Принцип работы полупроводниковых ОУ основан на явлении стимулированного излучения. Оптическое усиление возможно при условии создания инверсной населенности (избытка электронов в зоне проводимости) за счет накачки, роль которой играет инжекция тока в полупроводник. Входной сигнал - источник первичных фотонов переводит электроны возбуждённых атомов с верхнего уровня на нижний, где электрон и дырка рекомбинируют, вызывая появление вторичных фотонов. Если один первичный фотон вызывает эмиссию K вторичных фотонов, возникает K-кратное оптическое усиление.
Полупроводниковые усилители ППЛУ строятся в основном по двум схемам:
Второй тип ОУ отличается наличием обратной связи (ОС), обеспечивающей многократную процедуру усиления.
Если усиление осуществляется за один проход (ОС отсутствует), то ОУ называется усилителем бегущей волны (УБВ). На входном и выходном торцах такого усилителя (полупроводникового блока длиной L) формируются грани с антиотражающим покрытием (см. рисунок 3.42), чтобы минимизировать отраженный луч.
Усилители бегущей волны УБВ могут быть реализованы с достаточно большим коэффициентом усилением (около 30 дБ) при широкой полосе усиливаемых частот (около 5-10 ТГц). Для этого необходимо подавление возможных отражений фотонов от торцов (отражение менее 0.1%). Это достигается нанесением на торцы специального покрытия толщиной l/4 с согласованным показателем преломления. Ток накачки в УБВ выбирается выше порогового.
В резонансных усилителях, (рисунок 3.44) наоборот, применяется оптическая обратная связь ООС, для создания которой используется оптический резонатор. Им может быть, например, резонатор Фабри-Перо - пара параллельных полупрозрачных зеркал, закрепляемых на входе и выходе усилителя, между которыми в процессе многократного отражения оптической волны и происходит усиление интенсивности оптического сигнала (за счет преобразования энергии накачки в энергию сигнала) до величины, достаточной для выхода оптического луча за пределы резонатора. Такой ОУ называется усилителем (с резонатором) Фабри-Перо - УФП (FPA). В резонансных усилителях эффект усиления и отсутствие лазерной генерации обеспечивается за счёт того, что величина тока накачки в рабочем режиме выбирается близкой, но всё-таки ниже порогового тока.
Резонансный усилитель Фабри–Перо имеет слишком узкую полосу усиления (менее 10 ГГц) и мало пригоден для ВОСП (рисунок 3.45).
Светоизлучающий активный слой ППЛУ имеет поперечный размер несколько микрон, но толщину в пределах одного микрона, что много меньше, чем диаметр светонесущей части (сердцевины) оптического волокна (примерно 9 мкм - для одномодового ОВ).
Рисунок 3.46 поясняет снижение к.п.д. усилителя из-за того, что большая часть светового потока из входящего волокна не попадает в активную область и безвозвратно теряется. Одна из возможностей устранения этого недостатка – производство совмещённого светоизлучающего ППЛ непосредственно на выходе, которого устанавливается ППЛУ. Пример конструкции полупроводникового усилителя, совмещённого с лазером передатчика, приведён на рисунке 3.47.
Рисунок 3.47 – Пример конструкции ППЛУ, совмещённого с лазером передатчика
Конструкция выполнена на одной подложке. Лазер отделён от усилителя изолирующим слоем FеInP, который прозрачен для оптического излучения.