Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

Порядок выполнения эксперимента. · Соберите цепь согласно схеме (рис



· Соберите цепь согласно схеме (рис. 4.1.2а).

· Поочередно устанавливая значения токов IПР регулятором напряжения источника, измерьте соответствующие значения напряжения на p-nпереходе UБЭ и занесите их в табл. 4.1.1.

· Измените схему в соответствии сначала с рис. 4.1.2б, затем 4.1.2в и 4.1.2г и повторите все измерения.

 

 

 

Рис. 4.1.2

 

· На рис. 4.1.3 постройте графики IПР(UПР) для каждого случая и убедитесь, что вольтамперные характеристики всех p-nпереходов практически совпадают.

· Установите входное напряжение источника равным нулю, поменяйте его полярность (зажим «+» на «—») и увеличивая напряжение до 5 В (но не выше!), убедитесь, что ток в p-nпереходе практически остается равным нулю (не превышает 1 μА).

· Проделайте этот с остальными p-nпереходами согласно схеме на рис. 4.1.2 при обратной полярности источника питания.

 

Таблица 4.1.1

 

IПР, мА Транзистор n-p-n Транзистор p-n-p
UБЭ, В UБК, В UЭБ, В UКБ, В
       
       
       
       
       
       

 

 

Рис. 4.1.3

Распределение тока в транзисторе и управляющий эффект тока базы

Общие сведения

В транзисторе p-n-p типа (рис. 4.2.1) ток эмиттера к коллектору через базу обусловлен неосновными для базы носителями заряда – дырками. При положительном направлении напряжения UЭБ эмиттерный p-n переход открывается, и дырки из эмиттера проникают в область базы. Часть из них уходит к источнику напряжения UЭБ, а другая часть достигает коллектора. Возникает так называемый транзитный тока от эмиттера к коллектору. Он резко возрастает с увеличением UЭБ и тока базы.

В транзисторе n-p-n типа (рис. 4.2.1б) транзитный ток через базу обусловлен также неосновными для нее носителями заряда – электронами. Там они появляются из эмиттера, если к эмиттерному p-n переходу прикладывается напряжение UБЭ, полярность которого показана на рис. 4.2.1б.

 

 

Рис. 4.2.1

 

Токи эмиттера, коллектора и базы связаны между собой уравнением первого закона Кирхгофа:

IК = IЭ – IБ.

 

Обычно ток базы существенно меньше IК иIЭ, но от него сильно зависит как IК, так и IЭ. Отношение приращения тока коллектора к приращению тока базы называется коэффициентом усиления по току:

 

b = DIК ¤ DIБ.

 

Он может иметь значения от нескольких десятков до нескольких сотен. Поэтому с помощью сравнительно малого тока базы можно регулировать относительно большие токи коллектора (и эмиттера).

Экспериментальная часть




©2015 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.