Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

Характеристики и схемы включения емкостных датчиков



Чувствительность емкостного датчика определяется как отношение приращения емкости к вызвавшему это приращение изменению измеряемой величины. Для простого плоского двухобкладочного емкостного датчика линейного перемещения с воздушным зазором емкость (2)

где — начальное расстояние между пластинами площадью s.

Начальное расстояние выбирается по конструктивным соображениям, но оно не должно быть меньше некоторого значения, при котором возможен электрический пробой конденсатора. Для воздуха пробивное напряжение составляет порядка 3 кВ на 1 мм. Минимальное расстояние воздушного промежутка в высокочувствительных емкостных микрометрах принимают порядка 30 мкм. Чувствительность плоского емкостного датчика получаем дифференцированием уравнения (2):

(3)

Рис. 4. Емкостный датчик давления

Чувствительность, как следует из (3) и графика (рис. 1, б), не постоянна в диапазоне возможных перемещений х. Она максимальна при малых входных сигналах (когда пластины расположены близко друг к другу) и быстро уменьшается при удалении пластин.

При включении емкостного датчика в измерительную мостовую схему переменного тока чувствительность измерения можно увеличить повышением напряжения питания моста. Однако и здесь необходимо иметь в виду опасность пробоя между пластинами. Для значительного увеличения напряжения питания между обкладками конденсатора помещают тонкую слюдяную пластинку. Для повышения чувствительности измерительной схемы с емкостным датчиком необходимо повышать частоту питающего напряжения. Однако при этом необходимы специальные меры по экранированию схемы и подводящих проводов для уменьшения погрешности измерения, вызванной токами утечки и токами наводки.

В емкостном датчике давления (рис. 4) одной из обкладок конденсатора является плоская круглая мембрана 1, воспринимающая давление Р. Другая обкладка 2 датчика неподвижна и имеет такой же радиус R, что и мембрана 1. Между обкладками конденсатора имеется начальный воздушный промежуток . Под воздействием измеряемого давления Р мембрана прогибается, причем наибольшее перемещение δ имеет центр мембраны. Неравномерное изменение воздушного промежутка между пластинами затрудняет вывод формулы для емкости такого датчика. Приведем ее в окончательном виде:

(4)

Непосредственное объединение чувствительного элемента (мембраны) с датчиком без промежуточных кинематических элементов обеспечивает простоту конструкции и высокую надежность, а отсутствие потерь на трение обусловливает высокую чувствительность по давлению такого датчика. При взаимном перемещении пластин в конденсаторе изменяется энергия электрического поля, что приводит к появлению усилий, приложенных к пластинам.

Энергия электрического поля в конденсаторе

(5)

Сила, действующая на пластины, определяется как производная энергии по перемещению:

(6)

Для повышения точности и чувствительности, а также с целью уменьшения влияния механических сил емкостный датчик можно выполнить дифференциальным (рис. 5) и включить в мостовую схему.

Дифференциальный емкостый датчик представляет собой плоский конденсатор с металлической обкладкой 1, на которую действует измеряемая сила F. Обкладка 1 закреплена на упругой подвеске 6 и под действием силы F перемешается параллельно самой себе.

Две неподвижные обкладки 2 и 3 изолированы от корпуса специальными прокладками 4 и 5. При отсутствии силы F обкладка 1 занимает симметричное положение относительно неподвижных обкладок 2 и 3. При этом емкость конденсатора, образованного пластинами и 2, равна емкости конденсатора, образованного пластинами 1 и 3: . Под воздействием измеряемой силы F, преодолевающей противодействие упругой подвески 6, обкладка 1 перемещается и емкости верхнего и нижнего конденсаторов получают приращения разных знаков:

;

Поскольку эти емкости включены в смежные плечи мостовой схемы; чувствительность измерительной схемы возрастает вдвое. Силы, действующие между парами обкладок, направлены противоположено друг другу, т. е. взаимно компенсируются.

Питание моста осуществляется от генератора высокой частоты (ГВЧ). Частота питания составляет несколько килогерц. Напряжение в измерительной диагонали моста ΔU зависит от измеряемой силы. При изменении направления силы изменяется фаза выходного напряжения на 180°.

Рис 5 Дифференциальный емкостный датчик в мостовой схеме

Для повышения чувствительности емкостных датчиков углового перемещения с изменяющейся площадью взаимного перекрытия пластин по рис. 2 применяют систему, состоящую из нескольких неподвижных и подвижных пластин. Такие воздушные конденсаторы переменной емкости применяются, например, для настройки радиоприемников.

Если пластины имеют форму половины круга (как на рис. 2), а ось вращения подвижных пластин проходит через центры окружности всех пластин, то емкость датчика изменяется в зависимости от угла поворота:

(7)

где п — общее количество неподвижных и подвижных пластин; s — площадь взаимного перекрытия пластин при α = 0 (подвижные пластины полностью вдвинуты между неподвижными); d — постоянное расстояние между подвижными и неподвижными пластинами.

Диапазон изменения угла поворота α от 0 до 180°. Все подвижные пластины электрически соединены между собой, а все неподвижные также соединены между собой. Таким образом, имеется параллельное соединение конденсаторов, при котором общая емкость, как известно, равна сумме емкостей параллельно соединенных конденсаторов.

Чувствительность такого датчика определяется как изменение емкости при повороте на , т. е.

(8)

Датчики угловых перемещений используют в мостовых измерительных схемах. Для повышения чувствительности возможно применение дифференциального датчика, показанного на рис. 6. При повороте по часовой стрелке подвижной пластины 1 увеличивается емкость между этой пластиной и неподвижной пластиной 2 и уменьшается емкость между пластиной 1 и неподвижной пластиной 3.

Рис. 6. Дифференциальный емкостный датчик повышенной чувствительности

Дифференциальная схема, как уже отмечалось, обеспечивает компенсацию противодействующего момента, поскольку суммарная емкость датчика остается неизменной.

На рис. 7 показан емкостный датчик с цилиндрическими обкладками, применяемый для измерения уровня токонепроводящей жидкости или сыпучих тел. Одной обкладкой может служить металлический бак или резервуар с внутренним радиусом r1, вторая обкладка выполнена в виде металлического стержня или цилиндра с наружным радиусом r2. Если резервуар заполнен до уровня х жидкостью с диэлектрической проницаемостью , то емкость датчика можно представить как емкость двух параллельно соединенных конденсаторов:

(9)

где Сх — емкость нижней части резервуара, заполненной жидкостью; — емкость верхней части резервуара, заполненной воздухом. Чувствительность такого датчика тем больше, чем больше диэлектрическая проницаемость материала, уровень которого измеряется.

Рис.7. Емкостный датчик уровня с цилиндрическими обкладками

Общая формула для емкости конденсатора с цилиндрическими обкладками

(10)

где l— длина обкладок.

Для емкости нижней части датчика

(11)

Для емкости верхней части датчика

(12)

Подставляя (11) и (12) в (9), получим

(13)

где L— высота обкладок датчика, т. е. максимальный уровень заполнения резервуара.

Чувствительность датчика определяем, дифференцируя (13) по уровню

(14)

Из уравнения (14) видно, что чувствительность датчика постоянна во всем диапазоне измерений. При измерении уровня химически агрессивных жидкостей наружная и внутренняя обкладки покрываются защитным покрытием. Измерение уровня с помощью емкостных датчиков используется в космической и авиационной технике, химии, нефтехимии, других отраслях промышленности.

Емкостные датчики нашли применение также для автоматического измерения толщины различных материалов и покрытий в процессе их изготовления.

Рассмотрим емкостный датчик (рис. 8) для измерения толщины материала из диэлектрика (например, изоляционной ленты). Между неподвижными обкладками конденсатора 1 протягивается с помощью роликов 2 контролируемый материал 3.

Емкость датчика, представляющего собой плоский двухобкладочный конденсатор с двухслойным диэлектриком,

(15)

где s — площадь обкладок; d — расстояние между обкладками; Δ — толщина контролируемого материала; — диэлектрическая проницаемость контролируемого материала. Чувствительность датчика

(16)

Чем меньше разница между d и Δ, чем больше диэлектрическая проницаемость материала , тем выше чувствительность. Повысить чувствительность измерения с помощью емкостных датчиков можно за счет выбора соответствующей измерительной схемы.

Рис. 8. Емкостный датчик толщины ленты

Включение емкостного датчика в мостовую схему (см. рис. 5), питаемую от источника повышенной частоты, позволяет зафиксировать изменения емкости на 0,1 %. Более высокую чувствительность позволяет получить так называемая резонансная схема. В этом случае емкостный датчик включается в колебательный контур совместно с индуктивным сопротивлением. Резонансная схема показана на рис. 9, а. Высокочастотный генератор 1 имеет частоту напряжения fг и питает индуктивно связанный с ним контур, состоящий из индуктивности Lк, подстроечного конденсатора С0 и емкостного датчика Сд. Напряжение UK, снимаемое с контура, усиливается усилителем 2 и измеряется прибором 3, шкала которого может быть проградуирована в единицах измеряемой величины. При помощи подстроенного конденсатора С0 контур настраивается на частоту f0, близкую (но не равную) к частоте генератора.

Рис. 9. Резонансная измерительная схема включения емкостного датчика

Настройка производится при средней емкости датчика в диапазоне возможных изменений измеряемой величины

В результате настройки напряжение UK, снимаемое с контура, должно быть примерно вдвое меньше (точка Б на рис. 9, б), чем напряжение при резонансе Up (точка О на рис. 9, б). Таким образом, рабочая точка Б будет находиться примерно посередине одного из склонов резонансной характеристики. Этим обеспечиваются высокая чувствительность измерения (до 0,001 %) и примерно линейная шкала измерительного прибора 3. Малейшее перемещение подвижной пластины датчика Сд приводит к резкому изменению напряжения контура. Уменьшение емкости приводит к резкому увеличению напряжения, увеличение емкости — к резкому уменьшению напряжения. При выборе рабочей точки на левом склоне резонансной характеристики (с помощью подстроенного конденсатора) уменьшение емкости приводит к уменьшению напряжения, и наоборот.

Резонансная частота контура определяется из условия резонанса (равенства емкостного и индуктивного сопротивлений)

(17)

Резонансная кривая идет тем круче, чем меньше активная составляющая сопротивления контура.

ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ




Поиск по сайту:

©2015-2020 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.