А) Електронно-дірковий перехід без напруги

Напівпровідникові прилади.

Область на границі розділу двох напівпровідників з різними типами електропровідності називаєтьсяелектронно-дірковим переходом або р-n переходом.

Основною властивістю р-n – переходу є його одностороння провідність, тобто він має нелінійний опір.

а) Електронно-дірковий перехід без напруги

Розглянемо контакт двох напівпровідників з різним типом провідності. За рахунок хаотичного теплового руху відбувається дифузія носіїв заряду із одного напівпровідника в інший: із напівпровідника n-типу в напівпровідник р-типу дифундують електрони, а в зворотному напрямку із напівпровідника р-типу в напівпровідник n-типу - дірки.

В результаті дифузії носіїв по обидва боки границі розділу двох напівпровідників з різним типом провідності утворюються об’ємні заряди протилежних знаків (додатні і від’ємні іони). Поміж об’ємними зарядами, що утворилися, виникає так звана контактна різниця потенціалів U_{к =} φ_n - φ_p і внутрішнє електричне поле (вектор напруженості Е_к).

Таким чином, в р-n-переході виникає потенціальний бар’єр, який перешкоджає дифузійному переходу основних носіїв заряду.

Одночасно з дифузійним переміщенням основних носіїв через границювідбувається і зворотне переміщення неосновних носіїв під дією електричного поля контактної різниці потенціалів, тобто маємо дрейфовий струм (І_др). В усталеному режимі, тобто при динамічній рівновазі р-n-переходу дифузійний та дрейфовий струми рівні (І_др = І_диф) і протилежні за напрямом. Тому повний струм через перехід при відсутності напруги дорівнює нулю.

Таким чином в р- n-переході виникає шар, який називається запірним. Запірний шар має набагато більший опір порівняно з опором останніх об’ємів р- і n- напівпровідників.

Розглянемо фізичні процеси, які відбуваються в р-n-переході при прикладенні до нього напруги.

б) Електронно дірковий перехід при прямій напрузі(мал.1,а)

Припустимо, що джерело зовнішньої напруги підключено додатним полюсом до напівпровідника р-типу, а від’ємним – до напівпровідника n-типу. Така напруга, у якій полярність співпадає з полярністю основних носіїв, називається прямою.

Електричне поле, яке створюється зовнішньою напругою в прямому переході, діє назустріч полю контактної різниці потенціалів. Внаслідок чого результуюче поле зменшується і висота потенціального бар’єра на переході знижується, зростає дифузійний струм, так як знижений бар’єр може подолати більша кількість основних носіїв заряду. Струм дрейфу при цьому не зміниться, так як він залежить, головним чином, тільки від числа неосновних носіїв, які попадають за рахунок своїх теплових швидкостей на р-n-перехід із n- і р-областей.

При прямій зовнішній напрузі І_диф > І_др, тому повний струм через перехід, тобто прямий струм, вже не дорівнює нулю: І_пр= І_диф – І_др > 0.

Введення носіїв заряду через знижений під дією прямої напруги потенціальний бар’єр в область, де ці носії не є основними, називається інжекцією носіїв заряду. Область напівпровідникового приладу, звідки інжектують носії, називається емітером. А область, в яку інжектують неосновні для цієї області носії заряду, називають базою. Таким чином, якщо розглядати інжекцію електронів, то n-область є емітером, а р-область - базою. Для інжекції дірок, навпаки, емітер - р-область, а n-область - база.

При прямій напрузі не тільки знижується потенціальний бар’єр, але і зменшується товщина запірного шару (d_пр<d, де d - товщина запірного шара при відсутності прикладеної до переходу напруги) і його опір в прямому напрямку стає малим (одиниці-десятки Ом).

в) електронно-дірковий перехід при зворотному включенні напруги(мал.1.б)

Припустимо, що джерело зовнішньої напруги підключено від’ємним полюсом до напівпровідника р-типу, а додатним – до напівпровідника n-типу. Така напруга, у якій полярність не співпадає з полярністю основних носіїв, називається зворотною.

Маємо однакові напрямки векторів Е_к і Е_звр, внаслідок чого результуюче поле підсилюється (Е = Е_к+Е_звр), висота потенціального бар’єра збільшується (U = U_к +U_звр). Вже при невеликому підвищенні бар’єра дифузне переміщення основних носіїв через перехід припиняється, тобто і_диф = 0, так як власні швидкості носіїв недостатні для подолання бар’єра. А дрейфовий струм провідності остається незмінним, оскільки він визначається основним чином числом неосновних носіїв, які попадають на р-n-перехід із n - і р-областей.

Таким чином, зворотний струм I_звр є струмом провідності, утвореним переміщенням неосновних носіїв. Зворотний струм є дуже невеликим внаслідок малої кількості неосновних зарядів, і, крім того, опір запірного шару при зворотній напрузі дуже великий.

Поиск по сайту: