3) растрова електронна мікроскопія (не дасть структуру, але дасть морфологію – мале/велике зерно)
4) електронна мікроскопія на відбиття
5) електронна мікроскопія на проходження (зразок має бути настільки тонкий, щоб промінь його пройшов, і тоді можна визначити структуру дифракцією швидких електронів)
6)Метод контактної різниці потенціалів (все, що адсорбується на поверхні – змінює Авих)
7) Трибонометричний метод (вимірювння коефіцієнту тертя, і визначення за його величиною рівня забрудненості поверхні)
10) скануюча тунельна мікроскопія (6) і 7)можуть дати інформацію про профіль – як нанесені плівки)
Коли на підкладинку потрапляє електронний промінь певної енергії, він призводить до появи характеристичного рентгенівського випромінювання, а оскільки рентгенівські спектри характерні для кожного елемента, можна визначити хімічний склад плівки.
Руйнівні методи передбачають здійснення пошарового досліження плівки. Може відбуватись різними способами:
· Досліджений шар стравлюють, наприклад Ar+, і вивчають наступний шар методами оже електронної спектроскопії або фотоелектронної спектроскопія. А все те, що було стравлене за допомогою Ar+ запускається до масс-спектрометра і здійснюється його вивчення шляхом вторинної йонної спектроскопії та спектрометрії. АЛЕ пучок, яким опромінюється поверхня, повинен мати меншу площу перерізу, ніж розміри витравленої області
· так зване стоп травлення (використання травників, що діють лише, наприклад, на n-області, а р не травлять, чи навпаки)
коли необхідно знати розподіл концентрації в р області, наприклад. Рідинним травленням робиться клин і з кроком вивчається структура. Цей метод потужний, але має погану чутливість (порядку мкм).
Контроль за допомогою растрового-тунельного мікроскопа:
На поверхні буде створюватися растр (набір плям).
Д – детектор вторинних електронів. На Д буде створюватися растр.
Є два види контрасту: z-контраст і топографічний контраст.
z-контраст : z1 < z2 – елементи на гладкій поверхні з відповідними атомними номерами. Коли промінь потрапляє на межу, то на екрані буде більша яскравість.
Топографічний контраст:
Чим більший кут падіння, тим більше вторинних електронів. Коефіцієнт вторинної емісії:
Щоб визначити тип контрасту потрібно міняти кут падіння. Якщо картинка міняється (інвертовано) яскравість, то маємо топографічний контраст.