Помощничек
Главная | Обратная связь

...

Археология
Архитектура
Астрономия
Аудит
Биология
Ботаника
Бухгалтерский учёт
Войное дело
Генетика
География
Геология
Дизайн
Искусство
История
Кино
Кулинария
Культура
Литература
Математика
Медицина
Металлургия
Мифология
Музыка
Психология
Религия
Спорт
Строительство
Техника
Транспорт
Туризм
Усадьба
Физика
Фотография
Химия
Экология
Электричество
Электроника
Энергетика

Як здійснюється термокомпенсація в підсилювачі?

Термокомпенсація передбачає застосування нелінійних елементів, параметри яких залежить від температури. Необхідна стабільність робочої точки досягається без великих затрат електричної енергії в колах стабілізації. В якості нелінійного термочутливого елемента переважно застосовують термістори або переходи напівпровідникових діодів і транзисторів. Найпростіша схема термокомпенсації наведена на рис.1.29, в якій один з резисторів базового подільника напруги замінений термістором з від’ємним знаком температурного коефіцієнта опору, значення якого приблизно складає .

З підвищенням температури опір термістора зменшується, тому зменшується спад напруги на ньому і зменшується напруга між базою та емітером транзистора, внаслідок чого струм бази також зменшується, а струм колектора залишається незмінним.

Необхідну залежність термочутливого елемента отримують комбінуючи з’єднання лінійних резисторів з терморезистором. Деколи ці резистори можуть бути змінними (рис.1.30).

В розглянутих схемах термокомпенсація змінює режим каскаду за змінним струмом. При зростанні температури вхідних опір цих каскадів зменшується. Цей недолік усунений в схемі, де опір термістора ввімкнений в коло емітера (рис.1.31).

 

 

Рис.1.29. Схема термокомпенсації транзисторного каскаду
за допомогою термістора.

 

 

 

Рис.1.30. Схема термокомпенсації з регульованою
залежністю термокомпенсуючого елемента

 

 

Рис.1.31. Схема термокомпенсації каскаду з незмінним вхідним опором

Терморезистори мають неоднаковий з транзисторами температурний коефіцієнт опору і неоднакову температурну інерційність. Кращі результати термокомпенсації можна отримати застосовуючи переходи площинних діодів, оскільки їх температурні коефіцієнти напруги (ТКН) за знаком і значенням практично збігаються з ТКН переходу база-емітер транзистора (рис.1.32). Можна також підібрати діод в якого, в заданому температурному діапазоні, приріст зворотного струму збігається з приростом теплового струму транзистора . Використовуючи ці властивості діодів можна побудувати надійну і ефективну схему термокомпенсації транзисторного каскаду (рис.1.33).

 

 

Рис.1.32. Схема термокомпенсації зсуву вхідної характеристики транзистора за допомогою переходу напівпровідникового діода

 

 

Рис.1.33. Схема термокомпенсації каскаду, в якій компенсується вплив зсуву вхідної характеристики і некерованого струму транзистора

 

Діод призначений для компенсації температурного зсуву вхідної характеристики транзистора, а діод забезпечує компенсацію некерованого (теплового) струму колектора Ік0транзистора, оскільки його зворотний струм протікає в протилежному напрямку до Ік0. У випадку коли , то вплив некерованого струму колектора транзистора усувається. Загальний недолік методу термокомпенсації полягає в тому, що при заміні термокомпенсуючого елемента порушується режим термокомпенсації.

 




©2015 studopedya.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.