Биполюсті транзисторлар

Туннельдік диодтар

Диодтың жұмыс істеуі туннельдік құбылысқа негізделген.

Диод құлдыраған (вырожденный) шала өткізгітердің негізінде жасалған. Қоспалардың үлесі 10²¹ см^-3 , сондықтан диодтың р-n өткелі өте тар. Ферми деңгейі р- облыста валенттік аймаққа, n-облыста өткізгіштік аймаққа ығысады. Энергиялық аймақтар өзара араласып, заряд тасушылар басқа энергиялық аймаққа өтеді де, онда қосымша энергия шығындамай негізгіге айналады, сондықтан диодтардың инерциялылығы аз болады. Сонымен қатар бұл диодтардың температуралық тұрақтылығы және радияцияға орнықтылығы жоғары болып келеді.

Вольтамперлік сипаттамасы 4.9-суретте келтірілген. ВАС-да теріс кедергі бөлігі бар (аб). Туннельдік әсер кері және шамалы тура кернеулерде, өткізгіштік аймағының түбі валенттік аймақтың төбесінен төмен кезде (г0аб бөлігі) орын алады. бв бөлігінде – диффузия.

Туннельдік диодтар германийден, кремнийден және галий арсенидінен жасалады. Сигналды күшейтуде, туындатуда, түрлендіруде қолданылады.

2. Оптоэлектрондық аспатар

Оптоэлектроника – оптикалық сигналдарды электр сигналына және кері түрлендіру мәселелерімен айналысатын, электроника облысы. Радиоэлектроникадағы жаңа бағыт – оптоэлекроника (ОЭ), үш ғылымның тоғысында – қатты дене физикасы, оптика және электроника пайда болды. ОЭ-ның элементтік негізін жарық көздері, оптикалық орталар (жарық жолдары) және фото кабылдағыштар құрайды:.

Жарық жолдары Жарық жолдары – мөлдір шыныдан жасалатын, қабырғадан көп сатылы ішкі шағылысу нәтижесінде жарық таратуға арналған, жіңішке талшықтардың бумасы. Қалыңдығы бірнеше микрон шыны талшық арқылы жүзден аса оптикалық сигналдар елеусіз шығындармен беріле алады. Егер талшықтарға белгілі бір химиялық элементтер қосылып жасалса, олар жарық сигналын күшейте алады.

Фотоқабылдағыштар. Фотокабылдағышта немесе фотоэлектрлік аспапта сәуле энергиясының электр энергиясына түрленуі жүреді. Олардың жұмысы негізгі үш фотоэлектрлік құбылыстарға негізделген:

а) ішкі фотоэффект – өткізгішті жарықтандыру кезінде ток тасушылардың үлесінің артуы себебінен оның электр өткізгіштігінің артуы (фоторезистор);

б) бекітуші қабаттағы фотоэффект – екі материалдың шекарасында жарықтың әсерінен ЭҚК-ң туындауы (фотодиод, фототранзистор);

в) сыртқы фотоэффект – жарықтың әсерінен заттың электрондарды шығаруы – фотоэлектрондық эмиссия (фотоэлемент, фотоэлектрондық көбейткіш).

Фотодиод – жұмыс істеуі бекітуші қабаттағы фотоэффектіге негізделген фотоэлектрондық аспап, p-n өткелде жарық ағынының әсерінен ЭҚК пайда болады.

3. Параметрлік кернеу тұрақтандырғыш бейнеленген, оның жұмыс істеу принципі Е кернеуінің өзгеруі барысында стабилитрон арқылы өтетін ток өзгереді, ал стабилитрондағы және оған қосар жалғанған жүктемедегі кернеу өзгермейді деуге болады.

Стабилитрон кері кернеу режимінде жұмыс істейді. Диодтың бір түрі, 2 электродты кернеуді тұрақтандыруға арналған электронды аспап.

Биполюсті транзисторлар

Транзистор дегеніміз электрлік қуатты күшейтуге қабілетті, үш және одан да көп шықпалары, бір немесе одан көп p-n өткелдері бар шала өткізгішті аспап. Олар электр тербелістерін күшейтуге, генерациялауға және түрлендіруге арналған. Тасушылардың бір немесе екі типінің де ток түзуге қатысуына байланысты, бір полюсті және екі полюсті транзисторлар болып бөлінеді.

Транзисторлардың топталуы:

5.1Сурет

а) құрылымы және жұмыс істеу принципі бойынша (5.1- сурет);

б) коллектордан таралатын ең үлкен қауіпсіз қуат бойынша:

– аз қуатты – 0,3 Вт-тан аз;

– орташа қуатты – 0,3…3 Вт;

– үлкен қуатты – 3 Вт-тан жоғары;

е) өткізгіштік облыстарының өзара орналасуы бойынша– транзисторлар

n-p-n және p-n-p болып бөлінеді.

Биполюстітранзистор – күшейту қасиеттері заряд тасушылардың инжекциясы және экстракциясы құбылыстарымен туындайтын, өзара әрекеттесуші екі p-n өткелдері бар шала өткізгішті триод. Заряд тасушылардың екі типі де: электрондар да кемтіктер де қатысатындықтан олар биполюсті деп аталады.

Олар үш электрод және екі p-n өткелден тұратын үш қабаттан құралады (5.2-сурет). n₁-p арасындағы аудан p-n₂ арасындағыға қарағанда әлдеқайда аз. Транзистордың құрылымы бейсимметриялы. Ауданы кіші асқын қоспаланған тасушыларды базаға инжекциялауға арналған қабаты эмиттер деп аталады (Э). Ауданы үлкен, тасушыларды базадан экстракциялауға арналған және осы тасушыларды жинайтын қабат, коллектор деп аталады (К). Тасушылардың эмиттерден коллекторға қарай қозғалысын басқаратын ортаңғы қабат, база деп аталады (Б).

Өткелдердің ығысу кернеуіне қарай үш түрлі – активті, ток тоқтату және қанығу қосылу режимдерін ажыратады:.

Поиск по сайту: