 |
|
|
Архитектура Астрономия Аудит Биология Ботаника Бухгалтерский учёт Войное дело Генетика География Геология Дизайн Искусство История Кино Кулинария Культура Литература Математика Медицина Металлургия Мифология Музыка Психология Религия Спорт Строительство Техника Транспорт Туризм Усадьба Физика Фотография Химия Экология Электричество Электроника Энергетика |
А) Общий эмиттер ( n-p-n)
Как расставляются знаки у источников питания? n – p – n
ЭП (UПР)
КП (UОБР) ЭП должен находиться под прямым напряжением. При прямом напряжении знаки клемм источника питания и ОНЗ соответствующих областей должны совпадать. Эмиттер – это n-область, основными носителями заряда являются электроны, поэтому на эмиттер должен быть подан «минус» источника питания Есм, а на базу, соответственно, - «плюс». КП должен находиться под обратным напряжением. При обратном напряжении знаки клемм источника питания и ОНЗ соответствующих областей должны быть противоположны. Коллектор – это n-область, основными носителями заряда являются электроны, поэтому на коллектор должен быть подан «плюс» источника питания Еп. Б) Общая база (n-p-n) в) Общий коллектор (n-p-n)
Статические характеристики биполярного транзистора Статические ВАХ транзистора ОБ
Входные характеристики транзистора ОБ - это зависимость входного тока от входного напряжения при постоянном выходном напряжении, т.е.
Если использовать выходное напряжение UКБ>5В, то входные характеристики незначительно сместятся влево, (пойдут кучно), поэтому чтобы не загромождать рисунок, ограничиваются двумя характеристиками: при UКБ=0 и при UКБ=5В. При этом погрешность будет незначительной, ею можно пренебречь. Выходные характеристики транзистора ОБ - это зависимость выходного тока от выходного напряжения при постоянном входном токе, т.е.
Статические ВАХ транзистора ОЭ
Входные характеристики транзистора ОЭ - это зависимость входного тока от входного напряжения при постоянном выходном напряжении, т.е.
0 1 UБЭ, В Если использовать выходное напряжение Выходные характеристики транзистора ОЭ - зависимость выходного тока от выходного напряжения при постоянном входном токе, т.е. IК, mA
Поиск по сайту: |
Э Б К
при 
, где f - этофункция.
IЭ, mA
UКБ=5В UКБ=0
0 1 UЭБ,В 
при 
насыщение 
при 
IБ,m UКЭ =0 UКЭ=5В
>5В, то входные характеристики незначительно сместятся вправо, (пойдут кучно), поэтому чтобы не загромождать рисунок, ограничиваются двумя характеристиками: при 
и при 
. При этом погрешность будет незначительной, ею можно пренебречь.
при 
IБ3
насыщение IБ2
IБ1 IБ3 > IБ2 > IБ1
IКЭО IБ=0
отсечка UКЭ, В