительно.
Таким образом, в полупроводнике n-проводимости, образованного примесью, имеются следующие виды электрических зарядов:
1 -подвижные отрицательные заряды (электроны), являющиеся основными носителями (как от донорной примеси, так и от собственной проводимости);
2 -подвижные положительные заряды (дырки) – неосновные носители, возникшие от собственной проводимости;
При образовании полупроводника с р-проводимостью в полупроводник добавляется акцепторная примесь: например, в полупроводник германий добавляется примесь индия. Атомы индия являющиеся акцепторными, отрывают от атомов германия электроны, образуя дырки. Сами атомы индия при этом заряжаются отрицательно.
Следовательно, в полупроводнике р-проводимости имеются следующие виды электрических зарядов:
1 -подвижные положительные заряды (дырки) – основные носители, возникшие от акцепторной примеси и от собственной проводимости;
2 -подвижные отрицательные заряды (электроны) – неосновные носители, возникшие от собственной проводимости;
На рис. 1 показаны пластинки р-германия (а) и n-германия (б) с расположением электрических зарядов.
Собственная проводимость полупроводников. Собственным полупроводником,или же полупроводником i-типа называется идеально химически чистый полупроводник с однородной кристаллической решёткой. Ge Si
Кристаллическая структура полупроводника на плоскости может быть определена следующим образом.
Рис. 9
Если электрон получил энергию, большую ширины запрещённой зоны, он разрывает ковалентную связь и становится свободным. На его месте образуется вакансия, которая имеет 4-хвалентный
положительный заряд, равный по величине заряду электрона и называется дыркой. В полупроводнике i-типа концентрация электронов ni равна концентрации дырок pi. То есть ni=pi.
Процесс образования пары зарядов электрон и дырка называется генерацией заряда.
Свободный электрон может занимать место дырки, восстанавливая ковалентную связь и при этом излучая избыток энергии. Такой процесс называется рекомбинацией зарядов. В процессе рекомбинации и генерации зарядов дырка как бы движется в обратную сторону от направления движения электронов, поэтому дырку принято считать подвижным положительным носителем заряда. Дырки и свободные электроны, образующиеся в результате генерации носителей заряда, называются собственными носителями заряда, а проводимость полупроводника за счёт собственных носителей заряда называется собственной проводимостью проводника.
2) Примесная проводимость проводников.
Так как у полупроводников i-типа проводимость существенно зависит от внешних условий, в
Полупроводниковых приборах применяются примесные полупроводники.
Если в полупроводник ввести пятивалентную примесь, то 4 валентных электрона восстанавливают ковалентные связи с атомами полупроводника, а пятый электрон остаётся свободным. За счёт этого концентрация свободных электронов будет превышать концентрацию дырок. Примесь, за счёт которой ni>pi, называется донорной примесью.
Полупроводник, у которого ni>pi, называется полупроводником с электронным типом
проводимости, или полупроводником n-типа.
В полупроводнике n-типа электроны называются основными носителями заряда, а дырки– неосновными носителями заряда.
При введении трёхвалентной примеси три её валентных электрона восстанавливают ковалентную связь с атомами полупроводника, а четвёртая ковалентная связь оказывается не восстановленной, т. е. имеет место дырка.
В результатеэтогоконцентрациядырокбудетбольшекон-центрацииэлектронов.
Примесь, при которой pi>ni, называется акцепторной примесью.
Полупроводник, у которого pi>ni, называется полупроводником с дырочным типом
проводимости, или полупроводником p-типа.
В полупроводнике p-типа дырки называются основными носителями заряда, а электроны– неосновными носителями заряда.