1)Температурні властивості транзисторів. Діапазон робочих температур визначається температурними властивостями p –n переходу. При нагріванні від кімнатної температури (20 ) до 65 опір бази і закритого колекторного переходу зменшуються на 15-20%. Особливо сильно нагрівання впливає на зворотний струм колектора . Він збільшується в два рази при збільшенні температури на кожні 10°С. Приблизне значення струму при нагріванні можна визначити із рівняння:
, (45)
де - величина при підвищеній температурі;
- величина при нормальній температурі (20 ) ;
- різниця температур при нагріванні транзистора.
Все це впливає на характеристики транзистора і положення робочої точки (див.рис.17). Струм колектора зростає, а напруга зменшується, що рівнозначно відкриванню транзистора. Висновок: схеми ввімкнення транзисторів з СЕ потребують температурної стабілізації.
Рис.17. Вплив температури на положення робочої точки.
2) Частотні властивості транзисторів. Діапазон робочих частот транзистора визначається двома факторами:
· Наявність бар єрних ємностей на p –n переходах. Колекторна ємність впливає значно сильніше, так як вона під'єднана паралельно до великого опору (див.рис.18). На високих частотах ємнісний опір є значно меншим від опору , і колекторний перехід втрачає свої основні властивості.
· Виникнення різниці фаз між змінними струмами емітера і колектора. Це зумовлюється інерційністю процесу пересування носіїв через базу від емітерного переходу до колекторного, а також інерційністю процесів нагромадження і розсмоктування заряду в базі.
Від такого зсуву фаз на високих частотах зростає струм бази, а це призводить до зниження коефіцієнта підсилення за струмом. Найзручніше простежити це явище на векторних діаграмах (рис.19)
Рис.18. Еквівалентна схема транзистора
Перша з них відповідає нульовій частоті – усі струми збігаються за фазою ( ), а коефіцієнт має найбільше значення . При вищій частоті запізнювання струм на час пролітання носіїв чез базу відносно струму спричиняє зсув фаз між цими струмами . Тепер струм дорівнює не алгебраїчній, а геометричній різниці струмів , завдяки чому він помітно зростає.
Із збільшенням частоти коефіцієнт підсилення за струмом зменшується. Тому для оцінки частотних властивостей транзистора використовується один із основних параметрів – параметр граничної частоти . Граничною частотою називається така частота, на якій коефіцієнт підсилення зменшується в разів.
Для визначення коефіцієнтів підсилення за струмом на частоті f можуть бути використані формули:
(45)
(47)
де і – коефіцієнти підсилення за струмом при частоті f=0;
– граничні частоти транзистора в схемах з СБ і СЕ відповідно.
Рис.19. Векторні діаграми для струмів транзистора на різних частотах