Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

Методи виготовлення тонких плівок. Методи визначення структури та складу тонких плівок. Ільченко В. В



 

Методи контролю складу плівок (фактично чистоти поверхні плівок) поділяються на руйнівні та неруйнівні.

До неруйнівних відносять:

1) опромінення рентгеном (дасть структуру, дифракційні картинки)

2) дифракція повільних електронів (структура поверхні)

3) растрова електронна мікроскопія (не дасть структуру, але дасть морфологію – мале/велике зерно)

4) електронна мікроскопія на відбиття

5) електронна мікроскопія на проходження (зразок має бути настільки тонкий, щоб промінь його пройшов, і тоді можна визначити структуру дифракцією швидких електронів)

6)Метод контактної різниці потенціалів (все, що адсорбується на поверхні – змінює Авих)

7) Трибонометричний метод (вимірювння коефіцієнту тертя, і визначення за його величиною рівня забрудненості поверхні)

8) Контроль крайового кута змочування (5-7º - чистий кремній, 15-20 – залишкові ...)

9) атомна силова мікроскопія

10) скануюча тунельна мікроскопія (6) і 7)можуть дати інформацію про профіль – як нанесені плівки)

Коли на підкладинку потрапляє електронний промінь певної енергії, він призводить до появи характеристичного рентгенівського випромінювання, а оскільки рентгенівські спектри характерні для кожного елемента, можна визначити хімічний склад плівки.

Руйнівні методи передбачають здійснення пошарового досліження плівки. Може відбуватись різними способами:

· Досліджений шар стравлюють, наприклад Ar+, і вивчають наступний шар методами оже електронної спектроскопії або фотоелектронної спектроскопія. А все те, що було стравлене за допомогою Ar+ запускається до масс-спектрометра і здійснюється його вивчення шляхом вторинної йонної спектроскопії та спектрометрії. АЛЕ пучок, яким опромінюється поверхня, повинен мати меншу площу перерізу, ніж розміри витравленої області

· так зване стоп травлення (використання травників, що діють лише, наприклад, на n-області, а р не травлять, чи навпаки)

коли необхідно знати розподіл концентрації в р області, наприклад. Рідинним травленням робиться клин і з кроком вивчається структура. Цей метод потужний, але має погану чутливість (порядку мкм).

Контроль за допомогою растрового-тунельного мікроскопа:

На поверхні буде створюватися растр (набір плям).

Д – детектор вторинних електронів. На Д буде створюватися растр.

Є два види контрасту: z-контраст і топографічний контраст.

z-контраст : z1 < z2 – елементи на гладкій поверхні з відповідними атомними номерами. Коли промінь потрапляє на межу, то на екрані буде більша яскравість.

Топографічний контраст:

Чим більший кут падіння, тим більше вторинних електронів. Коефіцієнт вторинної емісії:

Щоб визначити тип контрасту потрібно міняти кут падіння. Якщо картинка міняється (інвертовано) яскравість, то маємо топографічний контраст.

Білет №5

 




Поиск по сайту:

©2015-2020 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.