Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

Электрод, от которого начинают движение носители заряда называется исток, электрод, к которому они движутся – сток.



По каналу, под действием продольного внешнего электрического поля, созданного Uси движутся электроны от истока к стоку.

носителей,чем n слой,изменение ширины p-n перехода происходит в основном за счет ширины канала (n). Измен. сечения токоведущ. канала → Iс Особенность полевого транзистора в том, что на Iс Особенность полевого транзистора в том, что на Iс

Uзи – обратное для p-n перехода, возникающего между затвором и каналом. При изменении Uзи, изменяется ширина p-n перехода - участка, обедненного ОНЗ, т.к. p-слой имеет большую концентрацию основных

Особенность полевого транзистора в том, что на Iс Особенность полевого транзистора в том, что на Iс (сильнее). Эти процессы илюстрир. семейств. стокозатв. характеристик.

На входе его практ. не расходуется мощность.

Схема замещения пол. тр-ра с упр. p-n

В обл. выс. част. В обл. ниж. част.


Характеризует работу тр-ра в обл. 2 стоковой ВАХ для перемен. составл. тока и И

2.1.4.2 МДП транзистора

Полевые транзисторы с изолированным затвором в отличии от вышерассмотренных имеют затвор, изолированный от области канала слоем диэлектрика (им может быть SiO2)

Принцип действия основан на эффектах изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля.

Приповерхностный слой полупроводников является токоведущим каналом этих транзисторов.

Выполн. Двух типов – со встр. индукц. кан.

2.1.4.3 МДП тр-ры со встроен. каналом

 

 

  2.1.4.4 МДП тр-р с индуц. каналом       Значение межэлектрод. емкостей Сзн1Сси<10пф Сзс<2пф Меньше, чем у тр-ров с упр. n-p пер. Применяется широко в интегр. исполнении.  

ЛЕКЦИЯ №11

2.1.5 Биполярные транзисторы

2.1.5.1 Структура, схемы включения, схемное обозначение

Биполярным транзистором называется трехэлектродный полупроводниковый прибор, содержащий два взаимодействующих p-n перехода, выходной ток которого управляется изменением входного тока.

Э – эмиттер (испускающий заряды)

К – коллектор (собирающий заряды)

Б – база

Эмиттерный переход – ЭП

Коллекторный переход – КП

Различают три схемы включения биполярного транзистора:

А) с общей базой

Б) с общим эмиттером

В) с общим коллектором

А) Самая распространенная – обеспечивает усиление по U и I

Б) Усиливает только по U

В) Усиливает только I

Токи транзистора связаны равенством Iэ=IБ+Iк

2.1.5.2 Устройство и принцип действия транзистора.

Основные уравнения токов транзистора

 




Поиск по сайту:

©2015-2020 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.