Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

Інтегральні мікросхеми логічних елементів ТТЛ різноманітних серій і їхні особливості.



 

Різновиди базових ТТЛ елементів відрізняються від схеми, приведеної на рис. 11.4 головним чином номіналами опорів резисторів і деяких схемних особливостей, що ілюструються рис. 11.7 і 11.8. Так, паралельно входам підключені діоди Д1, Д2, які отрмали назву антидзвонних. Вони обмежують завадові викиди негативної полярності, що утворяться при відображенні сигналу від входу внаслідок непогодженості хвильового опору довгої сигнальної лінії і вхідного опору ЛЕ, а також у результаті взаємних наведень у сигнальних колах. Обмеження необхідне для захисту від пробою емітерних переходів Т1, а також для підвищення завадостійкості цифрових пристроїв шляхом "гасіння" коливальних процесів у електрично пов'язаних сигнальних колах.

 

       
 
 
   

 

 


Для ЛЕ середньої і підвищеної споживаної потужності, а також елементів ТТЛШ типовим відмінним схемотехнічним рішенням є підключення в коло емітера Т2 динамічного навантаження, що складається з R3, R5 і Т5 (рис. 11.8). Воно дозволяє одержати форму передатної характеристики ЛЕ, близьку до прямокутної (рис. 11.6, пунктирна лінія) за рахунок звуження області підсилювального режиму (В′С), тому що транзистор Т2 може відкриватися лише при . Тим самим підвищується завадостійкість до перешкоди, що включає.

Динамічне навантаження приводить до погіршення умов розсмоктування надлишкових зарядів у базі Т3 при вимиканні. Тому паралельно емітерному переходу Т2 підключають діод Д3 (рис. 11.7), що забезпечує низькоомне коло для базового струму транзистора, що виключає ТЗ: база ТЗ – діод Д3 − насичений транзистор Т1 − джерело сигналу.

І нарешті, з метою підвищення навантажувальної здатності ЛЕ замість діода зсуву Д4 застосовують транзистор Т6 (мал. 11.8), що разом з Т4 утворює складений (по-російські: составной ) транзистор.


 

 

Варіант 1.

 

Прізвище_________________________

1. Заповнити часову діаграму;

2. Для підкресленого моменту часу визначить cтан транзисторів та напрямок вихідного струму, рівень вихідної напруги;

3. На схемі указати коло протікання струму.

T1- ; T2- ;Т3- ;Т4- IВХ - ; UВИХ -

 

 

 

 

Варіант 2.

 

Прізвище_________________________

1. Заповнити часову діаграму;

2. Для підкресленого моменту часу визначить cтан транзисторів та напрямок вихідного струму, рівень вихідної напруги;

3. На схемі указати коло протікання струму.

T1- ; T2- ;Т3- ;Т4- IВХ - ; UВИХ -

 

Варіант 3.

 

Прізвище_________________________

1. Заповнити часову діаграму;

2. Для підкресленого моменту часу визначить cтан транзисторів та напрямок вихідного струму, рівень вихідної напруги;

3. На схемі указати коло протікання струму.

T1- ; T2- ;Т3- ;Т4- IВХ - ; UВИХ -

 

 

 

 

Варіант 4.

 

Прізвище_________________________

1. Заповнити часову діаграму;

2. Для підкресленого моменту часу визначить cтан транзисторів та напрямок вихідного струму, рівень вихідної напруги;

3. На схемі указати коло протікання струму.

T1- ; T2- ;Т3- ;Т4- IВХ - ; UВИХ -

 

 




Поиск по сайту:

©2015-2020 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.