А9 Преобразование модели транзистора с учетом паразитных элементов корпуса

Для преобразования модели транзистора необходимо открыть меню Project(проект), Add Schematic(добавить схему), выбрать команду New Schematic(Новую схему), в форме Create New Schematicввести название для новой схемы, печатая поверх Schematic 1, IVCurve . Нажать OK.

Далее необходимо выбрать закладку Elements, Subcircuits,элемент EFA240Bи перенести его на вновь созданную схему IVCurve(рис. 11).

Рисунок 11. Преобразование модели транзистора EFA240B

А10 Составление компьютерной модели транзистора, описываемой SPISE-параметрами и учитывающей паразитные элементы корпуса.

Модель транзистора представлена на рис. 11 в виде трех- полюсника. Для изменения символа модели необходимо дважды щелкнуть по элементу, появится окно свойств элемента (Свойства). Нажать кнопку Выбор символа (Symbolна рис. 12) .

Рисунок 12. Замена символа транзистора

В появившемся окне выбрать

FET@system.syfи нажать ОК (рис. 12).

Рисунок 13. Компьютерная модель транзистора EFA240B

Полученная компьютерная модель транзистора EFA240Bв среде программирования Microwave Office описывается Spise-параметрами и учитывает также паразитные элементы корпуса.

Контрольные вопросы

1. Какова роль современных информационных технологий в автоматизации проектирования телекоммуникационных передающих устройств?

2. Каковы требования к системе автоматизированного проектирования?

3. Каковы функции генератора с внешним возбуждением (ГВВ) в радиопередающих устройствах?

4. Изобразите структурную схему усилителя мощности и поясните назначение отдельных ее частей.

5. К решению каких задач сводится разработка ГВВ применительно к той или другой реализуемой им функции?

6. Каковы трудности аналитических методов анализа работы ГВВ в различных режимах и синтеза оптимальных схемных и технологических решений?

7. Каковы функции генератора с внешним возбуждением (ГВВ) в радиопередающих устройствах?

8. Изобразите структурную схему усилителя мощности и поясните назначение отдельных ее частей.

9. К решению каких задач сводится разработка ГВВ применительно к той или другой реализуемой им функции?

10. Каковы трудности аналитических методов анализа работы ГВВ в различных режимах и синтеза оптимальных схемных и технологических решений?

11. Каково влияние температуры на режимы работы транзистора?

12. С какой целью транзистор описывается сложными нелинейными моделями?

13. Поясните методику составления нелинейной зарядовой модели транзистора.

14. Какие допущения приняты в зарядовой модели транзистора для ее использования в инженерных расчетах?

15. Изобразите кусочно-линейную высокочастотную модель биполярного транзистора и поясните физическую сущность ее элементов.

16. В каком виде представлены математические модели транзисторов в инструментальной среде AWR Microwave Office?

17. Какие типы биполярных транзисторов наиболее широко используются в настоящее время при разработке телекоммуникационных устройств?

18. Перечислите основные модели биполярных транзисторов, представленные в инструментальной среде AWR Microwave Office.

19. Приведите классификацию SPICE-параметров, являющихся составной частью математической модели транзистора в AWR Microwave Office?

20. Каким образом SPICE-параметры связаны с типом выбранного транзистора?

21. Поясните методику ввода SPICE-параметров при их отсутствии в базе данных AWR Microwave Office.

22. Дайте краткую информацию о технологии производства и области применения биполярных транзисторов.

23. Какие типы полевых транзисторов наиболее широко используются в настоящее время при разработке телекоммуникационных устройств?

24. Перечислите основные модели полевых транзисторов, представленные в инструментальной среде AWR Microwave Office.

25. Каковы перспективы развития технологии производства полевых транзисторов?

26. В соответствии с методикой подготовки MWO к проведению исследований ГВВ (алгоритм ГВВ1) создайте программу с компьютерной моделью транзистора, выбранного по заданию преподавателя.

Поиск по сайту: