А.3. ЛАБОРАТОРНІ РОБОТИ

А.4. РОЗРАХУНКОВО-ГРАФІЧНА РОБОТА

А.4 - 1. ЗАГАЛЬНІ ВІДОМОСТІ ПРО РОЗРАХУНКОВО-ГРАФІЧНУ РОБОТУ

Розрахунково-графічна робота (РГР) з дисципліни виконується в третьому семестрі, відповідно до затверджених в установленому порядку методичних рекомендацій з метою закріплення та поглиблення теоретичних знань та вмінь студента в області біполярних транзисторів і є складовою модулю №1 «Напівпровідникові прилади».

Виконання РГР є важливим етапом у підготовці до виконання курсової роботи з дисципліни у четвертому семестрі.

Завданням РГР передбачається для заданого типу транзистора та режиму побудувати на вольтамперній характеристиці пряму навантаження, вибрати робочу точку та графо-аналітичним методом визначити Н-параметри, коефіцієнт підсилення і значення зворотнього струму колектора Іко для заданної температури.

Виконання, оформлення та захист РГР здійснюється студентом в індивідуальному порядку відповідно до методичних рекомендацій.

А.4 – 2. МЕТОДИЧНІ ВКАЗІВНИКИ ДО

РОЗРАХУНКОВО-ГРАФІЧНОЇ РОБОТИ

Розрахунково-графічна робота повинна бути оформлена у вигляді пояснювальної записки, в якій повинен бути представлений опис послідовності побудов, обгрунтовування ухвалених рішень, графічні побудови. Остання виконується на листах білого паперу (стандартного розміру) в обкладинці з білого ватману. На лицьовій стороні обкладинки розміщуються відповідно до ДОСТу напис:

Міністерство освіти та науки України

національний авіаційний університет

РОЗРАХУНКОВО-ГРАФІЧНА РОБОТА

з дисципліни «комп'ютерна електроніка»

на тему «Робота транзистора з навантаженням»

Виконав студент______групи_________(Ф.І.П.)

Керівник роботи_________________________

Захистив «____»____________200 р.

з оцінкою _______________________________

Рекомендований об'єм пояснювальної розписки 7-10 аркушів машинописного тексту.

Першим листом підшивається завдання на розрахунково-графічну роботу. Текст записки починається з вступу і закінчується списком використаної літератури. Матеріал, поданий в записці, розбивається на окремі розділи, які мають короткі, чітко виділені заголовки. УГП транзисторів викреслюються у відповідності з ДОСТ 2.730-73.

Основні питання, які повинні бути відображені в розрахунково-графічній роботі:

1. Завдання

2. Довідкові дані транзистора

3. ВАХ транзистора

4. Побудова прямої навантаження

5. Визначення графічно: К_U, К_І, К_Р

6. Визначення параметрів: h₁₁, h₁₂, h₂₁, h₂₂

7. Визначення І_КО при заданій температурі

8. Література

9. Зміст

Методика обчислення графоаналітичним методом h-па-раметрів наведена в [7].

А.4 – 3. ВАРІАНТИ ЗАВДАНЬ

РОЗРАХУНКОВО-ГРАФІЧНОЇ РОБОТИ

Варіанти завдань наведені в табл. 14-16.

Таблиця 14

Продовження табл. 14

Таблиця 15

Продовження табл.15

Таблиця 16

Продовження табл. 16

А.2. ПРАКТИЧНІ ЗАНЯТТЯ

А.2 - 1. ТЕМАТИКА ПРАКТИЧНИХ

ЗАНЯТЬ ТА ЇХ ОБСЯГ

По першому модулю передбачається робочою програмою п’ять практичних занять по 2 години на кожне.

Нижче наводиться тематика цих практичних занять.

1. Методи очистки напівпровідників (ст. 54 - 57). Зонна теорія напівпровідників (ст. 38 - 54). Ефект електричного поля в напівпровідниках (ст. 158 - 159).

2. Процеси в плоскому p-n-переході (ст. 73 - 77). P-N-перехід під прямою та зворотною напругами (ст. 77 - 80). Маркування діодів (ст. 96 - 97). Приклади розшифровки маркування діодів.

3. Процеси в бездрейфовому та дрейфовому транзисторах (ст. 107 - 112), (ст. 143 - 146).

4. Робота транзистора з навантаженням (ст. 129 - 131). Розрахунок h-параметрів транзистора графоаналітичним методом

(ст. 126 - 129). Маркування біполярних транзисторів та приклади розшифровки маркування (ст. 146 - 147).

5. Польові транзистори (ст. 148 - 149). Процеси в польових транзисторах, їх параметри, ВАХ, маркування та приклади розшифровки маркувань транзисторів (ст. 149 - 157).

ПРИКЛАДИ РОЗШИФРОВКИ МАРКУВАНЬ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ПРИЛАДІВ

КД 201А – КД- кремнієвий випрямляючий діод; 2 – середньої потужності (0,3 А ≤ I_ср ≤ 10 А) ; 01 – порядковий номер розробки; А – перша модифікація.

КС 205А –КС- кремнієвий стабілітрон з напругою стабілізації 10 В ≤ U_ст ≤ 100 В і малої потужності (0,3 Вт ≤ P_ст ≤ 5 Вт); 05 – порядковий номер розробки; А – перша модифікація.

2Т 315А – 2Т – кремнієвий біполярний транзистор; 3 – малопотужний (0,3 Вт ≤ P_к) та високочастотний (f_гр > 30 МГц); 15 – номер розробки; А – перша модифікація.

А.3. ЛАБОРАТОРНІ РОБОТИ

Поиск по сайту: