Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

Домішкові напівпровідники



Електрична провідність напівпровідників, зумовлена домішками, називається домішковою провідністю, а самі напівпровідники - домішковими напівпровідниками. Електрична провідність напівпровідників дуже чутлива навіть до найменшої кількості домішок, які є в них. Так, домішок в кремній всього 0,001% бору збільшує його провідність при кімнатній температурі приблизно в 1000 разів.

Для вияснення механізму утворення домішкової провідності розглянемо вплив 5‑валентного миш'яку и 3-валентного індію на властивості германія, який є елементом четвертої групи періодичної системи елементів.

Германій має решітку, в якій кожен атом оточують 4 сусідніх атоми, зв'язаних з ним валентними силами (валентними електронами). На рисунку 2 показано плоску ідеалізовану схему кристалічної решітки германія. Насправді кристали германія мають форму тетраедра, в вершинах якого розташовані атоми. Позитивні заряди атомів компенсуються негативними зарядами електронів, і в цілому кристал є електрично нейтральним.

Замінимо частину атомів германія атомами 5-валентного миш'яку (As). Для створення зв'язку з чотирьома найближчими сусідами атом миш'яку затрачує 4 валентних електрона. П'ятий електрон у створенні зв'язків участі не бере. Він продовжує рухатися навколо атома миш'яку. Внаслідок того, що діелектрична проникність германію e=16, сила притягання електрона до ядра зменшується, а розміри його орбіти збільшуються в 16 разів; енергія зв'язку електрона з атомом зменшується в e2=256 разів і стає рівній DЕd=0,015 еВ. При передачі електрону такої енергії він відриваєть­ся від атома і одержує здатність вільно переміщуватись у ре­шітці германію, тобто стає електроном провід­ності.

 

 

 

На мові зонної теорії цей процес можна представити так. Між заповненою валентною зоною і зоною провідності чистого германію розташовується вузький енерге­тичний рівень валентних електронів миш'яку (рисунок 3). Цей рівень розташовується біля дна зони провідності на відстані DЕd=0,015 еВ. Його нази­вають донорним домішковим рівнем. При передачі електронам домішкового рівня енергії Е > 0,015 еВ (для цього тіло треба "нагріти" до температури 200 К) вони переходять в зону провідності. При цьому на місці атомів домішок утворюються позитивні іони миш'яку, які в електропровідності участі не беруть.

Через те, що енергія збудження електронів домішкових рівнів майже на 2 порядки менше енергії збудження власних елек­тронів германія, то при нагріванні збуджуються в першу чергу електрони домішкових атомів, внаслідок чого їх концен­трація може в багато разів перевищити концентрацію власних електронів. В цих умовах германій буде мати в основному домішкову електронну провідність. Домішки, що є джерелом електронів провідності, називають донорами, а енер­гетичні рівні цих домішок - донорними рівнями.

 
 

Припустимо тепер, що в решітці германію частина атомів заміщена атомами трьохвалентного індію (рисунок 4). Для утворення зв'язків с 4-ма найближчими сусідами у атома індію не дістає 1-ого електрона. Згідно закономірностям квантової статистики він запозичується у атома германія. Розрахунок показує, що для цього потрібно затратити енергію по­рядку DЕ=0,015 еВ. Розірваний зв'язок (дірка) не залишається локалізованою, а переміщується в решітці германію як вільний позитивний заряд +е.

На рисунку 5 показані енергетичні зони германію, який має домішок індію. Біля верхнього краю заповненої зони на відстані DЕа=0,015 еВ розташовані незаповнені енергетичні рів­ні атомів індію. Близькість цих рівнів до заповненої зони приз­водить до того, що вже при порівняно низьких температурах електрони з цієї зони переходять на домішкові рівні. Зв'язуючись з атомами індію, вони втрачають здібність переміщатися в решітці германію і в провідності участі не беруть. Носіями струму є тільки дірки, які виникли в валентній зоні. Тому провідність германію у цьому випадку в ос­новному діркова. Домішки, що захоплюють електрони із валентної зони напівпровідника, називаються акцепторами, а енергетичні рівні цих домішок - акцепторними рівнями.

Таким чином, на відміну від власної провідності, яка здійснюється одночасно електронами і дірками, домішкова провідність обумовлюється в основному носіями одного знаку: електронами у випадку донорної домішки і дірками у випадку акцепторної домішки. Ці носії називають основними. Окрім них напівпровідник містить неосновні носії: електро­н­ний напівпровідник - дірки, дірковий напівпровідник - елек­трони. Концентрація їх значно нижче концен­трації основних носіїв. Тому доля, що вноситься ними в прові­дність напівпровідника, в багато разів менше ніж доля, що вноситься основними носіями.

 




Поиск по сайту:

©2015-2020 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.