ПОДЛОЖКА ДЛЯ КАСКАДНЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»

Аналитический патентный обзор по технологии тонких пленок

по теме

«Полупроводниковые пленки»

Выполнила: Нигмадзянова Н. Р.

Студентка группы Т9-77К

Проверил: Антоненко С. В.

Москва 2012

Оглавление

Введение. 3

1. ГАЗОАНАЛИЗАТОР. 4

2. НАНОПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОВЫЙ ДАТЧИК. 5

3. ПОДЛОЖКА ДЛЯ КАСКАДНЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ. 6

4. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК ДИОКСИДА ОЛОВА.. 7

5. ГАЗОВЫЙ ДАТЧИК. 8

6. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ. 9

7. УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ. 10

8. ДАТЧИК МИКРОПРИМЕСЕЙ АММИАКА.. 11

9. ДВУМЕРНЫЙ КООРДИНАТНО-ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ПРИЕМНИК ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ. 12

10. ГАЗОАНАЛИЗАТОР УГАРНОГО ГАЗА.. 13

Заключение. 14

Литература. 15

Введение

В данной работе приведен аналитический обзор по технологии тонких пленок по патентным документам и заявкам Российской Федерации не старше 10 лет.

При составлении данной работы были использованы материалы с сайта федеральной службы по интеллектуальной собственности, патентам и товарным знакам www.fips.ru.

Для каждого патентного документа указаны: международная классификация, номер патента, его авторы и патентообладатель, название, формула изобретения и его возможная область применения.

ГАЗОАНАЛИЗАТОР

Название: Газоанализатор

Международная патентная классификация: G01N27/12 (2006.01)

Номер и код вида документа: 2462704 C1

Заявка: 2011118941/28, 11.05.2011

Опубликовано: 27.09.2012

Страна публикации: Россия

Адрес для переписки:644050, г.Омск, пр. Мира, 11, ОмГТУ, информационно-патентный отдел

Автор(ы):Кировская Ираида Алексеевна (RU), Бугерко Лидия Николаевна (RU)

Патентообладатель(и): Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный технический университет" (RU)

Формула изобретения:

Полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической пленки бромида меди, легированного иодидом меди, а подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности датчика и технологичность его изготовления.

Область применения:

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей ацетона и других газов.

НАНОПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОВЫЙ ДАТЧИК

Название: НАНОПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОВЫЙ ДАТЧИК

Международная патентная классификация:

G01N27/12 (2006.01)

B82B1/00 (2006.01)

Номер и код вида документа: 2458338 C2

Заявка: 2010131326/28, 26.07.2010

Опубликовано: 10.02.2012

Страна публикации: Россия

Адрес для переписки: 644050, г.Омск, пр. Мира, 11, ОмГТУ, информационно-патентный отдел

Автор(ы): Кировская Ираида Алексеевна (RU), Подгорный Станислав Олегович (RU)

Патентообладатель(и): Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный технический университет" (RU)

Формула изобретения:Датчик содержит полупроводниковое основание и подложку. Полупроводниковое основание выполнено из наноразмерной пленки теллурида кадмия. Подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора. Датчик прост по конструкции, технологичен в изготовлении, обеспечивает высокую чувствительность при измерении содержания оксида углерода.

Область применения: Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам для регистрации и измерения содержания оксида углерода.

ПОДЛОЖКА ДЛЯ КАСКАДНЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

Название: ПОДЛОЖКА ДЛЯ КАСКАДНЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

Международная патентная классификация: H01L31/0248 (2006.01)

Номер и код вида документа: 2449421 C2

Заявка: 2009140907/28, 06.11.2009

Опубликовано: 27.04.2012

Страна публикации: Россия

Адрес для переписки:117421, Москва, ул. Обручева, 20, кв.12, Е.И.Гиваргизову

Автор(ы):Гиваргизов Евгений Инвиевич (RU), Гиваргизов Михаил Евгеньевич (RU)

Патентообладатель(и): Гиваргизов Евгений Инвиевич (RU)

Формула изобретения:Германиевую подложку для создания каскадных солнечных элементов из полупроводниковых соединений A3B5 и A2B6 предлагается изготовлять в виде тонкой пленки из взаимно параллельных монокристаллических полосок прямоугольной формы, в которых непокрытые участки подложки занимают не более 5% от общей площади пленки и ширина просветов не превосходит 5 микрометров. Пленку формируют путем осаждения германия на подложку и последующей перекристаллизации. Техническим результатом изобретения является снижение стоимости подложки и обеспечение возможности формировать посредством многослойной эпитаксии необходимые каскадные полупроводниковые структуры солнечных элементов с высоким структурным совершенством.

Область применения:Изобретение относится к области материаловедения, преимущественно электронного, в частности к солнечной энергетике.

Поиск по сайту: