Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

РОЗРАХУНОК ТРАНЗИСТОРНОГО КЛЮЧА



 
 

 


Розрахункова схема транзисторного ключа зображена на рис. 3.1. Тип транзистора, напруга навантаження (Uн), струм навантаження (Ін) та мінімальне значення

 

Потрібно:

1) накреслити схему транзисторного ключа;

2) визначити напругу джерела живлення;

3) визначити номінали резисторів;

4) уточнити модифікацію типу транзистора і указати його параметри.

 

Теоретичні відомості

 

Ключем прийнято називати пристрій, який призначений для вмикання та вимикання кола навантаження під дією управляючих сигналів. На рис. 4.1 зображена схема транзис-торного ключа на біполярному транзисторі.

Найбільш поширена схема транзисторних ключів є схема із спільним емітером (СЕ).

У цій схемі вихідний струм значно більший вхідного , оскільки , ,

де β – статичний коефіцієнт підсилення струму бази. У поширених біполярних транзисторах β = 10–100.

Амплітуда вихідного імпульсу практично дорівнює встановленій напрузі джерела живлення. Напруга на базі закритого транзистора становить:

 

, (3.1)

 

де Іко – зворотній струм колектора при максимальній температурі р-n переходу.

 
 

Рис.3.1. Транзисторний ключ

Ключ буде зачинений поки напруга на базі менше граничної (порогової) напруги транзистора (Uбе. пор). Тому при відсутності відкриваючого імпульсу чи напруги:

 

. (3.2)

 

при відкритті транзистора напруга на базі дорівнює напрузі насичення (Uбе.нас), яка визначається з довідників. При їх відсутності можна вважати:

. (3.3)

 

Для розрахунку величини опору резистора R2 необхідно знайти вхідний струм Івх, що обумовлений відповідно відкриваючою напругою:

, (3.4)

де Ібн – струм насичення бази.

Струм насичення бази визначимо за виразом:

; (3.5)

де Еж – напруга джерела;

h21E min – мінімальне значення коефіцієнта передачі струму;

R3 – опір колекторного навантаження транзистора.

 

Напругу джерела живлення знаходять з відношення:

 

, (3.6)

де Uке нас – напруга колектор-емітер насичення, яка береться з
довідників.

Знаючи UбЄ нас і Ів знаходимо опір резистора R2 буде дорівнювати:

 

. (3.7)

В режимі насичення струм бази повинен бути:

 

, (3.8)

 

де К – коефіцієнт насичення (1,2…1,5).

Реальний струм бази в режимі насичення визначається опором резистора R1:

 

. (3.9)

 

На підставі цього виразу визначають номінал резистора R1. Опір резистора колекторного навантаження R3 знаходять з виразу:

 

. (3.10)

 

 

Таблиця 3.1

Розрахункові дані

№ Вар. Тип транзит-тора Ін, (А) Uн, (В) Іко, (мА) h21є Структура транзис- тора
КТ315Г 0,1 0,6 n-p-n
КТ3102Г 0,1 0,1 p-n-p
КТ325Б 0,15 0,05 p-n-p
КТ503Г 0,2 0,1 p-n-p
КТ502Г 0,25 0,1 n-p-n
КТ361Г 0,1 0,6 p-n-p
КТ601Б 0,3 0,5 n-p-n
КТ602В 0,2 0,3 n-p-n
КТ603Б 0,3 0,15 n-p-n
КТ604А 0,05 0,1 n-p-n
КТ605А 0,01 0,05 n-p-n
КТ814Г 0,8 p-n-p
КТ815Г 0,8 n-p-n
КТ816Г p-n-p
КТ817Г n-p-n
КТ818А p-n-p
КТ819А n-p-n
КТ315Д 0,1 0,6 n-p-n
КТ361Д 0,1 0,6 p-n-p
КТ502Б 0,2 0,1 p-n-p
КТ503Б 0,3 0,2 n-p-n
КТ601А 0,2 0,3 n-p-n
КТ602А 0,3 0,6 n-p-n
КТ815А 0,4 1,0 n-p-n
КТ817А 0,5 1,0 n-p-n

 

Розрахункова робота 4

 




Поиск по сайту:

©2015-2020 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.