1. Основные отличия полевых транзисторов от биполярных.
2. Преимущества полевых транзисторов.
3. Устройство полевого транзистора с р-n переходом.
4. Основные процессы в полевых транзисторах.
5. Способы управления током в полевых транзисторах.
6. Отличие полевых и канальных транзисторов.
7. Устройство МДП-транзисторов.
8. Отличие МДП- и МОП-транзисторов.
9. Отличительные признаки МДП-транзисторов с индуцированным и встроенным каналом.
10. Режимы работы МДП-транзисторов.
11. Принцип действия МДП-транзисторов.
12. Роль подложки в МДП-транзисторах.
13. Пороговое напряжение и напряжение отсечки.
14. Схемы включения полевых транзисторов.
15. Изоляция рабочих областей МДП-транзисторов от подложки.
16. Управление МДП-транзистором через подложку.
17. Разновидности МДП-транзисторов.
Лабораторная работа № 6.
Исследование транзисторных усилительных схем
Базовые усилительные каскады
Основные схемы построения усилителей на биполярных транзисторах определяются возможными способами их включения: ОБ, ОЭ и ОК. Базовые схемы усилителей со вспомогательными элементами показаны на рис. 54.
Рис. 54. Базовые усилительные каскады с ОБ (а, б), ОЭ (в) и ОК (г)
Здесь:
· – напряжение питания;
· – входное напряжение;
· – выходное напряжение;
· – напряжение источника смещения;
· – сопротивление коллекторной нагрузки;
· – разделительный конденсатор;
· – блокировочный конденсатор;
· – эмиттерное сопротивление;
· – резисторы делителя, задающего режим каскада по постоянному току.
Усилительный каскад по схеме с ОБ
Особенностью классической схемы каскада с ОБ (рис. 54.а) является наличие отдельного источника смещения , с помощью которого задается режим транзистора по постоянному току, что достаточно неудобно. Поэтому на практике используется каскад с ОБ по схеме рис. 54.б, в котором режим по постоянному току задается делителем на резисторах , а по переменному току база соединена с "землей" через блокировочный конденсатор Сb.