Позначення типу транзистора

12.

Детектува́ння (англ. demodulation, detection, rectification; рос. детектирование) — перетворення високочастотних модульованих (напр., за амплітудою) коливань для виділення низькочастотного сигналу; є процесом, зворотним до модуляції коливань, і складовою частиною радіоприйому.^[1]

Найбільш поширений випадок детектування - демодуляція - процес, зворотний модуляції, тобто виділення НЧ модулюючого сигналу з модульованих ВЧ коливань (наприклад, виділення коливань звукової частоти або сигналів зображення).

У більшості детекторів демодуляція здійснюється за допомогою електронних приладів з нелінійною ВАХ (діодів, транзисторів і т. п.). Відповідно до видів модуляції коливань розрізняють амплітудні, частотні і фазові Детектори. У амплітудному детекторі, призначеному для детектування амплітудно-модульованих (АМ) коливань, в якості елемента з нелінійною ВАХ найчастіше застосовують напівпровідниковий діод. У колі детектора АМ коливання перетворюються в ВЧ імпульси струму одного напряму, амплітуда яких змінюється за законом модуляції ВЧ коливань. Цей струм створює на резисторі в колі діода імпульси напруги, амплітуда яких також змінюється за законом модуляції. Резистор з'єднується з діодом або послідовно (послідовний детектор), або паралельно (паралельний детектор). За допомогою електричного фільтра низьких частот із спектра імпульсної напруги виділяються коливання звукової частоти, що повторюють модулюючий сигнал. У більшості випадків продетектована напруга підводиться потім до підсилювача електричних коливань.

(стабілітрон)

(стабілітрон) — різновид діодів, що в режимі прямих напруг, проводять струм як звичайні діоди, а при зворотній напрузі — струм різко зростає тільки в області напруг близьких до пробою («зенерівська напруга»). Прилад отримав назву на честь імені його першовідкривача Кларенса Зенера.

Діоди Зенера широко використовуються для побудови джерел опорної напруги, в різноманітних електронних схемах. Для цього їх під'єднують до джерела напруги через обмежуючий опір (резистор).

13.

Біполярний транзистор — напівпровідниковий елемент електронних схем, із трьома електродами, один з яких служить для керування струмомміж двома іншими. Термін «біполярний» підкреслює той факт, що принцип роботи приладу полягає у взаємодії з електричним полем частинок, що мають як позитивний, так і негативний електричний заряд.

Виводи біполярного транзистора називаються емітером, базою і колектором. В залежності від типу носіїв заряду, які використовуються в транзисторі, біполярні транзистори поділяються на транзистори NPN та PNP типу.

	PNP
	NPN

На рисунку праворуч схематично показана будова біполярного транзистора NPN типу. Колектором служить напівпровідник n-типу, легований донорами до невисокої концентрації 10¹³-10¹⁵ см⁻³. Перед створенням бази напівпровідник покривають фоторезистом і за допомогою літографії звільняють вікно для легування акцепторами. Атоми акцептора дифундують в глибину напівпровідника, створюючи область із доволі високою концентрацією — 10¹⁷-10¹⁸ см⁻³. На третьому етапі знову створюється вікно для легування донорами й утворюють емітер із ще вищою концентрацією домішок, необхідною для того, щоб спочатку компенсувати акцептори, а потім створити напівпровідник n-типу. Відношення домішок у емітері й у базі повинно бути якомога більшим для забезпечення гарних характеристик транзистора.

Позначення типу транзистора

Позначення типу транзистора встановлено галузевим стандартом ОСТ 11 336.919-81. Перший елемент позначає вихідний матеріал із якого виготовлений транзистор: германій чи його сполуки — Г, кремній або його сполуки — К, сполуки галію — А. Другий елемент — підклас напівпровідникового приладу. Для біполярних транзисторів другим елементом є літера Т. Третій елемент — призначення приладу (таблиця). Четвертий елемент — число від 01 до 99, що позначає порядковий номер розробки типу приладу. Допускається тризначний номер — від 101 до 999, якщо номер розробки перевищує 99. П'ятий елемент позначення — літера російського алфавіту, що визначає класифікацію за параметрами приладів, виготовлених за єдиними технологіями.

14.

Принцип дії

Дія біполярного транзистора базується на використанні двох p-n переходів між базою та емітером і базою та колектором. В області p-n переходів виникають шарипросторового заряду, між якими лежить тонка нейтральна база. Якщо між базою й емітером створити напругу в прямому напрямку, то носії заряду інжектуються в базу й дифундують до колектора. Оскільки вони є неосновними носіями в базі, то легко проникають через p-n перехід між базою й колектором. База виготовляється достатньо тонкою, щоб носії заряду не встигли прорекомбінувати, створивши значний струм бази. Якщо між базою й емітером прикласти запірну напругу, то струм через ділянку колектор-емітер не протікатиме.

15.

Схема зіспільною базою [ред.]

Підсилювальний каскад за схемою зіспільною базою на основіnpn-транзистора

· Коефіцієнтпідсилення по струму: I_вих/I_вх=I_к/I_е=α [α<1]

Поиск по сайту: