Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

Экспериментальная часть



Порядок выполнения экспериментов

· Соберите цепь согласно схеме (рис.4.3.1). Потенциометр 1 кОм используется для регулирования тока базы, резисторы 100 и 47 кОм – для ограничения максимального тока базы. Измерение тока базы IБ и напряжения UБЭ производятся мультиметрами на пределах 200 μА и 2 В соответственно. Регулирование напряжения UКЭ осуществляется регулятором источника постоянного напряжения, ток коллектора IК и напряжение UКЭ измеряются виртуальными приборами (пределы измерения коннектора изменяются в ходе работы по мере необходимости или по подсказкам компьютера).

 

· Установите первое значение тока базы 20 μА и изменяя напряжение UКЭ согласно значениям, указанным в табл. 4.3.1, снимите зависимости IК(UКЭ) и UБЭ(UКЭ). Повторите эти измерения при каждом значении IБ, указанном в таблице.

 

Рис.4.3.1

 

Примечание: характеристики транзистора изменяются в ходе работы из-за его нагрева. Поэтому для большей определенности рекомендуется установить нужные значения IБЭ и UКЭ, выключить на 30 с блок генераторов напряжений, затем включить его и быстро записать показания приборов V1 и A2.

Таблица 4.3.1

UКЭ, В IБ = 20 μА IБ = 40 μА IБ = 60 μА IБ = 80 μА
IК, мА UБЭ, В IК, мА UБЭ, В IК, мА UБЭ, В IК, мА UБЭ, В
               
0,5                
               
               
               
               
               

· На рис. 4.3.3 постройте графики семейства выходных характеристик IК(UКЭ) и семейство характеристик обратной связи UБЭ(UКЭ), не забыв указать какому току базы соответствует каждая кривая.

· Установите UКЭ = 0 и изменяя ток базы в соответствии со значениями, указанными в табл. 4.3.2, снимите зависимость UБЭ(IБ), Увеличьте напряжение UКЭ до 5 В и снова снимите зависимость UБЭ(IБ), а также и IК(IБ). Повторите этот опыт также при UКЭ = 15 В. (При проведении этих измерений также учитывайте примечание к предыдущему опыту).

· На рис. 4.3.3 постройте графики входных IБ(UБЭ) и регулировочных IК(IБ) характеристик, указав для каждой кривой соответствующие значения UКЭ.

 

Таблица 4.3.2

IБ, μА UКЭ = 0 В UКЭ = 5 В UКЭ = 15 В
UБЭ, В IК, мА UБЭ, В IК, мА UБЭ, В IК, мА
           
           
           
           
           
           

 

 

 

Рис. 4.3.3


Установка рабочей точки транзистора и исследование влияния резистора в цепи коллектора на коэффициент усиления по напряжению усилительного каскада с общим эмиттером

Общие сведения

Изменение тока коллектора IК транзистора, вызванное изменением тока базыIБ, приводит к изменению падения напряжения на последовательно включенном резисторе RКи изменению напряжения UКЭ на транзисторе. В свою очередь изменение тока коллектора вызывается изменением напряжения в цепи база/эмиттер UБЭ. Отношение этих напряжений есть коэффициент усиления транзистора по напряжению:

 

nU = DUКЭ ¤ DUБЭ.

 

Поскольку изменение напряжения цепи коллектор ¤ эмиттер UКЭ зависит от резистора RК, этот резистор также влияет на усиление по напряжению.

Экспериментальная часть




©2015 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.