ИЗУЧЕНИЕ ВЫНУЖДЕННЫХ КОЛЕБАНИЙ И ЯВЛЕНИЯ РЕЗОНАНСА В КОЛЕБАТЕЛЬНОМ КОНТУРЕ
Цель работи - ознакомление с процессами, которые происходят в колебательном контуре, определение логарифмического декремента и добротности контура.
В контуре, который содержит емкость С, индуктивность L и омическое сопротивление R, происходят затухающие колебания тока. Характеристикой затухания колебаний в контуре является логарифмический декремент затухання d, связанный з коэффиентом затухання b, условным периодом колебаний Т и условной частотой колебаний соотношениями , где - частота собственных колебаний контура; .
Логарифмический декремент затухання d связан с другой важной характеристикой контура – его добротностью Q: . Для того, чтобы колебания в контуре были незатухающими, необходимо пополнять энергию колебаний. С этой целью в контур включают источник тока с ЭДС, которая изменяется по гармоническому закону. В этом случае колебания становятся незатухающими и происходят с частотой вынуждающей эдс. Амплитуда силы тока виражается соотношением
, (1) (3)
где e0-амплитудное значение ЭДС.
Из (1) видно, що амплитуда силы тока максимальна при частоте вынуждающей эдс .
Явление резкого увеличения амплитуды силы тока при совпадении частоты собственных колебаний с частотой вынуждающей ЭДС, называется резонансом (рис.1).
Если частота вынужденных колебаний постоянна, а изменяется частота собственных колебаний (при изменении L или C в контуре), то явление резонанса можно наблюдать по зависимости силы тока от индуктивности или емкости контура. С помощью таких резонансных кривых можно определить логарифмический декремент затухания и добротность контура. На рис. 2 изображена резонансная кривая, которая выражает зависимость силы тока от емкости контура при постоянной индуктивности.
Соответствующий расчет показывает, что логарифмический декремент затухания может быть определен по формуле
, (2)
где С0 - значение емкости контура, при котором амплитуда силы тока достигает резонансного значения Ip; С1 та С2 - значения емкости, при которых амплитуда силы тока равна 0,707Ip.
Для экспериментального получения резонансной кривой I=I(С) используется установка, схема которой изображена на рис.3.