4.1 Записать паспортные данные исследуемого транзистора согласно заданному варианту.
4.2 Собрать схему, представленную на рисунке 1, для исследования транзистора со встроенным каналом в режиме обеднения.
4.3 Для транзистора со встроенным каналом снять характеристику прямой передачи IC=F(U3И) при UCИ=10В и определить напряжение отсечки UЗИ0 . Напряжение U3И ОТС (как условно принято на заводах-изготовителях для маломощных транзисторов) соответствует определенному току стока, для данного транзистора он равен 10мкА
Результаты измерений занести в таблицу 1.
Таблица 1- IC = F(U3И)½ UCИ = const
Тип транзистора UСИ=10 В UЗИ0 =
UЗИ, В
IС , мА
Обеднение
Обогащение
4.3 Снять три выходные (стоковые) характеристики транзистора в режиме обеднения, при значениях напряжения на затворе UЗИ 1= 0,
UЗИ 2 » 0,25 × UЗИ ОТС и UЗИ 3 » 0,5 × UЗИ ОТС. Результаты измерений занести в таблицу 2.
4.5 Снять характеристику прямой передачи в области обогащения. Для этого поменять полярность источника G1. Характеристику снимать до тех пор, пока ток стока не достигнет 15 мА. Результаты измерений дополнить в таблицу 1.
4.6 Снять стоковые характеристики транзистора при двух значениях напряжения на затворе UЗИ в режиме обогащения, при UЗИ 4» 0,25 × UЗИ ОТС и UЗИ 5 » 0,5 × UЗИ ОТС.
4.7 Результаты измерений занести в таблицу 2.
Таблица 2 IC=F(UСИ) ½ UЗИ=const
Тип транзистора
UСИ,В
0,5
UЗИ 1
UЗИ 2
UЗИ 3
IС, мА
UЗИ 4
UЗИ 5
4.8 По результатам измерений построить семейство выходных характеристик.
4.9 Собрать схему для исследования р-канального транзистора с индуцированным каналом (рисунок 2).
4.10 Снять характеристику прямой передачи для транзистора с индуцированным каналом и определить пороговое напряжение U3И ПОР, соответствующее току стока 10 мкА. Характеристику снимать до тех пор, пока ток стока не достигнет 15 мА. Результаты измерений занести в таблицу 3 аналогичную таблице 1.
4.11 По результатам измерений построить характеристику прямой передачи.
4.12 Снять выходные характеристики при трех значениях напряжения на затворе UЗИ в режиме обогащения транзистора с индуцированным каналом при UЗИ 1=1,25 U3И ПОР, UЗИ 2= 1,5 U3И ПОР и UЗИ 3= 1,75 U3И ПОР.
Результаты измерений внести в таблицу 4, аналогичную таблице 2.
4.13 Исследовать зависимость крутизны от постоянного напряжения на затворе для транзистора со встроенным каналом. Собрать схему, представленную на рисунке 3а. Установить напряжение источника G2 UСИ = 10 В. Частоту генератора переменного тока UГ~ f=1кГц и выходное напряжение генератора 100 мВ. Миллиамперметр перевести в режим измерения переменного тока.
4.14 При тех же напряжениях на затворе, что и при измерении выходных характеристик, провести измерение переменного тока стока. Результаты занести в таблицу 5. Вычислить крутизну по формуле (1).
Таблица 5.
UЗИ, В
IС~, мA
S, мА/В
4.15 Исследовать зависимость крутизны от постоянного напряжения на затворе для транзистора с индуцированным каналом. Собрать схему, представленную на рисунке 3б. Установить напряжение источника G2 UСИ = 10 В. Частоту генератора переменного тока UГ~ f = 1кГц и выходное напряжение генератора 100 мВ. Миллиамперметр перевести в режим измерения переменного тока.
4.16 При тех же напряжениях на затворе, что и при измерении стоковых характеристик, провести измерение переменного тока стока. Результаты занести в таблицу 6. Вычислить крутизну по формуле (1).
Таблица 6.
UЗИ, В
IС~, мA
S, мА/В
Указания к составлению отчета
Отчет должен содержать:
5.1 Схемы исследований транзистора.
5.2 Таблицы и графики передаточной характеристики.
5.3 Таблицы и графики выходных характеристик.
5.4 Таблицы и графики зависимости
5.5 крутизны для различных значений управляющего напряжения.