Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ



Название: СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ

Международная патентная классификация:

H01L21/268 (2006.01)

B82B3/00 (2006.01)

Номер и код вида документа: 2431215 C1

Заявка: 2010122600/28, 02.06.2010

Опубликовано: 10.10.2011

Страна публикации: Россия

Адрес для переписки:630090, г.Новосибирск, пр. Ак. Лаврентьева, 13, ИФП СО РАН

Автор(ы):Володин Владимир Алексеевич (RU), Качко Александр Станиславович (RU)

Патентообладатель(и): Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) (RU)

Формула изобретения:

в способе получения слоя поликристаллического кремния расположенный на подложке стекла или кремния со слоем диоксида кремния слой аморфного кремния подвергают кристаллизации посредством лазерной обработки. Используют импульсное излучение фемтосекундного диапазона длительностью от 30 до 120 фемтосекунд с длиной волны и плотностью энергии, вызывающими в аморфном кремнии фазовый переход с формированием слоя поликристаллического кремния. Фазовый переход кристаллизации стимулирован электрон-дырочной плазмой, характеризуется отсутствием передачи энергии подложке. При обработке используют излучение с длиной волны ближнего ультрафиолетового или ближнего инфракрасного диапазона, что соответствует второй или первой гармонике титан-сапфирового лазера. Значение средней длины волны излучения, выбираемой от 390 до 810 нм, обеспечивает поглощение по всей толщине слоя аморфного кремния. Плотность энергии от 20 до 150 мДж/см2 обуславливает при заданной толщине слоя аморфного кремния от 20 до 130 нм формирование сплошного поликристаллического слоя на участке воздействия излучения. В результате достигается расширение ассортимента приборных структур со слоем поликристаллического кремния и расширение диапазона толщин исходных пленок аморфного кремния.

Область применения:Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении микро-, наноэлектронных и оптоэлектронных устройств, в частности тонкопленочных транзисторов, ячеек энергонезависимой памяти, солнечных элементов.


 

УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ.

Название: Устройство для нанесения тонких пленок полупроводников и диэлектриков

Международная патентная классификация:

C23C16/30 (2006.01)

C23C16/455 (2006.01)

C23C16/458 (2006.01)

B82B3/00 (2006.01)

H01L21/02 (2006.01)

Номер и код вида документа: 2331717 C2

Заявка: 02.10.2006

Опубликовано: 20.08.2008

Страна публикации: Россия

Адрес для переписки:199034, Санкт-Петербург, Университетская наб.,7/9,Университет,Департамент интеллектуальной собственности и трансфера технологий, пат.пов.А.А.Матвееву,рег.№892

Автор(ы):Дрозд Виктор Евгеньевич (RU)

Патентообладатель(и): Общество с ограниченной ответственностью "Наноинженерия" (ООО "Наноинженерия") (RU)

Формула изобретения:

Устройство содержит камеру с рабочей частью внутреннего пространства в форме цилиндра, внутри которой расположены основание, подложка для нанесения пленок, система напуска реагентов и буферных газов, нагревательные элементы и двигатель с валом. При этом основание и подложка выполнены с плоскими и гладкими рабочими поверхностями и установлены с возможностью образования регулируемого зазора между ними за счет изменения в нем давления буферного газа, противодействующего весу груза, размещенного на подложке для регулирования величины зазора между подложкой и основанием. Вал двигателя закреплен нежестко и на нем установлена подвижная муфта для передачи вращения подложке относительно неподвижного основания. В рабочей поверхности основания выполнены углубления, длина которых не превышает радиуса рабочей поверхности основания и в которых расположены отверстия для напуска реагентов в зазор. Технический результат состоит в существенном увеличении скорости наращивания тонких пленок.

Область применения:: Полупроводниковые нанотехнологии; тонкопленочное материаловедение, а именно устройства нанесения тонких пленок и диэлектриков.


 




Поиск по сайту:

©2015-2020 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.