Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

Токи в полупроводниках – направленное движение зарядов – электронов и дырок.



Различают:

 

диффузионный ток – движение зарядов от большей концентрации к меньшей

дрейфовый – движение зарядов под действием электрического поля.

Электрон движется навстречу силовым линиям электрического поля, дырка – по силовым линиям.

 

 

2.1.2 Электронно - дырочный переход (р - n переход).

2.1.2.1 Процессы в p- n переходе при отсутствии внешнего источника.

(изолированный p- n переход)

 

Электронно – дырочным или p – n переходом называют область на границе полупроводника с различным типом проводимости.

Его получают вплавлением или диффузией соответствующих примесей в монокристаллы полупроводника.

Рассмотрим процессы в изолированном p – n переходе при одинаковой концентрации дырок и элементов в p и n областях:

эпюра напряжений

а) вследствие наличия градиента концентрации носителей зарядов начинается встречное движение электронов и дырок. à диффузионный ток ОНЗ – jдиф. ОНЗ.

Б) электроны и дырки, переходя в соседние области рекомбинируют – концентрация основных носителей в пограничных областях снижается, т.е. на границе полупроводника с различным телом проводимости образуется

Слой, бедный ОНЗ и близкий по проводимости к диэлектрику. б – изолирующий слой (запирающий).

В) по краям изолированного слоя в области n сосредотачиваются положительно заряженные ионы донорной примеси (неподвижные узлы кристаллической решётки – атомы, получившие положительную ионизацию, а в области p – отрицательно заряженные ионы акцепторной примеси(атомы присоединившие элементы)).

Г) между противоположными зарядами возникает внутреннее электрическое поле Евнутр., силовые линии которого направлены из n к p.

Д) Евнутр препятствует диффузионному движению ОНЗ. jдиф. снижается.

Е) Евнутр способствует движению через p – n переход

ННЗ à дрейфовый ток ННЗ ^ ; jдрейф ^ - направление ротивоположное jдиф

ж) Поскольку в изолированном полупроводнике плотность тока = 0 – наступает динамическое равновесие: jдиф.онз – jдрейф.онз = 0

з) в p-n переходе устанавливается контактная разность потенциалов (потенциальный барьер). Uконт ,которая определяется концентрацией примесей в n и p областях, чем > Uконт, тем более широкую полосу по кидают ОНЗ на границе.

2.1.2.2 Прямое включение p – n перехода.

Противоположно Eвнутр

а)контурная разность потенциалов снижается : Uрез=Uконт –Uпр ; и результ. поле в переходе снижается Ерез= Eвнутр – Eвнеш .

 




Поиск по сайту:

©2015-2020 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.