Статические параметры ЛЭ

Статические параметры определяют условия формирования и значения напряжений высокого и низкого уровней на выходе ЛЭ, его нагрузочную способность, потребляемую мощность при заданных напряжениях питания, нагрузке и температуре окружающей среды.

К статическим параметрам ЛЭ относятся:

· входные (U⁰_вх, U¹_вх) и выходные (U⁰_вых, U¹_вых) напряжения логического «0» и логической «1»;

· входные (U⁰_{вх пор}, U¹_{вх пор}) и выходные (U⁰_{вых пор}, U¹_{вых пор}) пороговые напряжения логического «0» и логической «1»;

· входные и выходные токи логического «0» и «1» (I⁰_вх, I¹_вх, I⁰_вых, I¹_вых);

· токи потребления в состоянии логического «0» и «1» (I⁰_пот, I¹_пот);

· потребляемая мощность (Р_пот).

Входной ток ЛЭ задается для неблагоприятного режима работы в пределах допустимых температур окружающей среды и напряжения питания как для уровня «0» (I⁰_вх), так и для уровня «1» (I¹_вх).

Выходные токи (I⁰_вых, I¹_вых) характеризуют нагрузочную способность ЛЭ.

Втекающие токи имеют положительный знак, вытекающие – отрицательный. Помехоустойчивость определяется относительно этих токов. Поэтому увеличение коэффициента разветвления приводит к снижению помехоустойчивости.

Мощность, потребляемая ЛЭ от источника питания, определяется как:

где U_i – напряжение i-го источника питания; I_i – ток в соответствующей цепи питания.

Если потребляемая мощность зависит от выходного напряжения «0» (Р⁰_пот) или «1» (Р¹_пот), то в качестве основного параметра используют среднюю потребляемую мощность Р_пот = (Р⁰_пот + Р¹_пот)/2.

Для ЛЭ, потребляющих значительную мощность при переключении, средняя потребляемая мощность в технической документации задается в виде зависимости Р_{пот ср} = f (F_имп), где F_имп – частота следования импульсов.

Семейства ИС

Логические элементы, выполненные на основе одной конструктивно-технологической реализации, образуют семейство схем. Широко распространены семейства микросхем ТТЛ, ТТЛШ, …, КМОП-логики.

ТТЛ сокращенно означает транзисторно-транзисторная логика.

Элементы этих схем построены на основе биполярных транзисторов.

В схемах семейства КМОП применяются комплементарные МОП-транзисторы с каналами n- и p-типа.

Семейство ТТЛ-схем

Логические элементы схем этого семейства строятся на основе многоэмиттерных биполярных транзисторов (рисунок 1.8).

а) – принципиальная схема	б) – УГО
Рисунок 1.8 – Простой ТТЛ-элемент 3И-НЕ

Если на входах А, В и С действует высокое напряжение, то транзистор Т₁ работает в инверсном режиме (переход база-коллектор смещен в прямом направлении). Транзистор Т₂ открыт, и на выходе Z будет низкое напряжение (примерно 0,2В).

Если на одном их входов транзистора Т₁ действует низкое напряжение, то транзистор Т₁ работает нормально в режиме насыщения. Напряжение на его коллекторе падает примерно на 0,2В. Транзистор Т₂ закрывается. На выходе Z будет высокое напряжение.

Если один из входов многоэмиттерного транзистора Т₁ «висит в воздухе», то он приравнивается к входу с высоким уровнем напряжения, так как такой вход не способен понизить напряжение в точке X схемы (рисунок 1.8) до 0,2В.

ТТЛ-элементы выпускаются в виде интегральных микросхем. Например, микросхема SN7400 (отечественный аналог ЛА3 серии К155) содержит четыре элемента 2И-НЕ (рисунок 1.9).

В основном ТТЛ-элементы выпускаются в DIP-корпусах (рисунок 1.10).

В семейство ТТЛ-схем входят несколько серий ИМС. Все они имеют напряжение питания ± 5В и совместимы друг с другом.

Рисунок 1.9 – Схема подключения интегральной микросхемы SN7400

Стандартная ТТЛ-серия К155 (7400) была первым промышленным стандартом.

Рисунок 1.10 – Корпус DIP с двухсторонним расположением выводов

В ТТЛШ-серии К531 (74S00) применение диодов и транзисторов Шоттки позволило сократить времена переключения схем.

Маломощная ТТЛШ-серия К555 (74LS00) обладает более низкой потребляемой мощностью (таблица 1.1).

Таблица 1.1 – Электрические характеристики ИМС ТТЛШ-серии К555 (74LS00)

В семействе ТТЛ-схем имеются все типы элементов, реализующих основные логические функции:

· НЕ (элементы ЛН);

· mИ (элементы ЛИ);

· mИ-НЕ (элементы ЛА);

· mИЛИ (элементы ЛЛ);

· mИЛИ-НЕ (элементы ЛЕ);

· mИ/mИЛИ-НЕ (элементы ЛР).

Поиск по сайту: