 |
|
|
Архитектура Астрономия Аудит Биология Ботаника Бухгалтерский учёт Войное дело Генетика География Геология Дизайн Искусство История Кино Кулинария Культура Литература Математика Медицина Металлургия Мифология Музыка Психология Религия Спорт Строительство Техника Транспорт Туризм Усадьба Физика Фотография Химия Экология Электричество Электроника Энергетика |
Задание к работе в лаборатории. 4.1 На экране монитора получить вольтамперные характеристики диодов
4.1 На экране монитора получить вольтамперные характеристики диодов, выполненных из различных материалов для различных температур. Для одной из температур (по указанию преподавателя) зарисовать ВАХ всех трех диодов на одном графике. Примечание 1. Так как обратные токи могут отличаться в 1000 раз и более, то по оси I ОБР необходимо использовать логарифмический масштаб (рисунок 2.1). Такой же масштаб следует использовать при построении графиков IОБР=f(T0) (смотри пункт 2 отчета). 4.2 Для различных диодов исследовать зависимость напряжения пробоя от температуры UПРОБ = f(T). Результаты занести в таблицу 1.
Таблица 1а. Диод Ge.
Таблица 1 б. Диод Si.
Таблица 1в. Диод Ga As.
4.3 При постоянном обратном напряжении UОБР, меньшем пробивного, исследовать зависимость IОБР = f(T) для различных диодов. Результаты занести в таблицу 2. Примечание 2.Перед выполнением пункта 3 вначале требуется выбрать такое значение U ОБР, чтобы оно было меньше UПРОБ во всем диапазоне температур. 4.4 Исследовать зависимость прямого тока от температуры при постоянном прямом напряжении для различных диодов. Результаты занести в таблицу 3. Примечание 3.Перед исследованием каждого типа диодов выбрать такое значение прямого напряжения UПР, которое позволяет осуществить отсчет тока для всех температур.
Таблица 2а. Диод Ge, UОБР= ... В.
Таблица 2б. Диод Si, UОБР= ... В.
Таблица 2в. Диод Ga As, UОБР= ... В.
Таблица 3а. Диод Ge, UПР= ... В..
Таблица 3б. Диод Si, UПР= ... В.
Таблица 3в. Диод Ga As, UПР= ... В
4.5 Определить влияние ширины запрещенной зоны DW на величину обратного тока , для чего сравнить характеристики разных диодов при одной и той же температуре. В каждом случае определить величину обратного тока в предпробойной области характеристики. Для каждого вида диодов определить вид пробоя. Содержание отчета Отчет должен содержать ВАХ различных диодов, таблицы и графики зависимостей для всех трех типов диодов, полученные в результате исследования: 1. UПРОБ= f( T ) 2. IОБР = f(T) ½UОБР = const 3. IПР = f( T ) ½UПР = const 4. IОБР = f( DW ) ½ T = const. По каждому из графиков сделать необходимые выводы о влиянии температуры на характеристики и параметры диодов. В частности: 1. Оценить во сколько раз изменится обратный ток каждого из диодов при изменении температуры на 100 С. 2. Сравнить обратные токи различных диодов при одной температуре. Работа №3. ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С УПРАВЛЯЮЩИМ P-n ПЕРЕХОДОМ Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ) с управляющим p-n переходом. В работе снимаются передаточные (сток - затворные) и выходные (стоковые) характеристики, а также определяются основные параметры транзистора. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Устройство, назначение, принцип действия ПТ разных структур. 2.1.2 Схемы включения ПТ. 2.1.3 Статические характеристики и параметры ПТ. 2.1.4 Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам. 2.2 Ответить на следующие контрольные вопросы: 2.2.1 Объяснить устройство полевых транзисторов с p-n переходом и изолированным затвором. 2.2.2 Нарисовать обозначение полевых транзисторов разных типов и структур. 2.2.3 Объяснить принцип действия полевых транзисторов с p-n переходом и с изолированным затвором. 2.2.4 Изобразить и объяснить вид передаточных и выходных характеристик ПТ различных типов и структур. 2.2.5 Объяснить определение дифференциальных параметров по статическим характеристикам ПТ. 2.2.6 Нарисовать схемы для исследования статических характеристик полевых транзисторов различных типов с каналом типа «p» и «n». 2.2.7 Дать определение предельным эксплуатационным параметрам ПТ. 2.2.8 Пояснить влияние температуры на работу ПТ, его статические характеристики и параметры. Литература Бобровский Ю. Л. И др. Под редакцией Федорова Н.Д. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. -М: Радио и связь, 1998. Стр.146-156, 166-176, 184-185. Дулин В.Н. и др. Под редакцией Шишкина Г.Г. Электронные приборы. -М.: Энергоатомиздат, 1989. Стр. 205-224, 235-245 (выборочно). Батушев В. А. Электронные приборы. -М.: Высшая школа, 1980. Стр. 183-211 (выборочно). Дулин В. Н. Электронные приборы. -М.: Энергия, 1977. Стр. 342-357 (выборочно). Конспект лекций.
Поиск по сайту: |
