 |
|
|
Архитектура Астрономия Аудит Биология Ботаника Бухгалтерский учёт Войное дело Генетика География Геология Дизайн Искусство История Кино Кулинария Культура Литература Математика Медицина Металлургия Мифология Музыка Психология Религия Спорт Строительство Техника Транспорт Туризм Усадьба Физика Фотография Химия Экология Электричество Электроника Энергетика |
Порядок выполнения эксперимента. · Соберите цепь согласно схеме (рис
· Соберите цепь согласно схеме (рис. 4.2.2). В этой цепи в качестве источника синусоидального напряжения используется линейное напряжение трехфазного генератора, а диод включен для исключения обратного напряжения на транзисторе. Приборы А1 и V0 – входы коннектора, служащие для вывода тока IК и напряжения UKЭ на виртуальный осциллограф. Миллиамперметр А служит для измерения тока базы и может быть как мультиметром, так и виртуальным прибором.
Рис. 4.2.2
· Включите виртуальные приборы А1, V0 и виртуальный осциллограф. На осциллографе установите режим XY. В качестве входа Y выберите ток коллектора, т.е. А1 (по умолчанию это канал 3). В качестве входа Х выберите UKЭ, т.е. V0 (по умолчанию – канал 1). · Установите регулятор постоянного напряжения на ноль и зафиксируйте кнопкой 1 осциллографа масштаб по напряжению. Затем установите регулятор постоянного напряжения на максимум и зафиксируйте кнопкой 3 осциллографа масштаб тока. Теперь при регулировании тока базы масштабы по осям осциллографа автоматически изменяться не будут. · Регулируя тока базы от 0 до максимального значения и наоборот, пронаблюдайте за изменением кривой IК(UKЭ) на осциллографе. При нескольких значениях тока базы (включая нулевое и максимальное) перерисуйте кривую IК(UKЭ) с осциллографа на рис. 4.2.2. Не забудьте указать масштабы по осям и токи базы для каждой кривой. · На семействе кривых IК(UKЭ) выберите какое-либо постоянное напряжение UKЭ (например, 5 В) и на рис. 4.2.3 постройте зависимость IК(IБ) для этого значения напряжения UKЭ. Рассчитайте и на этом же рисунке постройте график b(IБ)= DIК ¤ DIБ. Нанесите шкалы по осям.
Рис. 4.2.2.
Рис. 4.2.3. Характеристики транзистора Общие сведения Свойства транзисторов описываются следующими четырьмя семействами характеристик. Входная характеристикапоказывает зависимость тока базы IБ от напряжения в цепи база/эмиттер UБЭ (при UКЭ = const). Выходная характеристикапоказывает зависимость тока коллектора IК от напряжения цепи коллектор/эмиттер UКЭ при различных фиксированных значениях тока базы. Характеристика управленияпредставляет собой зависимость тока коллектора IК от тока базыIБ (при UКЭ = const). Характеристика обратной связиесть зависимость напряжения цепи база ¤ эмиттер UБЭ, соответствующего различным неизменным значениям тока базы, от напряжения цепи коллектор/эмиттер UКЭ при различных фиксированных значениях тока базы.
Поиск по сайту: |
