Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

РЕАЛЬНЫЙ (несимметричный) р-n переход



Если примесей в одной из областей на 2-3 порядка больше, то переход называется несимметричным.

ЭМИТТЕР - область с высокой концентрацией ОН.

БАЗА - область с низкой концентрацией ОН.

Запирающий слой располагается в основном в области базы (рис.7)

свойство односторонней прово­димости несимметричный р-n переход

2. Контрольные вопросы

2.1. Нарисуйте р-n переход при прямом включении, укажите направление внешнего и внутреннего поля, полярность источника питания.

2.2. Нарисуйте обратное включение р-n перехода, укажите направление внешнего и внутреннего электрического поля, полярность источника питания.

2.3. Как при прямом включении р-n перехода изме­няется: высота потенциального барьера, ширина запирающего слоя, сопротивление, прямой ток.

2.4. Укажите, как при обратном включении p-n пере­хода изменяются диффузионный ток (ОН), высота потенциального барьера, запирающий слой, сопротивление р-n перехода.

2.5. Нарисуйте ВАХ р-n перехода, укажите примерную величину прямого напряжения и область тепло­вого пробоя.

2.6. Как называются области несимметричного р-n перехода: область с большей концентрацией примеси, область с меньшей концентрацией?

Задание на СРС

3.1. Конспект «Пробой р-n перехода» [ОЛ6.2] стр.24

Задание на СРСП

4.1. Переход Шотки

Глоссарий

Термин Каз.яз. Англ.яз
р-n переход ВАХ Эмиттер, База Прямое включение Обратное включение Несимметричный р-n переход Р-п ауысуы ВАС Эмиттер, база Тура қосылу Кері қосылу Симметриялы емес р-п ауысуы   Direct cwich

ЛЕКЦИЯ №3

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ (ППД)

1. Краткое содержание лекции

Полупроводниковым диодом называется полупроводниковый прибор с одним p-n переходом и двумя выводами. Диоды обладают свойством односторонней проводимости:

При прямом включении сопротивление диода становится малым и через него протекает большой ток, а при обратном включении сопротивление диода будет большим и через него протекает маленький ток.

1.1. Классификация диодов:

ППД - приборы с двумя выводами и одним р-п переходом подразделяются:

1 -выпрямительные; 5 -фотодиоды;

2 -стабилитроны; 6 -светодиоды;

3 -варикапы; 7 -диоды Шоттки и др.

4 -туннельные;

Выпрямительные диоды (низкочастотные) выпрямительные (силовые) диоды используются в целях для выпрямления больших токов низкой частоты. Выпрямительные диоды выполняются плоскостными.

Плоскостные диоды более мощные потому, что хорошо охлаждаются большей поверхностью перехода. В выпрямительных диодах используются односторонняя проводимость перехода (p-n переход пропускает только прямой ток).

1.2. Вольт-амперная характеристика диода (ВАХ) –зависимость протекающего тока через диод от приложенного напряжения. Она поясняет свойства выпрямительного диода – при подаче маленького, но прямого напряжения через диод протекает большой ток, а при подаче обратного, даже большого, ток протекает маленький.

ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ

Диод, предназначенный для преобразования пе­ременного тока в постоянный. Его принцип действия основан на свойстве односторонней проводимости р-п перехода.

Рис.1. Выпрямительные диоды выполняются на основе Geи Si. Кремниевые диоды более температуростабильны.

Примеры маркировки

1.3. Схема однополупериодного выпрямителя приведена на рис. 2.

Рис.2. Рис. 3

Периодически напряжение сети становится положительным (прямым) и через диод течет прямой ток, подзаряжающий конденсатор. При отрицательных полуволнах напряжение сети диод оказывается обратно включенным и ток не проходит. Конденсатор разряжается на нагрузку. Емкость конденсатора большая он разряжается медленно поэтому выпрямленное напряжение в нагрузке (U выпр.) и выпрямленный ток ( выпр.) почти постоянны. (См. рис.3.)

Для анализа работы полупровод­никового диода удобно пользоваться эквивалентной схемой. В общем слу­чае эквивалентная схема полупровод­никового диода имеет вид, показан­ный на рис.6.

На этой схеме: СВ — емкость между выводами; LB —индуктив­ность зыводов; rS— последователь­ное сопротивление областей полупроводникового кристалла и выводов диода; Rp-n - переменное сопротивление p-n-перехода; Сзар — переменная зарядная емкость; Сдиф — переменная диффузионная емкость.

Рис.4. Рис. 5. ВАХ стабилитрона

 

Рис. 6 Структура плоскостных Рис. 7. СтруктураРис.8. Эквивалентная полупроводниковых диодов то­чечного диода (а). схема

после формовки (б)

Явление электрического пробоя, опасное для обычных диодов, находит полезное применение в кремниевых плоскостных диодах, получивших название кремниевых стабилитронов, или опорных диодов.

Полупроводниковый стабилитрон - полупроводниковый диод, напряжение на котором сохраняется с определенной точностью при протекании через него тока в за­данном диапазоне, предназначенный для стабилизации напряжения. Входящий в стабилитрон кремниевый p-n переход работает в режиме электрического пробоя. При этом вольт-амперная характе­ристика есть обратная ветвь характеристики р-n перехода, которая в режиме электрического пробоя почти параллельна оси токов рис. 5. Схема стабилизатора – рис. 3.

Основными электрическими параметрами стабилитрона являют­ся: напряжение стабилизации, макси­мальный и минимальный токи стабилизации.

2. Контрольные вопросы

2.1. Что называется полупроводниковым диодом?

2.2. Для чего предназначены выпрямительные диоды?

2.3. Классификация диодов.

2.4. Система условных обозначений диодов.

2.5. Отличие характеристик реального диода от идеального p-n перехода.

2.6. Какие диоды более мощные плоскостные или точечные и, какие более высококачественные?

2.7. Принципиальная схема однополупериодного выпрямителя и принцип выпрямления.

2.8. Показать на графике отличие характеристик германиевого и кремниевого диодов.

Задание на СРС

3.1. Конспект [ОЛ6.2] стр. 33-35 Параметры диодов.

Зарисовать ВАХ кремниевого и германиевого диодов [ОЛ6.2] стр. 34.

Задание на СРСП

4.1. Пояснить причины отличия ВАХ кремниевого и германиевого диодов.

4.2. Пояснить методику определения параметров полупроводниковых диодов

Глоссарий

Термин Каз.яз. Англ.яз
Выпрямительные диоды Фотодиоды Стабилитроны Светодиоды Варикапы Туннельные диоды Плоскостные диоды Точечные диоды Түзеткіш диодтар   Фотодиод Стабилитрондар Жарық диод Варикап Туннельдік диодтар Жазықтық диодтар Нүктелік диодтар     Photodiod

ЛЕКЦИЯ №4

1. Краткое содержание лекции

ТУННЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ

Это ПП диод, в котором ТУННЕЛЬНЫЙ эффект при­водит к появлению на ВАХ при прямом напряжении участка с отрицательным дифференциальным сопро­тивлением.

Туннельный эффект-переход электронов ив зоны проводимости n-области в валентную зону p-об-ласти без изменения энергии.

Условия возникновения туннельного эффекта - высокая концентрация примесей (1018 – 1020 см-3 вырожденный ПП).

Следствием этого является:

· малая толщина перехода (на 2 порядка меньше -10-2 мкм);

· перекрытие ЗП n -области с ВЗ р-области (за счет расширения соответствующих зон при рас­щеплении примесных уровней).

В ВЗ р-области и в ЗП n-области заняты нижние уровни – верхние уровни оказываются свободными.

На ВАХ туннельного диода (рис.1) имеем:

· участок О-В и В-Д Iтун при прямом напряжении;

· участок О-Ж Iтун при обратном напряжении (Uобр)

· участок Д-Е Iдиф при прямом напряжении;

· Участок В-Д обладает отрицательным дифферен­циальным сопротивлением

Применение: в переключающих цепях сверхвысокого быстро­действия;

в автогенераторах СВЧ (до 100 ГГц (рис.2);

усиление на СВЧ ( до I см – десятки ГГц).

Рис.1 Рис.2 Рис. 3. Простейшая схема

диодного ключа

ИМПУЛЬСНЫЕ ДИОДЫ

Импульсным полупроводниковым диодом называется полупроводни­ковый диод, имеющий малую длительность переходных процессов, пред­назначенный для применения в импульсных режимах работы.

На рис. 3 приведена простейшая схема диодного ключа, работаю­щего на активную нагрузку. На диод подаются прямоугольные импуль­сы от генератора импульсов (рис. 4,а). Когда подается отрицатель­ный импульс, сопротивление диода высокое, ключ разомкнут, при по­ложительном импульсе сопротивление низкое, ключ замкнут.

Рассмотрим процессы, происходящие в диоде при его переключении с обратного напряжения на прямое и с прямого на обратное.

До момента времени t1 диод закрыт поданным на него обратным на­пряжением (рис. 4, а,б), поэтому через нагрузку и диод течет лишь обратный ток диода.

В момент времени t1 напряжение переключается с обратного на прямое. Так как сопротивление нагрузки обычно много больше сопротивления открытого диода, то можно считать, что в про­межутке времени между t1 и t3 через нагрузку и диод течет постоянный по величине ток Iпр (рис. 4,б), а напряжение на диоде .

При появлении прямого тока ин­жектированные дырки диффундируют в глубь базы, их концентрация по мере удаления от р-п-перехода уменьшается и через некоторое время в базе устанавливается распределение избыточных дырок.

Этот переходный процесс можно наблюдать на временной диаграмме прямого напряжения на диоде (рис.4, в).

Рис. 4. Временные диаграммы токов Рис. 5 а — зависимость зарядной

и напряжений емкости от напряжения смещения;

б и в — временные диаграммы в—эквивалентная схема варикапа

Интервал времени от начала импульса прямого тот до момента, когда прямое напряжение на диоде уменьшится до уровня 1,2 от уста­новившейся величины Uпр называется временем установления прямого напряжения диода и обозначается tyст.. Как известно, при ограниченной величине тока накопление заряда мгновенно произойти не может.

Накопление неравновесных носителей в приконтактных областях р-п-перехода связано с зарядом диффузионной емкости, а рассасыва­ние неравновесного заряда соответствует, разряду этой емкости. Сле­довательно, чем меньше Сдиф, тем быстрее (при прочих равных условиях) протекают переходные процессы в диоде. Для уменьшения диффузионной емкости диода необходимо уменьшить время жизни неравновесных носителей. Это достигается увеличением удельной проводимости области базы, а также легированием полупроводника базы золотом (или медью).

ВАРИКАПЫ

Варикап это полупроводниковый диод, действие которого осно­вано на использовании зависимости емкости от обратного напряже­ния и который предназначен для применения в качестве элемента с элек­трически управляемой емкостью.

Принцип действия варикапа основан на свойстве зарядной емкости обратно смещенного р-п-перехода изменять свою величину в зависи­мости от приложенного к нему напряжения (рис. 5).

Варикапы широко используют в схемах автоматической подстрой­ки частоты, амплитудной и частотной модуляции, в схемах параметри­ческих усилителей и др. Варикапы, применяемом в диапазоне СВЧ в па­раметрических усилителях, называют параметрическими диодами.

2. Контрольные вопросы

2.1. Выпишите основные требования к импульсным диодам, назовите эффективный способ уменьшения времени жизни неравновесных носителей

2.2. Какой переход используется в диодах Шоттки? 14. Укажите основные параметры импульсного диода.

2.3. Назначение варикапа. Приведите ВАХ, прин­цип работы, схемное изображение.

2.4. Какой переход используется в ВЧ диодах?

Задание на СРС

3.1.Конспект «Основные справочные параметры ТД, ИД, варикапов» [ОЛ6.2] стр. 54-55, 38-39, 51-52.

Задание на СРСП

4.1. [ОЛ6.2] стр. 55, рис.3.19. Пояснить эквивалентную схему ТД.

Глоссарий

5. Глоссарий
Термин Каз.яз. Англ.яз
Отрицательное дифференциальное сопро­тивление Туннельный диод Вырожденный ПП Импульсный диод Варикап Время установления Время жизни носителей заряда Теріс диф. кедергі     Импульсті диод   Қосылу уақыты Заряд тасымалдаушының жүру уақыты  

ЛЕКЦИЯ №5

 




Поиск по сайту:

©2015-2020 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.