Помощничек
Главная | Обратная связь


Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

А9 Преобразование модели транзистора с учетом паразитных элементов корпуса



Для преобразования модели транзистора необходимо открыть меню Project(проект), Add Schematic(добавить схему), выбрать команду New Schematic(Новую схему), в форме Create New Schematicввести название для новой схемы, печатая поверх Schematic 1, IVCurve . Нажать OK.

Далее необходимо выбрать закладку Elements, Subcircuits,элемент EFA240Bи перенести его на вновь созданную схему IVCurve(рис. 11).

Рисунок 11. Преобразование модели транзистора EFA240B

 

А10 Составление компьютерной модели транзистора, описываемой SPISE-параметрами и учитывающей паразитные элементы корпуса.

Модель транзистора представлена на рис. 11 в виде трех- полюсника. Для изменения символа модели необходимо дважды щелкнуть по элементу, появится окно свойств элемента (Свойства). Нажать кнопку Выбор символа (Symbolна рис. 12) .

 

Рисунок 12. Замена символа транзистора

В появившемся окне выбрать

FET@system.syfи нажать ОК (рис. 12).

 

Рисунок 13. Компьютерная модель транзистора EFA240B

 

Полученная компьютерная модель транзистора EFA240Bв среде программирования Microwave Office описывается Spise-параметрами и учитывает также паразитные элементы корпуса.


Контрольные вопросы

1. Какова роль современных информационных технологий в автоматизации проектирования телекоммуникационных передающих устройств?

2. Каковы требования к системе автоматизированного проектирования?

3. Каковы функции генератора с внешним возбуждением (ГВВ) в радиопередающих устройствах?

4. Изобразите структурную схему усилителя мощности и поясните назначение отдельных ее частей.

5. К решению каких задач сводится разработка ГВВ применительно к той или другой реализуемой им функции?

6. Каковы трудности аналитических методов анализа работы ГВВ в различных режимах и синтеза оптимальных схемных и технологических решений?

7. Каковы функции генератора с внешним возбуждением (ГВВ) в радиопередающих устройствах?

8. Изобразите структурную схему усилителя мощности и поясните назначение отдельных ее частей.

9. К решению каких задач сводится разработка ГВВ применительно к той или другой реализуемой им функции?

10. Каковы трудности аналитических методов анализа работы ГВВ в различных режимах и синтеза оптимальных схемных и технологических решений?

11. Каково влияние температуры на режимы работы транзистора?

12. С какой целью транзистор описывается сложными нелинейными моделями?

13. Поясните методику составления нелинейной зарядовой модели транзистора.

14. Какие допущения приняты в зарядовой модели транзистора для ее использования в инженерных расчетах?

15. Изобразите кусочно-линейную высокочастотную модель биполярного транзистора и поясните физическую сущность ее элементов.

16. В каком виде представлены математические модели транзисторов в инструментальной среде AWR Microwave Office?

17. Какие типы биполярных транзисторов наиболее широко используются в настоящее время при разработке телекоммуникационных устройств?

18. Перечислите основные модели биполярных транзисторов, представленные в инструментальной среде AWR Microwave Office.

19. Приведите классификацию SPICE-параметров, являющихся составной частью математической модели транзистора в AWR Microwave Office?

20. Каким образом SPICE-параметры связаны с типом выбранного транзистора?

21. Поясните методику ввода SPICE-параметров при их отсутствии в базе данных AWR Microwave Office.

22. Дайте краткую информацию о технологии производства и области применения биполярных транзисторов.

23. Какие типы полевых транзисторов наиболее широко используются в настоящее время при разработке телекоммуникационных устройств?

24. Перечислите основные модели полевых транзисторов, представленные в инструментальной среде AWR Microwave Office.

25. Каковы перспективы развития технологии производства полевых транзисторов?

26. В соответствии с методикой подготовки MWO к проведению исследований ГВВ (алгоритм ГВВ1) создайте программу с компьютерной моделью транзистора, выбранного по заданию преподавателя.

 

 




Поиск по сайту:

©2015-2020 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.