Розрахунок параметрів елементів підсилювача ЗЕ

4.1. Розрахувати елементи ланцюга термостабілізації Rе і Се.

4.1.1. Збільшення Rе підвищує глибину негативного зворотного зв'язку у вхідному ланцюзі підсилювача (поліпшує термостабілізацію), з іншого боку, при цьому падає КПД підсилювача з - за додаткових утрат потужності на цьому опорі. Звичайновибирают величину спадання напруги на Rе порядку (0,1 - 0,3)Ек, що рівносильне виборові Rе = (0,05 - 0,15)Rк у погодженому режимі роботи транзистора. Використовуючи останнє співвідношення вибираємо величину Rе.

4.1.2. Для коллекторно - еміттерного ланцюга підсилювального каскаду у відповідності з другим законом Кирхгофа можна записати рівняння електричного стану по постійному струмі

Використовуючи це рівняння скорегувати обрані по п.п. 2.3 і 2.4 значення Ек або величину Rк.

4.13. Визначити ємність у ланцюзі емітера Се з умови Rе = (5 - 10)Хе, де Хе - ємнісний опір елемента Се. При цьому

мкФ, вибрав f_н = 20 Гц.

4.14. Для виключення шунтуючого дії дільника R1, R2 на вхідний ланцюг транзистора задається опір Rб.

і струм дільника Ід = (2 - 5)Ібо, що підвищує температурну стабільність Uбо. Виходячи з цього визначити опору R1, і R2, Rб:

; ;

4.15. Визначити ємність розділового конденсатора з умови Rвх = (5 - 10)Хр, де Хр - ємнісний опір розділового конденсатора, Rвх - вхідний опір каскаду. При цьому

мкФ, а ,

Для розрахунку значення Ср на виході каскаду у формулу слід подставити

Визначити параметри підсилювального каскаду.

5.1 Коефіцієнт підсилення каскаду по струму Kі

5.2 Вхідний опір каскаду Rвх

если то

5.3 Вихідний опір каскаду Rвих

5.4 Коефіцієнт підсилення по напрузі Kи

5.5 Коефіцієнт підсилення по потужності Kр

5.6 Корисну вихідну потужність каскаду

5.7 Повну потужність, що витрачається джерелом живлення

5.8 ККД каскаду

5.9 Коефіцієнт нестабільності каскаду S

, де

при цьому S < (2 -7).

5.10 Верхні і нижня граничні частоти визначаються зі співвідношення для коефіцієнта частотних перекручувань:

на нижній частоті ;

и верхній частоті .

значення частоти обирається рівним 10КГц

Звичайно вибирається , тоді и ,

де

Сє,С_к – ємність колекторного перехода. (див. табличні дані транзистора)

Висновок.

6.1. Пояснити призначення всіх елементів схеми підсилювального каскаду. Параметри елементів схеми вибираються на підставі всього комплексу розрахунків. За даними розрахунку вибрати стандартні резистори і конденсатори по довіднику. [1]

6.2. За результатами аналізу підсилювального каскаду дати рекомендації з застосуванню обраного типу транзистора, оцінивши його коефіцієнти підсилення, частотні властивості, вихідні напруги і потужність у лінійному режимі і ККД.

РЕКОМЕНДОВАНА ЛІТЕРАТУРА.

Основна література

1. В.І. Мілих „ Електроніка та електромеханіка. “ Навчальний посібник,

К: Каравела,2006р.376стор.

2. В.І. Мілих ,, Електротехніка, електроніка та мікропроцесорна техніка.” Навчальний посібник, К:Каравела,2008р.688стор.

3. П.Г.Стахів ,, Основи електроніки з елементами мікросхематехніки“. Підручник, Львів, 2007, 225стор.

4. П.Г.Стахів ,, Основи електроніки .“. Підручник, Львів, 2006, 208стор.

5. І.А.Петренко ,, Основи електротехніки з елементами електроніки. “ Навчальний посібник, К: Університет ,,Україна, 2006р.,307 стор.

6. А.А.Солдатов ,,Электротехника”. Сборник задач, Воздушный транспорт,1987г.277стор.

7. В.І.Бойко ,, Основи схемотехніки електронних систем “ Підручник, В.Школа, 2004р.,527стор.

Допоміжна література

1. Ю.Г.Синдеев. ,, Электротехника с основами електроники” Учебное пособие.Ростов н/Д Феникс, 2006г.416стор.

2. В.Т.Дмитрів. ,, Електроніка і мікросхемотехніка“. Навчальний посібник.

,, Афіша“ ,2007р., 377 стор.

3. А.Т.Блажкин, ,,Общая електротехника”. Учебное пособие. Энергоатомиздат,1986г

592стор.

4. Ф.Е.Евдокимов. ,, Общая електротехника ”. Учебник.М:Высшая школа,1987г.

352стор.-4

5. Ю.М.Мурзин. ,, Электротехника ”. Учебник. Питер Прес.,2007

443стор.-3

Додаток А

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ

КРЕМЕНЧУЦЬКИЙ ЛЬОТНИЙ КОЛЕДЖ

НАЦІОНАЛЬНОГО АВІАЦІЙНОГО УНІВЕРСИТЕТУ

Циклова комісія: Авіаційного і радіоелектронного обладнання

КУРСОВА РОБОТА

з дисципліни: Електроніка, мікросхематехніка та мікропроцесорні пристрої.

тема: Розрахунок підсилюючого каскаду.

Виконав курсант навчальної групи___________-___________

___________________________

(П.І.Б)

Залікова книжка №___________

Дата видачі завдання:

«____»_______________20___р.

Керівник:___________________

___________________________

(П.І.Б)

Оцінка захисту______________

(в балах(прописом))

Голова комісії:

_________ _________________

(підпис) (П.І.Б. голови комісії)

Члени комісії:

_________ _________________

(підпис) (П.І.Б. голови комісії)

_________ _________________

(підпис) (П.І.Б. голови комісії)

«_____»_____________20___р.

Кременчук

20___р.

Додаток Б

КРЕМЕНЧУЦЬКИЙ ЛЬОТНИЙ КОЛЕДЖ

НАЦІОНАЛЬНОГО АВІАЦІЙНОГО УНІВЕРСИТЕТУ

Циклова комісія: Авіаційного і радіоелектронного обладнання

Дисципліна: Електроніка, мікросхема техніка та мікропроцесорні пристрої.

Спеціальність: 5.05110302 Експлуатація авіаційних електрифікованих комплексів

Курс 3 Група________________Семестр 5

ЗАВДАННЯ

на курсову роботу

курсанта

(прізвище,ім’я, по батькові)

1.Тема роботи_____________________________________________________

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

2.Строк здачі курсантом закінченої роботи «___»__________201___р.

3.Вихідні дані до роботи_______________________________________

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

4.Зміст розрахунково-пояснювальної записки (перелік питань, які підлягають розробці)__________________________________________

________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

5.Перелік графічного матеріалу ( з точним зазначенням обов’язкових креслень)___________________________________________________

____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________

6.Дата видачі завдання «____»__________________201__р.

Додаток В

КАЛЕНДАРНИЙ ПЛАН

Курсант______________________ ____________________________

(підпис) (прізвище, ініціали)

Керівник_____________________ _____________________________

(підпис) (прізвище, ініціали)

«_____»_______________20____р.

Додаток Г

ВІДГУК

керівника про курсову роботу курсанта

________________________________________

Тема:______________________________________________________

Робота є відповідною щодо: Зауваження керівника

__актуальності; __враховані і опрацьовані;

__новизни; __враховані частково;

__зв’язку з майбутньою професією. __не враховані.

Зміст роботи відповідає темі: Роботу:

__повністю; __ рекомендовано до захисту;

__частково; __не рекомендовано до

__не відповідає. захисту.

У роботі опрацьовано:

__всі необхідні джерела; Інші зауваження:

__недостатня кількість джерел. _______________________

_______________________

Висновки: _______________________

__відповідають темі: _______________________

__не відповідають темі. _______________________

_______________________

Оформлення списку літератури _______________________

відповідає вимогам :

__повністю;

__частково;

__не відповідає.

Робота на кожному етапі

підготовки подавалася керівникові:

__вчасно;

__із запізненням;

__не подавалася.

Керівник:

___________________________

«____»______________201___р.

Додаток Д

Додаток Е

ВАРИАНТИ ДО ЗАВДАННЯ 1.

1. МП21Г

2. МП21Д

3. МП39

4. МП40

5. МП41А

6. МП42А

7. МП42Б

8. ГТ108Б

9. ГТ108Г

10. МП114

11. МП116

12. КТ104А

13. КТ104Б

14. КТ104В

15. КТ201Б

16. КТ201Г

17. КТ208А

18. КТ209Б

19. ГТ310А

20. ГТ310Б

21. П416

22. П416А

23. П416Б

24. КТ3107А

25. КТ3107Б

26. КТ3107К

27. КТ313А

28. КТ313Б

29. КТ345А

30. КТ345Б

Додаток Є

ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРіВ

МП21Д, МП21Г

МП21Д – =40мкА МП21Г – =100мкА

=35В =35В

=50мА =150мВт =30 пФ

МП39, МП40, МП41А

МП39 – =400мкА МП40 – =200мкА МП41А – =100мкА

=15В =20мА =150мВт =50 пФ

МП42А, МП42Б

МП42А – =100мкА МП42Б – =150мкА

=15В =150мА =200мВт =50 пФ f_гр=1МГц

ГТ108Б, ГТ108Г

ГТ108Б – =100мкА ГТ108Г – =50мкА

=6В =50мА =75мВт =50 пФ

МП114, МП115, МП116

МП114 – =0,3мА МП115 – =0,3мА МП116 – =0,1мА

МП114 – =60В МП115 – =30В МП116 – =15В

=10мА =150мВт =50 пФ

МП114 – f_гр=0,92 МГц МП116 – f_гр=2,0 МГц

КТ104А, КТ104Б, КТ104В

КТ104А – =1,5мА КТ104Б – =0,4мА КТ104В – =0,2мА

КТ104А – =30В КТ104Б – =15В КТ104В – =15В

=50мА =150мВт =50 пФ

КТ201Г, КТ201Б

КТ201Б – =0,1мА КТ201Г – =0,05мА

КТ201Б – =20В КТ201Г – =10В

=30мА =150мВт =20 пФ

КТ208А, КТ209Б

КТ208А – =150мкА КТ209Б – =250мкА

=15В =300мА =200мВт =20 пФ

ГТ310А, ГТ31Б

ГТ310А – =20мкА ГТ310Б – =10мкА

(при =10кОм) =10В (при =200кОм) =6В

=10мА =20мВт =20пФ

П416, П416А, П416Б

П416 – =0,1мА П416А – =0,05мА П416Б – =0,03мА

(при =0) =15В (при ≤1кОм) =12В

=25мА =100мВт =20пФ

КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107К

КТ3107А – =0,2мА КТ3107Б – =0,1мА КТ3107К – =0,04мА

КТ3107А – =45В КТ3107Б – =45В КТ3107К – =25В

=100мА =300мВт =12Пф

КТ313А, КТ313Б

КТ313А – =0,1мА КТ313Б – =0,05мА

(при ≤1кОм) =50В

=350мА =300мВт =12пФ

КТ345А, КТ345Б

КТ345А – =0,075мА КТ345Б – =0,05мА

(при ≤10кОм) =20В

=200мА =150мВт =50пФ

Додаток Ж

Питання для доповіді - реферату.

1.Структура, принцип дії, режими та схеми вмикань (БТ).

2.Ключовий режим БТ.

3. Динамічні властивості та частотні параметри БТ.

4. Особливості побудови, функціонування та типи польового транзистора

5.Структура, принципи дії, характеристики, параметри та схеми вмикання ПТ з клерувальним р-n-переходом.

6.Структура, принцип дії, характеристики, параметри та схеми вмикання ПТ з вбудованим каналом.

7. Структура, принцип дії, характеристики, параметри та схеми автоматичного зміщення.

8.Особливості оптоелектроніки. Джерела та приймачі оптичного випромінювання.

9.Особливості побудови та функціонування оптронів та оптопар.

10.Визначення, класифікація, характеристики та параметри підсилювачів електричних сигналів.

11.Зворотний зв’язок та його використання для покращення характеристик та параметрів підсилювачів.

12.Стабілізація режиму роботи аналогових інтегральних мікросхем (ІМС).

13.Необхідність використання ІМС та побудова схем зсуву рівнів напруги.

14.Принципи побудови та використання одно каскадних інтегральних підсилювачів.

15.Принципи побудови та використання диференційних підсилювачів.

16.Основні властивості та принципи побудови ОП. Побудова вибіркових підсилювачів з використанням ІМС.

17.Вихідні каскади підсилення, підсилювачі потужності.

18.Умови самозбудження електричних схем.

19.Частотні та перехідні характеристики диференціюючих RC-схем.

20.Частотні та перехідні характеристики інтегруючих RC-схем.

21.Принципи побудови та дії автоколивальних мультивібраторів.

22.Принципи побудови та дії загальмованих мультивібраторів.

23.Принципипобудови та дії блокінг-генераторів.

24.Принципи побудови та дії генераторів лінійно-змінної напруги.

25.Елементарні логічні операції, їх графічне позначення та схеми, що використовуються для їх реалізації.

26.Принципова електрична схема логічних елементів та реалізація логічних функцій за допомогою транзисторно-транзисторної логіки (ТТЛ).

27.Принципова електрична схема логічних елементів та реалізація логічних функцій за допомогою (ЕСТЛ).

28.Принципова електрична схема логічних елементів МОН-логіки з резистивним навантаженням. Реалізація логічних операцій.

29.Порівняльний аналіз різних типів логічних елементів. Особливості ТТЛШ.

30.Оптоелекторнні ІМС, їх особливості та використання.

Поиск по сайту: