Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

Передающие и приемные оптоэлектронные модули



ПРЕИМУЩЕСТВА ВОСП

 

Оптоэлектронная связь сегодня является одним из главных направлений научно-технического прогресса. Такое внимание к ВОСП и ВОЛС вызвано сле­дующими качествами:

- широкополостностью (1014—1015) и высокой пропускной способно­стью;

- малым значением коэффициента затухания в широкой полосе частот, что позволяет обеспечивать большие длины регенерационных участков;

- высокой защищенностью от внешних электромагнитных помех;

- малогабаритностью и легкостью (масса ОК в 10... 12 раз меньше, чем электрических);

- пригодностью прокладки по реальным трассам;

- малой металлоемкостью и отсутствием дефицитных материалов (медь, свинец) в кабеле;

- неограниченными запасами сырья для производства ОК (кварц);

- отсутствие коротких замыканий, возможность использования в опасных зонах;

- большой строительной длинной ОК, что увеличивает надежность связи за счет уменьшения числа соединений;

- потенциально низкой стоимостью одного канало - километра линии свя­зи.

- низкий уровень шумов.

- высокая защищенность от несанкционированного доступа, т.к. рассеиваемость очень низкая.

Все эти достоинства стимулировали повышенный интерес к волоконной оптике и привели к интенсивному развитию этой отрасли.

 

 


 

Рисунок 1– Структурная схема ВОСП

Передающие и приемные оптоэлектронные модули.

 

Используются для преобразования электрических сигналов в оптические и для введения этих сигналов в оптическое волокно Требования:

- сигнал излучается на длине волны в окнах прозрачности (где затухание минимально) – 0.85; 1.33; 1.55 мкм;

- большая доля световой энергии должна попадать в ОВ;(т.е. потери должны быть минимальными) ;

- на выходе источника излучения должно обеспечиваться требуемое значение уровня мощности;

- изменение параметров окружающей среды должно оказывать минимальное влияние на источник излучения.

СИД – СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД

Рисунок 1 – Энергетическая диаграмма

Рисунок 2. – Конструкция СИД

 

В n области свободные электроны занимают разрешенные уровни энергии в зоне проводимости. В р области соответствующие уровни в валентной зоне занимают дырки. В плоскости контакта n и р областей возникает разность потенциалов - потенциальный барьер, препятствующий дифузии электронов в р-область и дырок в n-область. При подключении источника напряжения в прямом направлении , происходит инжекция электронов в р-область и дырок в n-область. При этом потенциальный барьер уменьшается и происходит рекомбинация электронов и дырок в р-n переходе. При прямом переходе выделяется фотон с энергией Еф. Этот процесс называется спонтанным излучением. Длина волны излучения определяется из:

Еф=hf, где h-постоянная планка, f-частота излучения.

Еф ³ Еg

Спонтанное излучение возникает при переходе любого электрона с любого уровня в зоне проводимости на любой уровень в валентной зоне.

При рекомбинации электронов и дырок р-n переход излучает свет во всех направлениях равномерно. Диаграмма направленности – 3600.

Не все фотоны попадут в ОВ.

Внешняя квантовая эффективность – отношение числа фотонов, которые попадают в ОВ, к количеству фотонов, которые возникают в р-n перехде.

Внутренняя квантовая эффективность – это отношение числа полученных фотонов к числу электронов в полупроводниковой структуре.

;

Характеристики СИД

 

1. ВАХ – ватт-амперные характеристики.

С увеличением температуры окружающей среды (Т), при одинаковых точках накачки (Iн), мощность излучения (Ри) будет уменьшаться.

 

 

 


Рисунок 3- Ватт-амперные характеристики СИД

 

Крутизна ВАХ:

 

 




Поиск по сайту:

©2015-2020 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.